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公开(公告)号：CN112071985A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010772076.1
申请日：2020-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过界面工程提高钙钛矿太阳能电池全光谱光稳定性的方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、界面层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，通过在电子传输层和钙钛矿活性层之间引入界面层，界面层由富勒烯或富勒烯衍生物与邻菲罗啉衍生物混合组成，邻菲罗啉衍生物与富勒烯或富勒烯衍生物的质量比为1:5～15。界面层阻止电子传输层在光照下催化分解钙钛矿活性层的同时，增强了界面层本身的稳定性，从而大幅度提高了钙钛矿太阳能电池的全光谱光稳定性，并且由于其钝化钙钛矿表面缺陷的作用，电池的能量转换效率也得以提升，迟滞现象得以减缓。本发明方法极大地促进了钙钛矿太阳能电池迈向商业化。
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公开(公告)号：CN108526480B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810220699.0
申请日：2018-03-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本快速制备铜纳米线的方法，包括如下步骤：(1)先将硝酸铜和氯化铜两种二价铜盐粉末混合，加入高分子长链有机胺十六烷，再加入还原糖和去离子水，得到混合液A；(2)将混合液A置于室温下搅拌9～11h，搅拌完成后再加热5～6h，得到混合液B；(3)将混合液B离心，并将底部的沉淀物用60～90℃去离子水在6000r/min～9000r/min下离心洗涤；本发明不但操作简单快速，可制备得到长径比优良的铜纳米线，而且成本相比现有技术降低9％～20％，反应速率提高10％～15％。
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公开(公告)号：CN109612842B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811399304.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种硅片的高温压载装置及其应用，属于检测设备技术领域。所述高温压载装置，包括：加热炉，所述加热炉内部设置有固定待测硅片的测试台；位于测试台上方的压头；一端伸入加热炉内部的杠杆，所述杠杆伸入加热炉的头端部与压头活动连接；提升机构，与所述杠杆位于加热炉外的尾端部连接，测试时，杠杆的尾端部上抬，其头端部的压头垂直下降，压头因其自身重力对待测硅片进行压载。本发明采用简单的杠杆装置实现了高温下实时压载，持续压载过程中压头附近的应力场可以为位错运动提供更大的驱动力，使位错滑移距离相比于残余应力诱导位错滑移的结果更为显著，该装置设计简单、机械操作方便，能在高温环境下对材料实现可靠压载的机械强度表征。
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公开(公告)号：CN110993906A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911145442.4
申请日：2019-11-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基锂离子电池负极材料及其制备方法，该硅基锂离子电池负极材料包括衬底，以及沉积在衬底上的纳米棒状镍硅核壳阵列；该纳米棒状镍硅核壳阵列以镍正锥形阵列为核，以硅为壳。制备方法包括：通过电沉积法，在预处理后的衬底表面生长镍正锥形阵列；再采用气相沉积法，在镍正锥形阵列外沉积纳米硅，得到硅基锂离子电池负极材料。本发明公开的硅基锂离子电池负极材料为上下均匀的纳米棒状阵列结构，具有优异的初始比容量和循环稳定性，有望在锂离子电池领域获得更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN109085486A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810857477.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体-绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属-绝缘体-半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108842179A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810769398.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭的制备方法，包括如下步骤：对两种晶向不同的单晶籽晶进行切割，再将切割得到的单晶籽晶相邻间隔、紧密拼接形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，在籽晶拼接处形成了Σ3孪晶界，最后通过定向凝固得到了双晶向的多晶硅铸锭。本发明方法通过在籽晶拼接处人工设置了Σ3孪晶界避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
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公开(公告)号：CN108728895A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810688398.0
申请日：2018-06-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过等离子体增强化学气相沉积法沉积有Si3N4薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18～18.5％。
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公开(公告)号：CN106694900B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201611184215.9
申请日：2016-12-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多金属核壳纳米片的制备方法，步骤如下：将钯纳米片、金属有机盐前驱体、分散剂和苯甲醇混合得到前驱体溶液，无氧环境下，经160～220℃反应后得到所述的多金属核壳纳米片。本发明提供了一种多金属核壳纳米片的制备方法，方法简单，重复性高，成本低，制备得到的多金属核壳纳米片具有二维核壳结构，尺寸均匀、分散性好，而且尺寸与壁厚都可以调控。
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公开(公告)号：CN108383081A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810167817.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了LSPR辅助可兼顾不同量子点能量传递结构，包括具有多个局域表面等离子激元共振峰的金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒外包覆二氧化硅壳层，所述二氧化硅壳表面覆盖一层氨基，所述氨基外吸附与所述金属纳米颗粒表面等离子共振峰耦合的量子点；本发明还提供了LSPR辅助可兼顾不同量子点能量传递结构的制备方法；本发明由于施主受主分别与不同的表面等离子激元共振峰耦合，使得受体光致发光显著增大，实现196.44％的增幅，而且制得的二氧化硅包覆金属纳米颗粒复合结构分散性好，工艺流程简单，制作成本低。
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公开(公告)号：CN108281508A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810075289.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 浙江大学 , 蚌埠产品质量监督检验研究院
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；(3)将腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。该制备方法制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，少子寿命较长。
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