公开(公告)号：CN115677361B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202211241199.8

申请日：2022-10-11

申请人： 广西晶联光电材料有限责任公司

发明人： 王凯 ,  黄誓成 ,  农浩 ,  莫斌 ,  韦林超 ,  张倍维 ,  谭泽旦

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/457 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：1、将脱脂后的靶材，烧结时垫片与承烧板的接触面采用棱支撑，垫片与靶材接触面保持光滑平整；2、放置于垫片上的靶材表面均匀铺一层氧化铝细沙；3、以0.5‑1℃/s的速度升温进行常压烧结，在950℃时通入氧气，在950℃、1050℃、1150℃、1250℃、1350℃、1450℃各保温1小时，在1520℃保温10小时，然后自然降温，所得靶材无裂纹，密度均匀性好，相对密度可达99.7%以上。本发明解决了传统ITO靶材（特别是大尺寸靶材）常压烧结工艺制造ITO靶材容易开裂、断裂和密度均匀性较差的问题。

公开(公告)号：CN115536388B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202110726489.0

申请日：2021-06-29

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 王根水 ,  叶嘉明 ,  陈学锋 ,  董显林

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/499 ,  C04B35/50 ,  C04B35/472 ,  C04B35/457

摘要： 本发明涉及一种高熵陶瓷电介质材料及其制备方法。所述高熵陶瓷电介质材料的化学式为PbAO3，其中A选自Zr、Hf、Sn、Nb、Ti、Yb、Lu、Tm、Sc、Mg、W中的至少五种元素，每种元素的下标相等且和等于1。

公开(公告)号：CN116217223B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310495628.2

申请日：2023-05-05

申请人： 山东利恩斯智能科技有限公司

发明人： 郇正利 ,  常宁 ,  韩利伟 ,  曹光利

IPC分类号： C04B35/457 ,  B28B3/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  H01G4/12

摘要： 本发明提供了一种SnO2基陶瓷材料及其制备方法与应用。该SnO2基陶瓷材料，由以下摩尔份数的原料制备得到：SnO2粉末85~98份、Bi2O3粉末为1~7.5份、Nb2O5粉末为1~7.5份。本发明采用固相合成法制备(Bi+Nb)共掺杂SnO2陶瓷，通过改善制备工艺以及烧结方式成功的制备了兼具巨介电和低损耗的陶瓷材料。该巨介电陶瓷材料兼具高的介电常数、低介电损耗，且频率特性和温度特性稳定，能够适应低高温工作环境，非常适合微型电容器，在集成电路中有着巨大的实用价值，解决了巨介电材料在具有高介电常数的同时有着低的介电损耗的问题，并且该发明有着良好的频率和温度稳定性。

公开(公告)号：CN116283271A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310256707.8

申请日：2023-03-07

申请人： 宁波大学

发明人： 吕滨 ,  裴瑞杰 ,  薛博文

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及一种高折射率和高光学质量的Gd2Sn2O7烧绿石型透明陶瓷的制备方法。将六水合硝酸钆和五水合四氯化锡按照阳离子1∶1的摩尔比加入至去离子水溶解配制成一定浓度的母盐溶液，加入一定掺量的六水合氯化铝，搅拌均匀。将充分溶解后的混合盐溶液逐滴滴加到NH4HCO3溶液中反应，陈化后依次经过洗涤、烘干获得沉淀前驱体，再经过煅烧得到Gd2Sn2O7陶瓷粉体；随后对其进行预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及打磨抛光处理，最后获得了光学性质优良的Gd2Sn2O7透明陶瓷材料。

公开(公告)号：CN116100041A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111493119.3

申请日：2021-12-08

申请人： 韩国生产技术研究院

发明人： 梁承慜 ,  金庚勋 ,  金建熙 ,  丁荣奎 ,  权五亨 ,  牟灿滨 ,  曹龙洙 ,  朴慧旻 ,  陈光华

IPC分类号： B22F9/28 ,  C04B35/626 ,  C04B35/01 ,  C04B35/45 ,  C04B35/26 ,  C04B35/10 ,  C04B35/457 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/56

摘要： 本发明涉及无机粉末的制造装置以及利用该装置的无机粉末的制造方法。根据本发明的一方面，提供一种无机粉末的制造装置，其包括：气化单元，其通过气化凝聚相前驱体以形成气相前驱体；部分析出单元，其使所述气化单元中形成的气相前驱体一部分以凝聚相析出；以及反应单元，其使所述部分析出单元中以凝聚相部分析出后剩下的剩余气相前驱体与反应气体反应并形成无机粉末，所述部分析出单元中的所述气相前驱体的平衡蒸汽压低于所述气化单元中形成的所述气相前驱体的蒸汽压，所述反应单元中的所述前驱体的平衡蒸汽压高于等于所述部分析出单元中以凝聚相部分析出后的气相前驱体的蒸汽压。

公开(公告)号：CN113683408B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202110864784.2

