公开(公告)号：CN105243790A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510773229.3

申请日：2015-11-13

Applicant: 清华大学苏州汽车研究院(吴江)

Inventor： 张伟 ,  童小鸣 ,  屠江平

IPC: G08B21/06

CPC classification number: G08B21/06

Abstract: 本发明公开了基于无线通信的安全带振动疲劳预警系统，包括疲劳驾驶判断装置、2.4G通信装置和振动预警装置，其中疲劳驾驶判断装置对驾驶员疲劳状态进行检测与识别，判断出驾驶员疲劳驾驶之后，通过2.4G通信装置向振动预警装置发射振动信号；振动预警装置包括用于夹持安全带的振动预警夹，所述振动预警夹内安装有振动电机，当振动预警装置接收到疲劳驾驶判断装置发来的振动信号时，振动电机产生振动，对驾驶员进行疲劳预警提示。本发明通过疲劳驾驶判断装置对驾驶员疲劳状态进行检测与识别，以2.4G通信方式控制振动预警装置，使其发生振动，从触觉刺激上对驾驶员进行预警提示，结合已有的声光预警，在最大程度上提高系统预警的及时性与有效性。

公开(公告)号：CN103022111B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210560021.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品集电极串联电阻过大的问题而设计。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管包括衬底、N-外延层、锗硅外延层、发射区引出端、外基区引出端、发射极引出电极、集电极引出电极、以及基极引出电极。集电极引出电极嵌入衬底的背面且分别对应发射极引出电极和基极引出电极。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法可用于同质外延也可用于异质外延(SOS技术)的双极晶体管，且简化了晶体管的加工工艺。制备得到的产品保证较高的击穿电压，减小集电极串联电阻，保持较小的传输延迟时间，提高器件的工作频率，降低饱和压降，使得晶体管可以在大电流下应用。

公开(公告)号：CN102709318B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210153217.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103000678B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210536372.7

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。外基区上表面与发射区上表面形成平整表面，外基区与发射区由侧墙隔离。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

公开(公告)号：CN102790081B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210161187.4

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、多晶硅发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN104527570A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410800971.4

申请日：2014-12-22

Applicant: 清华大学苏州汽车研究院(吴江)

Inventor： 张伟 ,  成波 ,  舒伟 ,  陈睐

IPC: B60R25/102

CPC classification number: B60R25/102 ,  B60R25/305 ,  B60R25/31

Abstract: 本发明公开了一种基于全景图像的车辆防盗系统，通过采用广角鱼眼摄像头的活动目标识别技术与红外人体传感器触发技术相结合的手段，系统将实时车内全景图像远程发送至绑定的车主手机客户端，并提示车主查看，当发现有盗车事件发生时，手机端可以发送预警信号至车内预警终端进行语音报警；通过手机发送实时查看指令，车主可以立刻接受到系统拍摄到的车内状况图片，随时随地了解车辆情况。

公开(公告)号：CN102790080B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210161096.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102683400B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210161177.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102768973B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210254714.6

申请日：2012-07-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫 ,  张伟 ,  王玉东 ,  付军 ,  崔杰

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/317 ,  B23K26/00

Abstract: 本发明属于半导体制造装置和方法技术领域，特别涉及一种用于离子注入的激光辅助装置及其使用方法。本发明在离子注入机外部设置激光器，通过透明窗射入到离子注入机内部，又经过透明窗内侧设置的激光反射镜作用，射至晶圆片表面，激光光束的截面积大于离子注入束，离子注入束包含在激光光束中，两个加工束同时施加到晶圆片表面，进行离子注入。本发明在原有离子注入机的基础上，添加外部激光器和部分光学部件，所实施的改动量小，方便实现；相对于辅助加热的方式，激光束对于晶圆片的作用是局部的，仅是处理离子束的注入处，能源的使用效率高；此外，通过采取挡板，可以保护离子注入机内的传感器等关键性的部件，这一点传统的加热方式无法实现。

公开(公告)号：CN104157569A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410424810.X

申请日：2014-08-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  张伟 ,  刘道广 ,  刘志弘

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开一种快恢复二极管制造工艺方法，主要为了提供一种可进一步降低器件反向恢复时间，提高相关电路的工作速度。本发明综合应用离子注入和激光退火的深度控制能力，利用少子复合中心的扩散引入及缺陷损伤区对于少子复合中心的吸杂作用，来实现减少少子寿命的最佳的效果，工艺路线合理，工艺过程控制易于掌控，所制备的快恢复二极管具有反向恢复时间进一步缩短的更佳的性能。