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公开(公告)号：CN115986024A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211665158.1
申请日：2022-12-23
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本申请实施例提供了一种微型LED芯片及其制备方法，该微型LED芯片包括：N型层、有源层、P型层、N型金属电极和P型金属电极，N型层包括两侧区域不导电的第一电流调整层，P型层包括两侧区域不导电的第二电流调整层，使得第一电流调整层和第二电流调整层能够分别对从N型金属电极和P型金属电极注入的电流的走向进行调整，阻挡电流流向侧壁，从而有效抑制微型LED芯片中的载流子流向侧壁，降低了侧壁缺陷造成的非辐射复合风险，进而减小了侧壁缺陷对小电流条件下的微型LED芯片发光效率的影响，有助于改善微型LED芯片在小电流条件下的发光效率。
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公开(公告)号：CN115332402A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211053023.X
申请日：2022-08-31
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供一种发光芯片及其制备方法，该制备方法包括：提供第一衬底，在第一衬底上依次生长N型缓冲层、N型功能层、有源层和P型功能层，P型功能层按照生长顺序包括P型限制层、P型电流扩展层和粗化层，P型电流扩展层具有多层，每层包含不同含量的Al组分，通过在P型限制层上生长与P型限制层晶格常数相差较小的P型电流扩展层，避免了后续研磨时P型限制层和P型电流扩展层之间的失配应力导致发光芯片翘曲增大的问题，进而避免发光芯片破损，实现提高发光芯片的良片率、优化发光芯片电流扩展和提高发光芯片的出光效果的目的。
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公开(公告)号：CN115295678A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211007922.6
申请日：2022-08-22
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735
摘要： 本发明提供了一种光电器件的制备方法，采用该制备方法制备光电器件外延片的过程中，给欧姆接触层背离衬底一侧设置与欧姆接触层晶格匹配的P化物保护层以及As化物盖层，可以有效阻挡外延片生长结束后，外延片腔体中的石英件和石墨件上的反应物沉积颗粒掉落到欧姆接触层上，在外延片生长结束后再去除P化物保护层以及As化物盖层，就可以得到膜层质量较好的欧姆接触层，从而使欧姆接触层能够形成更好的欧姆接触，进一步提高该光电器件的性能和芯片的良率。
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公开(公告)号：CN112397997B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011278124.8
申请日：2020-11-16
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时，设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加，进而能够对半导体激光器的光场限制，使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧，有效降低半导体激光器的发散角。
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公开(公告)号：CN114267748A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111585241.3
申请日：2021-12-22
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种光电器件、太阳能电池以及探测器，该光电器件包括了衬底以及光电器件有源区，光电器件有源区又包括了至少两个子吸收层，在相邻两个子吸收层之间还设置有多层应力调控层，该应力调控层的晶格常数与吸收层的晶格常数存在较大差异。由于应力调控层的晶格常数与吸收层的晶格常数不同，在子吸收层之间设置应力调控层时，应力调控层会提供与吸收层反方向的应力，用来平衡晶格失配产生的应力作用。当吸收层的热膨胀系数与衬底的热膨胀系数不同且产生热应力时，在子吸收层之间设置应力调控层，应力调控层会提供与吸收层相反的应力，来平衡热膨胀失配导致的热应力作用。
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公开(公告)号：CN114156383A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111468676.X
申请日：2021-12-03
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延结构，所述外延结构具有多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；设置于所述外延结构背离所述第一表面一侧表面的第一功能层；设置于所述第一功能层背离所述外延结构表面的有源层；设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的第二功能层。由此可知，本方案采用多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层代替传统的GaAs缓冲层，不仅可以削弱衬底缺陷和杂质对外延结构的影响，还可以降低反应室环境的本底杂质浓度以及氧元素残留，为生长高质量外延材料提供条件，同时降低成本和生长时间。
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公开(公告)号：CN113097358B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110347588.8
申请日：2021-03-31
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，所述ODR反射镜层包括金属反射层及位于所述金属反射层背离所述背电极一侧的介质膜层，其中，所述ODR反射镜层包括多个第一通孔或多个第二通孔；所述P型窗口层包括主体层及与所述主体层相连的多个第一凸起或多个第二凸起，所述第一凸起位于所述第一通孔内且与所述金属反射层形成欧姆接触，所述第二凸起位于所述第二通孔内且与所述金属键合层形成欧姆接触。本发明制作发光二极管时采用Lift‑off工艺实现P型窗口层的凸起与ODR反射镜层的自对准。本发明提供的技术方案，保证发光二极管的可靠性高，同时能够解决填充金属材料所带来的制备成本高、工艺流程复杂的问题。
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公开(公告)号：CN111785806B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010709932.9
申请日：2020-07-22
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本申请实施例提供了一种太阳能电池及制作方法，该太阳能电池包括：层叠的第一子电池、第一隧穿结层、变质缓冲层、第二子电池、第二隧穿结层和第三子电池，变质缓冲层包括至少两层缓冲层和过冲层，至少两层缓冲层的晶格常数位于第一子电池和第二子电池的晶格常数之间，以利用变质缓冲层缓解各子电池间由晶格失配产生的残余应力和位错，提高太阳能电池的性能，至少两层缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，第二缓冲层形成时预设化合物的摩尔比大于第一缓冲层形成时预设化合物的摩尔比，利用较高的预设化合物的摩尔比加速变质缓冲层的应变积累至弛豫的过程和减少三族原子迁移能力，以减小晶格失配产生的应力与位错和有效改善变质缓冲层表面的形貌。
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公开(公告)号：CN113594313A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110845303.3
申请日：2021-07-26
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括叠层结构，该叠层结构包括：层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；其中，多量子阱有源层包括沿背离第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层，势阱层为AlaGa1‑aAs层，势垒层为AlbGa1‑bAs层，且0＜a＜b＜1。本申请实施例所提供的LED芯片，由于其多量子阱有源层中势阱层和势垒层的长晶材料相同，因此，在多量子阱有源层的生长过程中，势阱层和势垒层的生长界面可以清晰地切换，从而提高多量子阱有源层的长晶质量，减少由于多量子阱有源层的长晶缺陷而造成的非辐射复合，进而提高该LED芯片的亮度和工作寿命。
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公开(公告)号：CN109285909B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811145299.4
申请日：2018-09-29
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种多结太阳能电池及其制作方法，制作方法包括：提供一第一电池；在第一电池上形成变质缓冲层，变质缓冲层包括依次叠加形成的多个子缓冲层，且在每一子缓冲层制作完毕后均进行原位腐蚀；在变质缓冲层背离第一电池一侧形成第二电池。在子缓冲层制作完毕后，通过对每一子缓冲层均进行原位腐蚀，进而能够在子缓冲层表面的位错处刻蚀位错坑，在随后的外延过程中会在位错坑位置发生侧向外延，减少了后续外延的子缓冲层的位错密度，使得变质缓冲层表面的位错密度整体降低，提高变质缓冲层阻挡位错向上延伸的能力；原位腐蚀能够使得子缓冲层的表面粗糙，进而能够提高相邻子缓冲层的界面处释放应力的效果，改善了晶圆翘曲的问题。
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