公开(公告)号：CN1196954C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02156335.7

申请日：2002-11-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 宫崎泰典

IPC分类号： G02F1/025

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2001/01758 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2203/25

摘要： 本发明的课题在于提供一种光调制器，该光调制器可在不使消光特性变差的情况下，仅仅使线性调频脉冲减小。在阱层(10)和n侧的阻挡层(12)之间插入中间层(11)，对阱层(10)施加张力变形，在阻挡层(12)的带隙Eb(eV)，阱层(10)的带隙Ew(eV)，中间层11的带隙Em(eV)之间，可保持Ew＜Em＜Eb的关系。还可形成下述张力变形量子阱结构，其具有在具有这3种层的张力变形的量子阱结构上，添加另一层的4种层。该另一层的带隙为阱层(10)与中间层(11)之间的带隙，或中间层(11)与阻挡层(12)之间的带隙。在每1个周期的量子阱(8a)中，层数为任何数量。

公开(公告)号：CN1164933A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96190987.0

申请日：1996-08-29

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 入川理德 ,  西片一昭 ,  野村刚彦

IPC分类号： H01L31/10 ,  G02F1/025

CPC分类号： H01L31/109 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  G02F2001/01766 ,  H01L31/02327

摘要： 一种波导式光接收元件(10)包括一光电探测部分(14)，一光衰减部分(18)和具有将光电探测部分与光衰减部分电隔离而使光传输的光传输特性的电隔离部分(20)。光电探测部分包括在基片(22)上形成的n型光导层(28)和i型光吸收层(30)，及夹在光导层和光吸收层之间的一对n和p型光限制层(26和32)，从而形成了双异结结构。光衰减部分除了设置一应变MQW层代替光吸收层之外，具有与光电探测部分相似的层结构，并具有分别设置在基片顶部和底部的一吸收控制电极(16)和一电极(40)。光电探测部分的光吸收层及波导和光衰减部形成一脊结构，在水平方向上有一光限制结构及在垂直方向有一光限制结构。通过在光衰减部分的电极间施加一反向偏压，可以控制由光衰减部分吸收入射光的量，从而控制传播到光电探测部分的光强度。