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公开(公告)号：CN102167971A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110049992.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝色荧光发光材料及其应用。该材料采用螺二芴为中心，连接两个菲基，形成扭曲非平面结构，有效避免了分子间的聚集，具有较高的荧光量子效率。该材料具有很好的热稳定性和电致发光特性，用作蓝色有机电致发光器件的发光层，能得到色纯度和效率非常高的蓝光发射。
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公开(公告)号：CN101284931B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810114696.5
申请日：2008-06-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件的空穴注入材料，属于有机电致发光器件的研究和应用领域。本发明材料是弱酸性、中性或碱性的PEDOT和PSS的水溶液，其pH值优选在5.4到13的范围内，更优选在5.4到10.0的范围内，进一步优选在7.6到10.0的范围内，最优选在7.6。本发明采用不同于以往通过选用不同的有机溶剂或者在PEDOT:PSS中掺杂醇类有机化合物以改善PEDOT:PSS性能的方法，而是在常用的PEDOT:PSS水溶液中掺杂有机或无极碱来调节PEDOT:PSS的pH值，从而提高OLED的空穴传输能力和发光性能，具有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101840025A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010169159.8
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种线性光子晶体器件，属于光通信技术领域。本发明的线性光子晶体器件包括一光子晶体和一光束偏转器；所述光束偏转器位于所述光子晶体的一侧，用于对经该光束偏转器输入所述光子晶体导带的光束或对从所述光子晶体导带输出的光束进行偏转。采用本发明的线性光子晶体器件可以实现从可见光到光通讯波段的全光二极管，且实用性很强、加工工艺简单，使用和测量方便。
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公开(公告)号：CN101051166A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099383.2
申请日：2007-05-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种降低全光开关泵浦功率的方法，属全光开关技术领域。该方法包括：有机共轭聚合物材料加入激光染料制得复合材料，利用该复合材料制备二维光子晶体；将探测激光耦合到上述二维光子晶体中，所述探测激光的波长位于上述二维光子晶体的光子带隙的边缘；用泵浦激光激发上述二维光子晶体实现全光开关，所述泵浦激光的波长位于上述二维光子晶体的光学染料的线性吸收带。本发明可以将泵浦功率降至几百KW/cm2到MW/cm2。本发明还提供一种全光开关及其制备方法，全光开关为一二维光子晶体，该二维光子晶体为一刻蚀有正方晶格周期性空气孔的有机物薄膜，所述有机物薄膜为有机共轭聚合物加入激光染料。
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公开(公告)号：CN1787702A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009973.8
申请日：2004-12-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种红光有机发光器件的制备方法，属于有机发光器件加工技术领域。步骤包括：在阳极和阴极之间制备空穴传输层、发光层和电子传输层，空穴传输材料为聚对苯撑乙烯或聚对苯撑乙烯的衍生物，发光材料为有机小分子红光材料，有机小分子红光材料包括发红光的有机染料、发红光的磷光化合物、发红光的稀土配合物和其它的发红光的非聚合物的有机材料。由于聚对苯撑乙烯或聚对苯撑乙烯的衍生物稳定性极高，可在空穴传输材料和发光材料之间实现高效的空穴传递，克服了有机小分子红光材料浓度淬灭的缺点，实现了制得器件发出高亮度的红色发光，发光稳定，色纯度好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1363820A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN02100479.X
申请日：2002-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: G01B17/02
Abstract: 本发明公开了一种短脉冲激光超声精确测厚方法及装置,测厚方法是利用超快的短脉冲激光束在待测样品前表面激发声波,声波传到后表面时,引起样品后表面发生形变,另一束从样品后表面反射的探测光会由于这次形变而发生第一次偏转;声脉冲到达后表面后又从后表面向前表面反射,再从前表面反射回后表面,完成一个反射周期,这时探测光就会探测到时间上有一定延迟的第二次偏转;两次偏转的时间差乘以声波在样品中的传播速度,再除以二就是样品的厚度。实现测厚方法的测厚装置由光源、分光系统、聚焦系统和接收系统组成。用本发明的方法和装置可以对非常薄的单层样品的厚度,以及厚度的差值进行测量。
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公开(公告)号：CN114755869B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210275444.0
申请日：2022-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑边界态的全光数字逻辑器件及其实现方法。本发明采用一维的α构型拓扑光子晶体和β构型拓扑光子晶体，实现局域边界态，具有整体的拓扑保护特性，并对杂质或缺陷的不敏感性，即鲁棒性，这将大大提升器件的传输性能；利用超快响应的非线性材料形成缺陷腔，以泵浦光的有无作为输入，改变α构型和β构型拓扑光子晶体的等效折射率，从而改变α构型和β构型拓扑光子晶体的状态，以二者拼接处有无光场作为输出信号，从而实现全光数字逻辑器件的运算功能；本发明通过拓扑边界态实现了具有鲁棒性的逻辑转化，具有拓扑保护的功能，大大降低了光损耗；通过非线性全光效应大大减少了逻辑运算的时间，有利于大规模的片上集成。
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公开(公告)号：CN118960975A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410935766.2
申请日：2024-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种窄带超导纳米线单光子探测器耦合方法及系统。本方法步骤包括：1)在单光子探测器的光敏面前端设置滤波结构，光敏面后端设置反射镜结构，光芯片末端与所述滤波结构垂直耦合，用于将光芯片输出的光垂直耦合入射到所述滤波结构；2)所述滤波结构对输入的光进行滤波，滤除入射光中目标波段以外的光，并将目标波段的光将至单光子强度后入射到所述单光子探测器的光敏面；3)所述反射镜结构将透过所述单光子探测器的光敏面的光子重新集中到所述单光子探测器的光敏面。本发明能够同时规避片上波导集成型探测器无法兼容滤波装置和独立式探测器无法有效集成的缺点，同时满足片上光量子对滤波和探测的需求。
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公开(公告)号：CN115526325B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110709120.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明公开了一种高维光量子计算方法及芯片。本发明的芯片包括一个UN分支、n个编码分支，每一编码分支包括r+1个单元S、r+1个单元Un、r+1个单元BS和一个单元M；UN分支用于对输入的r+1维n+1光子纠缠量子态中的控制量子位进行操作，得到量子态|φ3>；每一编码分支用于处理一个r+1维n+1光子纠缠量子态|φ0>，将其每一维分别输入到该编码分支中的一单元S；S用于对各受控纠缠光子所在的量子态路径扩展为相同维度的量子态并发送给单元Un；Un用于对输入态|φ1>中每一量子态进行量子幺正操作，得到量子态为|φ2>并发送给单元BS；BS用于对各量子态进行相干叠加，得到被控制量子位并输入到M。
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公开(公告)号：CN118317658A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410444145.4
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种改性AgBiS2量子点薄膜及制备方法和应用、光电器件及制备方法。本发明提供的改性AgBiS2量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：将短链配体溶解于含有卤素的极性溶剂中，得到短链配体溶液；将AgBiS2量子点薄膜和所述短链配体溶液混合进行固相配体交换，得到改性AgBiS2量子点薄膜；形成所述AgBiS2量子点薄膜使用的AgBiS2量子点的表面配体为长链配体。以含有卤素的极性溶剂制备短链配体溶液在进行固相配体交换过程中能够很好的诱导短链配体与量子点中长链配体发生交换，所制备的改性量子点薄膜表面含有少量有机配体和缺陷，从而提高其在光电器件应用中的性能。
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