基于过渡金属膜层的可见光宽带完美吸收器

    公开(公告)号:CN214795268U

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202121194000.1

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本申请公开基于过渡金属膜层的可见光宽带完美吸收器。该可见光宽带完美吸收器,包括:基底,所述基底自下而上依次层叠设置有:高反射金属膜层、透明电介质中间层、过渡金属膜层及透明电介质顶层,基于等效光学导纳等于空气的原理,实现了零反射率的效果,高反射金属膜层使得透过率为零,从而使可见光宽带完美吸收器实现覆盖可见光波段的“完美吸收”,该光完美吸收器在可见光波段可以实现超过99%的吸收率,且对于入射角度和光的偏振性不敏感,结构工艺简单、成品率高,适用于大面积制备。

    一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件

    公开(公告)号:CN211045463U

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202020151018.2

    申请日:2020-02-03

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 周浩 曹冰 王钦华

    Abstract: 本实用新型公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件,包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层,将GaN作为半导体提供局域载流子,AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿,石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该实用新型的有益效果是:制备方法简单容易实现,对于衬底无特殊要求,可以轻易实现柔性,能置于任意柔性衬底并可正常使用,在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响,而且成本低廉、易于实现。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件

    公开(公告)号:CN206161889U

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201620966488.8

    申请日:2016-08-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器,包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本实用新型具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。

    产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置

    公开(公告)号:CN205883684U

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201620802527.0

    申请日:2016-07-28

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置,包括放电电源、框架、安装在框架上的氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管,框架包括上下平行设置的两个第一有机玻璃板以及连接两个第一有机玻璃板的多个支撑管,氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管均穿过两个第一有机玻璃板,等离子体放电管位于所述氧化铝陶瓷棒阵列之间,等离子体放电管与放电电源相连接。本实用新型具有结构简单,操作方便,缺陷模连续可调节的优点,为等离子体光子晶体的研究提供了更为广阔的空间,有望在工业应用中产生重要的作用。

    一种偏振出光发光二极管
    205.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203787452U

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201420116217.4

    申请日:2014-03-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种偏振出光发光二极管,具体涉及一种复合光栅结构的偏振装置。它的LED芯片包括由衬底、n型GaN层、p型GaN层、量子阱、过渡层、空气隙和表面金属光栅结构组成。本实用新型在过渡层和表面金属光栅结构之间加入空气隙,构成复合光栅结构,空气隙的厚度为60~350nm。与传统的亚波长金属光栅实现偏振相比,在过渡层和金属光栅结构中间加入空气隙,可以实现更优良的偏振特性。

    一种双金属光栅纳米微腔的透射式彩色滤光片

    公开(公告)号:CN222028447U

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202420262525.1

    申请日:2024-02-02

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种双金属光栅纳米微腔的透射式彩色滤光片,它依次由底层金属、介质层和顶层金属组成双腔结构,底层、顶层金属为Ag,介质层为SiO2光栅结构,其结构参数包括:光栅的周期P=w1+w2,w1为短腔宽度,w2为长腔宽度;光栅的高度△L=L2‑L1,L1为短腔的长度,L2为长腔的长度;各参数的取值范围满足条件:P为150~250nm,L1为80~220nm,L2为260~410nm。本实用新型采用双腔结构,在不同偏振态光入射时,能获得不同的透射颜色;同时,通过精确调控短腔和长腔的占宽比及长/短腔的长度、光栅周期及不同的光栅取向,可实现对TM、TE偏振光入射下的透射光谱的自由调控。

    一种基于多层过渡金属层的超宽带光学吸收器

    公开(公告)号:CN216979338U

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202220651291.0

    申请日:2022-03-23

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本申请公开一种基于多层过渡金属层的超宽带光学吸收器。该超宽带光学吸收器的工作波段为别为可见‑近红外波段或中红外波段;在基底上依次层叠高反射金属膜层、过渡金属膜层、电介质膜层;高反射金属膜层、多层过渡金属膜层、电介质膜层组成平面多层结构,利用高反射金属膜层来阻止光透过,吸收器中多层过渡金属膜层和电介质膜层的组合降低了反射,从而实现了超宽波段高效光学吸收的效果。该光学吸收器在400~2500nm的可见‑近红外波段可以实现超过92%的平均吸收率;在3~16μm的中红外波段可以实现超过80%的平均吸收率。吸收器对于入射角度和光的偏振性不敏感,结构工艺简单,膜层的加工误差对性能影响小,成品率高,适用于大面积制备。

    基于嵌套双螺旋面形的圆二色性超透镜结构

    公开(公告)号:CN214201825U

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202120177120.4

    申请日:2021-01-22

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 王晨乾 王钦华

    Abstract: 本实用新型公开了基于嵌套双螺旋面形的圆二色性超透镜结构,包括基底,基底上端固定设置有PMMA支撑层,PMMA支撑层端面设有镀金层,镀金层厚度相同,PMMA支撑层由内螺旋面与外螺旋面构成。本实用新型的有益效果:在同样的左旋光入射条件下,基于内外嵌套双螺旋面形结构的圆二色性超透镜的焦点强度是基于普通单螺旋面结构的圆二色性超透镜的焦点强度的10倍,本实用新型可以使光入射时干涉相长产生较大的圆偏振转化,有效提高了有效聚焦能量的占比,提升了聚焦效率。

    一种大口径拼接光子筛
    209.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208421433U

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201820824532.0

    申请日:2018-05-30

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本新型属于光学技术领域,为解决大口径光子筛拼接误差导致拼接后光子筛分辨率降低的技术问题,公开了一种大口径拼接光子筛,该大口径拼接光子筛由若干个子光子筛拼接而成,拼接后的大口径拼接光子筛的小孔位置分布满足以下方程: 小孔大小为菲涅尔波带片亮环带宽度的倍数;在使用时利用数字图像复原技术将物体通过拼接光子筛所成的像进行复原即可获得清晰的像;本技术方案能够制造大尺寸的光子筛,并且利用波前编码技术降低了光子筛拼接时的装调精度,并同时保证了拼接后的完整光子筛的成像质量。

    基于石墨烯/金属复合结构的电光调制器

    公开(公告)号:CN207895207U

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201820024606.2

    申请日:2018-01-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯/金属复合结构的电光调制器,包括金属结构层、石墨烯层、介质层、衬底反射层、金属电极和电压源,石墨烯层包括:至少一层石墨烯,石墨烯平铺于介质层,电压源与石墨烯连接,通过电压源对石墨烯施加不同的电压以调控入射光的反射率大小。根据本实用新型实施例的电光调制器,通过将金属和石墨烯结合,形成石墨烯/金属的复合结构,来实现对入射光的调控功能。

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