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公开(公告)号：CN118672341A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410749234.X
申请日：2024-06-12
申请人： 南京牛芯微电子有限公司
发明人： 黄颋
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种无启动电路PTAT电流产生电路，包括：静态偏置产生电路、温度采集电路和电流输出电路；静态偏置产生电路用于生成静态偏置电压，并输出至温度采集电路作为静态工作点的偏置；温度采集电路用于通过三极管生成电流；三极管随温度变化特性产生一个随温度增大而增大的电流；电流输出电路用于将温度采集电路的电流镜像输出PTAT电流。本发明得到一个随绝对温度增大而增大的电流，可作为集成电路中温度补偿电流使用，此外，本发明无需启动电路，极大增加了电路稳定性。
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公开(公告)号：CN114625198B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202011450877.2
申请日：2020-12-10
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种过温保护阈值测量装置及其测量方法，该装置包括：基准电压产生单元，用于产生具有恒定温度系数的基准电压；多选一选择开关，用于根据所述控制信号选择输出参考电压和引脚电压的其中之一；以及比较器，在被测芯片的测试模式下，用于基于引脚电压确定预设温度下基准电压的电压值；在被测芯片的正常工作模式下，比较器用于基于参考电压和确定的基准电压确定被测芯片的过温保护阈值。该过温保护阈值测量装置及其测量方法可以在批量生产中测量芯片的过温保护阈值，确保在实际应用中芯片的过温保护阈值能够处于可控的范围内，降低批量芯片的损坏率。
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公开(公告)号：CN118550353A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410552726.X
申请日：2024-05-07
申请人： 上海川土微电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电流源电路，包括启动电路模块、带隙基准电路模块以及电压转电流电路模块；启动电路模块与带隙基准电路模块连接，带隙基准电路模块与电压转电流电路模块连接，带隙基准电路模块用于产生与温度无关的电压，电压转电流电路模块用于根据与温度无关的电压产生基准电流；其中，带隙基准电路模块包括多个工作在亚阈值区的NMOS管，工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极压差呈负温度特性，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极压差之间的差值呈正温度特性。本发明利用亚阈值区的NMOS管获得基准电流，从而避免使用BJT器件，解决了现有的基准电流源电路需要使用BJT器件导致占用版图面积较大的问题。
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公开(公告)号：CN118534965A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410440708.2
申请日：2024-04-12
申请人： 深圳市思远半导体有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电压电路和芯片。基准电压电路包括第一带隙基准电压电路、第二带隙基准电压电路以及修调电路。其中，所述第一带隙基准电压电路用于提供第一带隙基准电压。所述第二带隙基准电压电路用于提供第二带隙基准电压。修调电路用于将所述第一带隙基准电压转换为所述基准电压，并在满足所述预定条件的情况下，根据所述第二带隙基准电压对所述基准电压进行温度补偿。第二带隙基准电路在不满足预定条件的情况下不开启。第二带隙基准电路在满足预定条件的情况下开启，使得修调电路对基准电压进行温度补偿。基准电压电路在减小或消除环境温度对基准电压的影响的同时，同时兼顾较低的功耗与成本，也不会影响基准电压的整体精度。
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公开(公告)号：CN115877907B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202211445664.X
申请日：2022-11-18
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准源电路，包括：第一带隙基准，用于产生第一基准电流，所述第一基准电流流经电阻后，获得温度系数呈凸形曲线变化的电压；第二带隙基准，用于产生第二基准电流，所述第二基准电流流经电阻后，获得温度系数呈凹形曲线变化的电压；叠加模块，用于将所述第一基准电流和所述第二基准电流进行叠加，获得第三基准电流；将所述第三基准电流流经电阻，获得基准电压。本发明提出一种新的补偿技术，通过叠加带有凸形温度系数特征的第一基准电流和带有凹形温度系数特征的第二基准电流，从而获得温度系数更低的基准电压，输出更为平坦的参考电压。本发明可广泛应用于集成电路领域。