申请日：2021-07-29

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 周志宏 ,  肖世洪 ,  雷雨 ,  刘芳

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

摘要： 本发明公开了一种应用于太阳能电池的陶瓷靶材及其制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化锡、氧化锑加入到球磨机中，再加入分散剂、溶剂进行第一次球磨，再加入烧结助剂，第二次球磨混合，得到浆料；S2、将浆料进行喷雾造粒，过筛，得到粉体；S3、将粉体置于模具中进行压制成型，得到素坯；S4、将素坯烧结，得到应用于太阳能电池的陶瓷靶材。本发明所述的陶瓷靶材具有良好的致密度、电阻率，由该陶瓷靶材制备的薄膜具有优异的光电性能和耐湿耐蚀性能，能够提高太阳能电池的稳定性和耐久性。

公开(公告)号：CN113735565B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202111006574.6

申请日：2021-08-30

申请人： 深圳市众诚达应用材料科技有限公司

发明人： 周贤界 ,  卢晓鹏 ,  徐红星 ,  黄勇彪

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种低锡含量ITO溅射靶材、制备方法及薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：S1、制备氢氧化铟、氢氧化锡或氢氧化铟锡浓缩浆料，并加入表面活性剂进行均质处理；S2、将浓缩氢氧化物浆料进行喷雾干燥，获得氢氧化物粉体；S3、将氢氧化物粉体进行煅烧，获得氧化物粉体；S4、将煅烧后氧化物粉体与有机分散剂、粘结剂、消泡剂进行球磨混合，得到氧化物浆料；S5、将氧化物浆料进行喷雾造粒，获得氧化物造粒粉体；S6、将氧化物造粒粉体等静压成型获得靶材素坯；S7、将靶材素坯进行脱脂和高温烧结，获得低锡含量ITO溅射靶材。本发明制备的低锡含量ITO溅射靶材致密度高、晶粒细小、成分与组织分布均匀。

公开(公告)号：CN115028445A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210958047.3

申请日：2022-08-11

申请人： 淄博工陶新材料集团有限公司

发明人： 张同剑 ,  张启山 ,  李玉强 ,  李志军 ,  张晓峰 ,  孙文礼 ,  杨舒琪 ,  丁文生 ,  张文艳

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  C03B5/027

摘要： 本发明针对氧化锡电极使用过程，铜会存在富集现象，公开了一种玻璃窑炉用低能耗耐侵蚀氧化锡电极及其制备方法，属于氧化锡电极技术领域。其技术方案为：包括二氧化锡、促烧结剂、导电化添加剂、分散剂和粘结剂；促烧结剂为氧化锌和氧化铜，与二氧化锡的质量比为0.3‑0.5：100，且氧化锌添加量大于氧化铜添加量；导电化添加剂为三氧化二锑，与二氧化锡的质量比为0.8‑1.5：100；分散剂和粘结剂的总重量与二氧化锡的质量比为0.5‑1.5：100。本发明制得的氧化锡电极具有致密度高、室温电阻率低、不污染玻璃、抗玻璃液侵蚀能力强等优点。

公开(公告)号：CN112457025B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202011460476.5

申请日：2020-12-11

申请人： 广西晶联光电材料有限责任公司

发明人： 王凯 ,  张倍维 ,  黄作 ,  梁盈祥 ,  宋春华 ,  郑飞雄

IPC分类号： C04B35/626 ,  C04B35/457 ,  C04B35/01

摘要： 本发明涉及一种大比表面积纳米ITO粉的制备方法，包括以下步骤：将金属铟溶解于稀酸溶液，加入四氯化锡的饱和溶液；加入沉淀剂，控制反应温度为60～80℃，反应液pH值为6.5～7.5；加入转化剂，控制料液pH值为9.0～10.0，升温至近沸，保温20～40min；加入中和剂，控制料液pH为6.5～7.5；清洗、过滤、干燥；分解、冷却，粉碎、筛分，即得。本发明的制备方法原料来源广，工艺简单，反应条件温和，安全无污染，制备所得纳米ITO粉的纯度超过99.995％，粒径小于50nm，比表面积超过60㎡/g，最高达到120㎡/g，靶材相对密度超过99.7％，能够满足更高性能薄膜镀膜的要求。

公开(公告)号：CN114835486A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110137848.9

申请日：2021-02-01

申请人： 深圳麦克韦尔科技有限公司

发明人： 王守平 ,  朱林林 ,  赵晓阳 ,  江雪涛 ,  张琳 ,  西克宇

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622

摘要： 本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。该导电陶瓷材料的制备方法包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1‑8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆；其中，添加剂为Sb2O3，Li2CO3，Ba2CO3，SiO2，Bi2O3，ZnO，MgO中的至少一种或多种；对料浆进行烧结，以制得导电陶瓷材料。该方法所制得的导电陶瓷材料的电阻率范围为1×10‑4～1×10‑6Ω·m，功率密度大于2600mW/cm2，使用范围和方式较为广泛。