-
公开(公告)号：CN117737689A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311506011.2
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及新材料及其应用领域，具体涉及一种大尺寸高质量三维六方氮化硼(h‑BN)网络的制备方法。以多孔金属为模板，通过预处理将硼源均匀固定在模板孔壁表面，然后利用化学气相沉积(CVD)工艺，在适宜的温度和气氛条件下，以含氮气体为氮源，在多孔金属骨架表面催化生长h‑BN，去除金属基底后即可得到高质量三维h‑BN网络，通过调控基底模板及其他反应参数，可对所述三维h‑BN网络的孔径、形态、层数等进行精准调控。相比于现有三维h‑BN网络制备工艺，本发明可避免CVD工艺制备h‑BN网络因硼源难以在体相扩散而导致的生长不均匀，同时h‑BN层数、网络形态、孔隙可调，工艺简单，生产成本低廉，容易放大量产。所制备的h‑BN具有很高的结晶质量，可在诸多领域获得应用。
-
公开(公告)号：CN117699746A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211086068.7
申请日：2022-09-06
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及二维材料叠层异质结构的制备技术，具体为一种六方氮化硼/二维材料/六方氮化硼叠层异质结材料的制备方法。采用高质量的少数层或多层特定二维材料，基于替换反应原理，将上下表面特定层数的二维材料分别转换为六方氮化硼，同时保留中间层的高质量二维材料，从而形成具有特定层数和堆叠次序的六方氮化硼/二维材料/六方氮化硼叠层异质结材料。采用该方法制备的六方氮化硼/二维材料/六方氮化硼叠层异质结材料，中间层二维材料具有高的结晶质量，而且未与外界接触，保证了六方氮化硼/二维材料之间的清洁界面，为实现二维材料的洁净封装以及大幅提高其电学、热学和化学性能奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN109810660B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201711175220.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 中国科学院金属研究所 , 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: C09J163/00 , C09J9/02 , C08L83/07 , C08K9/10 , C08K7/24 , C08K3/22 , C08K5/14 , C08L91/06 , C08K3/36 , C09K5/14
Abstract: 本发明涉及包覆型碳纳米管核壳结构复合材料领域，具体为一种包覆型碳纳米管核壳结构复合材料的制备方法与应用，具体为：1)将碳纳米管氧化功能化，使其表面带有含氧官能团，然后分散到水溶液中，制备出氧化功能化碳纳米管分散液；2)利用表面活性剂将待包覆的微/纳颗粒预分散到水溶液中，然后与上述氧化功能化碳纳米管分散液超声混合，使碳纳米管均匀包覆在颗粒表面；3)在上述混合溶液中加入还原剂，加热、搅拌将包覆在微/纳颗粒表面的功能化碳纳米管还原；4)离心分离、清洗、干燥得到均匀致密的包覆型碳纳米管核壳结构复合材料。该复合材料具有良好的导电、导热性能，可作为导电、导热填料应用于压敏、热敏、电磁屏蔽、导电元件中。
-
公开(公告)号：CN117446787A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210852322.3
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/184 , C01B32/956 , C01B21/064 , C01B21/068 , C01B33/02 , C01B33/18 , C01B33/20 , C01F7/021 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及石墨烯材料及其制备技术，具体为一种在非金属颗粒表面规模化生长石墨烯的方法，适于规模化制备石墨烯包覆的非金属粉体材料。本发明采用两步法在大量的非金属颗粒表面均匀生长石墨烯：首先，将大量非金属颗粒与碳源混合，通过低温碳化形成非金属颗粒与碳的块体复合材料；然后，采用电极对上述块体复合材料通电加热至更高温度，将碳转化为石墨烯，直到获得相互分离的石墨烯包覆的非金属颗粒，同时高温加热过程自发停止。本发明可以实现在大量非金属颗粒表面生长石墨烯层，方法易于规模化，具有石墨烯包覆均匀性好和颗粒分离度高的特点；同时，利用相互分离的石墨烯包覆非金属颗粒电阻较大的特点，具有通电高温加热过程自发停止的效果。
-
公开(公告)号：CN117107218A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311165463.9