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公开(公告)号：CN118502535A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410909910.5
申请日：2024-07-09
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基于复合温度补偿的带隙基准电路，涉及电子电路技术领域，包括带隙基准核心模块、线性化补偿模块、分段线性补偿模块和基准输出模块；带隙基准核心模块用于产生负温度系数电压和正温度系数电压；线性化补偿模块用于对带隙基准核心模块的负温度系数电压的高阶非线性项进行补偿，得到基准电压；分段线性补偿模块用于产生分段补偿电流，分段补偿电流用于在不同的温度范围内，对基准电压的温度系数进行不同的电流补偿，并注入到基准输出模块；基准输出模块用于输出带隙基准电压。发明可在工作温度为‑40~125°C时，可以达到0.03ppm/°C的精度，带隙基准源的精度更高，适用的温度范围更大。
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公开(公告)号：CN118502533A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310546811.0
申请日：2023-05-15
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，涉及电学技术领域，包括曲率补偿电路、片上监测电路和多个模拟控制器电路，多个模拟控制器电路用于生成适当的体偏置电压并反馈给低温漂带隙基准源电路，对多个第一NMOS管进行电压补偿。本发明的片上监测电路复制了曲率补偿电路，能够精确地监测由HCI效应引起的NMOS管阈值电压的变化量。在本发明的自愈电路中，HCI效应导致的NMOS管阈值电压的增量将由片上监测电路监测，之后通过模拟控制器生成适当的体偏置电压直接反馈给需要补偿的NMOS管衬底，以此来降低HCI效应对NMOS管阈值电压的影响，从而降低HCI效应对低温漂带隙基准源电路性能参数的影响。
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公开(公告)号：CN118484057A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410551543.6
申请日：2024-05-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种对于温度补偿基准电流源的电路，涉及电源技术领域，以解决现有技术中难以得到具有理想温度系数的基准电流源的问题。电路包括：电源输入端、第一级电流补偿单元、第二级电流补偿单元以及电源输出端；第一级电流补偿单元的输入端与电源输入端连接，第一级电流补偿单元的输出端与第二级电流补偿单元的输入端连接；第二级电流补偿单元的输出端与电源输出端连接；第一级电流补偿单元包括自偏置电流镜，自偏置电流镜用于确保所述第一级电流补偿单元中预设电阻两端的电压为预设电压；基于此，可以降低获取理想温度系数的基准电流源的难度系数。
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公开(公告)号：CN116225141B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310289067.0
申请日：2023-03-23
申请人： 宁波大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种低温漂高精度基准电压源电路，包括启动电路、PATA电流生成电路、高阶温度补偿电路、基准电压输出电路以及输出缓冲电路，根据PTAT电流生成电路根据两个双极性晶体管基极‑发射极电压差的温度特性生成具有正温度系数的电流、高阶温度补偿电路根据晶体管的亚阈值饱和电流特性生成具有正温度系数的高阶温度补偿电流与具有负温度系数的双极性晶体管基极‑发射极电压差进行叠加，输出具有低温度系数的基准电压；输出缓冲电路根据两级运放结构对基准电压进行输出缓冲。本发明通过增加的高阶温度补偿电路得到了低温漂高精度基准电压，并对该基准电压进行输出缓冲，隔绝负载对于基准电压源的影响。
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公开(公告)号：CN118466676A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410691561.4
申请日：2024-05-30
申请人： 贵州辰矽电子科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本申请公开了一种可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，在带隙基准电路的基础上，通过共集放大电路、折叠差分电路、电平移位器组成的三极运算放大器结构，使得在负电压下能够继续使用本带隙基准电压源，同时并联工作模式下也会有较为良好的工作状态；同时增加反馈电阻网络实现在单电路下实现不同实属。本申请解决了传统Brokaw结构不能在并联模式下使用的弊端；同时通过二阶温度补偿结构得到了一个温度系数优异的带隙基准电压。
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