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公开(公告)号：CN105063575B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510585911.X
申请日：2015-09-15
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统，衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区；其中，自第一衬底放置区起，相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔，第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔，且其余间隔的距离相同，定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同。获取采集反射率数据并绘制为反射率柱形图，由于在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔，进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定，并通过衬底托盘的转动方向，以最终确定发射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。
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公开(公告)号：CN105624648B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610179954.2
申请日：2016-03-24
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34
摘要： 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置，薄膜生长腔室为方形腔室；方形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘；方形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的方形腔室可以无限制地扩大，只要扩大的顶面上设置有进气结构，就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长装置的产能。
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公开(公告)号：CN101914762B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010269018.3
申请日：2010-08-31
申请人： 广东省中科宏微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构，该结构包括进气顶盘法兰和水冷匀气板，该进气顶盘法兰为一圆形金属盘状结构，中间为圆形凹坑，沿圆形凹坑径向用板条隔开，分为2n个扇形区，n为大于1的整数；该水冷匀气板分为有机源水冷匀气板和氢化物气体水冷匀气板，每一个扇形区对应一个水冷匀气板。利用本发明，可以使反应气体均匀的进入反应室内，使反应室内气体达到均匀生长的气流模式。
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公开(公告)号：CN102492937A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110451659.5
申请日：2011-12-29
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头，包括：一混气室，该混气室为一桶状，在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头，固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁，该上盖板、一下盖板和侧壁构成密封的空间，该上盖板和下盖板之间贯通有多个进气通道，该进气通道的周围及上盖板和下盖板之间为冷却通道。
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公开(公告)号：CN101812673A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033960.X
申请日：2010-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括：封闭型外壳体，该外壳体包括上层板、中层板和下层板，在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室，在中层板和下层板之间形成冷却腔室，进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域。对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管，细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管的出口端朝向邻近的衬底表面；进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。本发明可以使不同的反应气体通过扇形区域均匀送入反应室。通过控制衬底旋转速度，可以减少预反应，实现高质量的材料外延生长，也可以通过提高衬底转速，实现普通外延生长模式。
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