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积反应设备领域，具体是一种适用于分段膜材料均匀连续大面积制备的化学气相沉积反应设备。该设备由供气系统、原料区、反应区、成品区和尾气及真空系统构成，原料区与反应区的反应炉管进料端连接，成品区与反应区的反应炉管出料端连接，原料区的推送托轨与反应区的过料导轨同轴对齐，过料导轨同轴置于反应区的反应炉管内；供气系统通过保护气管路与原料区、成品区相连通，供气系统通过反应气管路与成品区相连通，尾气及真空系统的真空系统、尾气系统分别与原料区、成品区相连通。本发明保证了分段膜材料能够可控连续制备，且基底在连续制备过程中各个位置经历同等均匀的生长环境，材料的上下两个表面均可参与反应生长薄膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115862956A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211492972.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及新材料及其应用技术领域，具体涉及一种石墨烯基导热/导电复合材料的制备方法。将具有三维连通结构的开孔泡沫金属叠层压制，将压制完的泡沫金属在适宜的温度和气氛条件下退火。利用化学气相沉积工艺，在泡沫金属模板表面催化生长石墨烯层。去除金属基底后，得到开孔密排结构的泡沫石墨烯网络骨架。利用真空浸渍工艺向所述具有密排三维连通结构的泡沫石墨烯网络骨架孔隙中填充聚合物基体，并选择合适的工艺完成固化。本发明工艺简单，生产成本低廉。所制备的石墨烯基复合材料，具有优异的导热、导电性能。在导热、导电、电磁屏蔽等领域具有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN112736166B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910974613.8
申请日：2019-10-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及发光二极管的制作领域，具体为一种通过非周期性纳米结构掺杂剂提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入非周期性纳米结构掺杂剂，通过非周期性纳米结构掺杂剂同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率，从而提升发光二极管的发光效率：在透明电极的表面形成非周期性纳米结构掺杂剂，利用其非周期性的纳米结构减少出射光的全内反射，从而提高发光二极管的出光率；同时，利用掺杂剂的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数，从而提高电极的电荷注入效率。该方法工艺简单，与发光二极管的制作工艺兼容性高，为发展高性能发光二极管提供了有效的技术途径。
-
公开(公告)号：CN114229837A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111537990.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及新材料及其应用技术领域，具体涉及一种石墨烯膜及其制备方法。以三维连通的高孔隙率高密度的多孔金属为模板，利用化学气相沉积工艺，在适宜的温度和气氛条件下，在金属模板表面催化生长石墨烯层。去除金属基底后，得到三维连通的多孔石墨烯骨架。通过施加压力，将所述三维石墨烯骨架压制成柔性膜。调控制备参数，可以对所述石墨烯薄膜的厚度，孔隙等进行调控。本发明工艺简单，生产成本低廉。所制备的石墨烯膜具有很高的结晶质量和柔韧性，在面内和垂直平面方向上均具有优异的导热、导电性能。由于所述石墨烯膜为高结晶质量的全炭结构，可在800℃以下空气环境下稳定使用，在导热、导电、电磁屏蔽等领域具有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN109824043B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201711185627.9
申请日：2017-11-23
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/194 , C01B32/186 , C01B32/184
Abstract: 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种调控转移介质层柔性提高鼓泡转移石墨烯速度的方法。该方法包括：在生长基底上采用化学气相沉积法生长石墨烯；将转移介质与在生长基底上的石墨烯贴合，形成“转移介质/石墨烯/生长基底”的复合结构，通过提高转移介质层的柔性减小鼓泡过程中分离“转移介质/石墨烯”和生长基底的阻力，使气泡更容易在石墨烯和生长基底间滑移；最后气泡在石墨烯和生长基底间快速滑移将石墨烯从生长基底表面剥离，获得的石墨烯具有良好的完整性。本发明可显著提高鼓泡转移石墨烯的速度，实现大面积高质量石墨烯薄膜的高效转移。
-
公开(公告)号：CN111446306B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910044567.1
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 本发明涉及透明导电膜及其应用领域，具体为一种凝胶型聚合物电解质修饰透明导电膜调控其功函数的方法。首先通过“共聚‑稀释”的方法，制备得到无机金属盐/柠檬酸‑正硅酸乙酯凝胶型聚合物电解质溶液，然后利用旋涂等方法将其涂覆在ITO、FTO等透明导电膜表面，再经一定温度干燥后即可实现凝胶型聚合物电解质对透明导电膜的修饰。从而，通过改变无机金属盐的种类、在凝胶型聚合物基体中的浓度及其成膜厚度来调控透明导电膜的功函数。所得凝胶型聚合物电解质修饰的透明导电膜不仅功函数可调，而且具有较好的表面浸润性、粘附性和稳定性，可广泛应用于有机发光二极管和有机太阳能电池等光电器件的透明电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
270
records
(took 0.035 seconds)
