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公开(公告)号：CN116836759A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310795349.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碱性清洗液的应用。本发明的碱性清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
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公开(公告)号：CN116814339A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310795345.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种酸性清洗液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将所述的酸性清洗液中的各个组分混合，得到所述的酸性清洗液；所述的酸性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑4％有机胺、0.1‑9％酸、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为磺酸盐类阴离子表面活性剂；所述的酸与所述的有机胺的质量比为(1‑3):1。采用本发明的制备方法制得的酸性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
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公开(公告)号：CN113774390B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110924722.6
申请日：2021-08-12
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的强碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.05％‑0.2％的表面活性剂、0.01％‑0.1％的氨基酸、0.01％‑10％的缓蚀剂、0.01％‑10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
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公开(公告)号：CN116262889A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111523248.2
申请日：2021-12-13
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体器件中的应用。该应用的中和清洗剂的原料包括下列质量分数的组分：1％‑5％半胱氨酸、1％‑5％羟胺、0.1％‑0.5％EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1％‑1％表面活性剂B、0.1‑1％螯合剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。
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公开(公告)号：CN116262888A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111521982.5
申请日：2021-12-13
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂。本发明的中和清洗剂的原料包括下列质量分数的组分：1％‑5％半胱氨酸、1％‑5％羟胺、0.1％‑0.5％EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1％‑1％表面活性剂B、0.1‑1％螯合剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116218612A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111481390.5
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺清洗液在清洗半导体器件中的应用。该应用中的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：30％‑80％有机溶剂、0.001％‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％半胱氨酸、1％‑5％醇胺、1％‑5％有机碱、0.01％‑2％螯合剂、0.01％‑2％缓蚀剂、0.5％‑3％羧酸铵、0.01‑1％表面活性剂、0.01％‑2％流平剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的清洗液的清洗能力强、腐蚀速率低和避免了等离子刻蚀及灰化等繁琐工艺。
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公开(公告)号：CN116107161A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111321419.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物包括以下组分：树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂；所述树脂包括下述重量份数的组分：80‑90份酚醛树脂、20‑50份树脂C和10‑15份树脂D；所述酚醛树脂为酚醛树脂A和酚醛树脂B的至少一种；所述酚醛树脂A的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚、3,5‑二甲酚和甲醛进行反应得到；所述酚醛树脂B的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚和甲醛进行反应得到；所述有机硅流平剂为聚甲基苯基硅氧烷。采用本发明的i线光刻胶组合物在用于i线光刻时得到的光刻胶图光敏性和分辨率高。
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公开(公告)号：CN116102938A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111322701.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC: C09D145/00 , C09D135/00 , C08F234/02 , C08F232/08 , C08F222/40 , C08F220/40 , G02B1/111
Abstract: 本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
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公开(公告)号：CN116102937A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111322699.X
申请日：2021-11-09
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC: C09D145/00 , C09D135/00 , C08F234/02 , C08F232/08 , C08F222/40 , C08F222/20 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
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公开(公告)号：CN116027635A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111245430.6
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
Abstract: 本发明公开了Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用。本发明具体公开了一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物由下述原料制得，所述的原料包括下列以重量份计的组分：80～150份的树脂A、5～20份的树脂B、5～15份的树脂C、3～10份的光酸产生剂、2～10份的交联剂、0.5～2.5份的酸扩散抑制剂和500～2000份的溶剂；其中，所述树脂A和所述树脂C的重量份数的比例为20:3～20:1，所述树脂B和所述树脂C的重量份数的比例为1:2～2:1；所述树脂A为取代苯乙烯树脂，由结构单元组成，其中，m为1或2；R1为H、乙酰基或丙酰基；树脂A的重均分子量为4000～10000，分子量分布指数为1.2～3.0。
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