公开(公告)号：CN119956478A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202311480986.2

申请日：2023-11-08

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 徐川 ,  陈晨 ,  任文才 ,  马超群 ,  高意雯 ,  成会明

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/66

Abstract: 本发明涉及六方氮化硼薄膜制备领域，具体为一种经济、环境友好的高质量六方氮化硼薄膜的制备方法，适于高质量六方氮化硼薄膜的规模化制备。该方法以含氮气体为氮源，通过表面高缺陷的氮化硼材料提供硼源，并将其与基底一同放置于高温区，通过含氮前驱体高温裂解产生的氮原子与表面高缺陷氮化硼产生的硼原子发生反应，在基底表面生长出六方氮化硼薄膜，通过改变生长基体的种类、生长温度、时间，实现对六方氮化硼薄膜的厚度、晶粒尺寸及结晶度的控制。本发明制备工艺简单易放大，可批量制备大尺寸高质量六方氮化硼薄膜，为超薄/原子级厚度六方氮化硼薄膜在电子器件、防腐与抗氧化涂层、热管理以及离子输运等领域的应用奠定了基础。

公开(公告)号：CN111458033A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010366321.9

申请日：2020-04-30

Applicant: 中国科学院金属研究所 ,  长春蓝拓科技有限公司

Inventor： 刘航 ,  徐立君 ,  夏立军 ,  张荣 ,  陈响军 ,  陈晨 ,  栾义坤 ,  李殿中

IPC: G01J5/00 ,  G01J5/08 ,  G01J5/10 ,  G01J5/60

Abstract: 本发明涉及炼钢炉双波长温度测量装置及测量方法，包括：耐高温导光晶体管、光学耦合设备和测温组件，所述耐高温导光晶体管一端置于炼钢炉，另一端连接所述光学耦合设备，所述光学耦合设备将所述耐高温导光晶体管传导出来的光辐射分为两束导向所述测温组件；所述光学耦合设备包括：透镜组、半反半透镜和两个滤光片。本发明提供的炼钢炉双波长温度测量装置及方法中，通过耐高温导光晶体管深入炉内，将炉内的光辐射导出到后续的光学耦合设备中进行分光，而后基于比色温测温原理得到炉内温度，此种测温装置能够直接接触被测物，不仅不受烟尘、水汽、等离子体闪光的干扰，测温精度高，而且能够实时、连续测量。

公开(公告)号：CN117737689A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311506011.2

申请日：2023-11-13

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 任文才 ,  马超群 ,  高意雯 ,  陈晨 ,  徐川 ,  成会明

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明涉及新材料及其应用领域，具体涉及一种大尺寸高质量三维六方氮化硼(h‑BN)网络的制备方法。以多孔金属为模板，通过预处理将硼源均匀固定在模板孔壁表面，然后利用化学气相沉积(CVD)工艺，在适宜的温度和气氛条件下，以含氮气体为氮源，在多孔金属骨架表面催化生长h‑BN，去除金属基底后即可得到高质量三维h‑BN网络，通过调控基底模板及其他反应参数，可对所述三维h‑BN网络的孔径、形态、层数等进行精准调控。相比于现有三维h‑BN网络制备工艺，本发明可避免CVD工艺制备h‑BN网络因硼源难以在体相扩散而导致的生长不均匀，同时h‑BN层数、网络形态、孔隙可调，工艺简单，生产成本低廉，容易放大量产。所制备的h‑BN具有很高的结晶质量，可在诸多领域获得应用。