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公开(公告)号：CN100483577C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410087475.5
申请日：2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化，也可以将IR不良率控制得较低，并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物含有：组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgz}BO2表示的主成分，和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中，A、B为0.995≤A/B≤1.020，x为0.0001≤x≤0.07，优选为0.001≤x≤0.05，y为0.1≤y≤0.3，z为0.0005≤z≤0.01，优选为0.003≤z≤0.01。
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公开(公告)号：CN1728304A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510088807.6
申请日：2005-07-29
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 岩永大介
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种即使将电介质层薄型化并追求高静电容量时，仍然可以维持充分的绝缘电阻的层叠陶瓷电容器。本发明的电容器(10)(层叠陶瓷电容器)，具备内部电极(12)和电介质层(14)交替层叠的电容器元件(11)和在其端面设置的外部电极(15)。在电容器元件(11)中，在内部电极(12)和电介质层(14)之间设置有高电阻层(24)。该高电阻层(24)含有陶瓷材料、选自Mn、Cr、Co、Fe、Cu、Ni、Mo和V的至少一种元素及/或稀土类元素。
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公开(公告)号：CN1604247A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410087475.5
申请日：2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化，也可以将IR不良率控制得较低，并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物含有：组成式{{Ba(1－x)Cax}O}A{Ti(1－y－z)ZryMgz}BO2表示的主成分，和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中，A、B为0.995≤A/B≤1.020，x为0.0001≤0.07，优选为0.001≤x≤0.05，y为0.1≤y≤0.3，z为0.0005≤z≤0.01，优选为0.003≤z≤0.01。
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公开(公告)号：CN110783106B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910670789.4
申请日：2019-07-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种可低背化的层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件。本发明涉及层叠陶瓷电子部件(2)，其中端子电极(6、8)具有覆盖内部电极层(12)被引出的元件主体(4)的引出端(4a、4b)的端侧电极部(6a、8a)、和沿着层叠方向在元件主体(4)的上表面的一部分与端侧电极部(6a、8a)连续而形成的上侧电极部(6b、8b)，端子电极(6、8)实际上未形成于位于沿着层叠方向与上表面(4c)为相反侧的元件主体(4)的下表面(4d)。
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公开(公告)号：CN102543431A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110443834.6
申请日：2011-12-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 岩永大介
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种层叠陶瓷电容器，其相对介电常数的温度特性的稳定性优异，而且相对介电常数高，可靠性优异。电介质层含有相对于Ti以1～8摩尔%置换Zr而得的BTZ系电介质陶瓷组合物作为主成分，构成BTZ系电介质陶瓷组合物的电介质粒子实质上不具有壳结构，上述BTZ系电介质陶瓷组合物的居里温度比上述层叠陶瓷电容器的使用温度范围要高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511506C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510087852.X
申请日：2005-06-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/49 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电子部件，是具有电介质层的陶瓷电子部件，所述电介质层含有包含(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3系材料的主成份、以及包含Si氧化物的副成份，相对于电介质层总体，所述Si氧化物的含量为0～0.4重量%(其中，不含0)，优选所述电介质层具有偏析层，所述偏析层含有Si氧化物，且实质上不含有Li氧化物。根据本发明，能够提供一种IR不良率(初始绝缘电阻不良率)低，高温负荷寿命好、可靠性高的陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。
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公开(公告)号：CN1251259C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN00802470.7
申请日：2000-10-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/30
Abstract: 采用抑制叠层方向和宽度方向的膨胀的办法，提供可以防止裂纹的发生的叠层电容器。具备使电介质层(11a、11b)和内部电极(12)交互地叠层的电容器基体(10)。电容器基体(10)采用使电介质膏层和内部电极膏层进行叠层烧接的办法得到。叠层方向的膨胀率x，若设电介质层(11a)的叠层数为i，则在±0.05i%的范围内，理想的是在0%以下或-10%～0%，宽度方向的膨胀率y，理想的是在-0.05i%～0%的范围内。膨胀率x、y，可以采用向内部电极膏层内添加进碳化合物或含锂化合物的办法，或采用使最外部的电介质层(11b)的厚度形成得薄的办法进行控制。借助于此，可以抑制裂纹的发生，减小不合格率。
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公开(公告)号：CN1728305A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510088808.0
申请日：2005-07-29
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 岩永大介
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B2311/22 , C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/405
Abstract: 本发明提供即使是在使介电体层薄型化、实现高容量的情况下，内部电极与介电体层也不容易发生剥离的叠层陶瓷电容器。本发明的电容器(10)(叠层陶瓷电容器)设置有由内部电极(12)(电极)与介电体层(14)所交互叠层的电容器素材(11)、与在其端面设置的外部电极(15)。介电体层(14)包含介电材料的颗粒，且具有在其厚度方向上仅由一个该颗粒所构成的部位。而且，在内部电极(12)与介电体层(14)之间，分散存在有包含选自Si、Li、及B中的至少一种元素的区域(24)。
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公开(公告)号：CN1710679A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510087852.X
申请日：2005-06-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/49 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电子部件，是具有电介质层的陶瓷电子部件，所述电介质层含有包含(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3系材料的主成分、以及包含Si氧化物的副成分，相对于电介质层总体，所述Si氧化物的含量为0～0.4重量％(其中，不含0)，优选所述电介质层具有偏析层，所述偏析层含有Si氧化物，且实质上不含有Li氧化物。根据本发明，能够提供一种IR不良率(初始绝缘电阻不良率)低，高温负荷寿命好、可靠性高的陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。
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公开(公告)号：CN1300520A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800524.9
申请日：2000-04-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/26 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 提供一种复合衬底,其中,绝缘层表面不受电极层的影响,它既不需要研磨过程也不需要溶胶—凝胶过程的处理,并容易生产,在其中使用所述复合衬底时,可以提供一种显示质量高的薄膜EL器件;还提供一种薄膜EL器件;以及所述器件的生产方法。通过在包含衬底;镶嵌在所述衬底中的电极层,其镶嵌方式使得所述电极层和所述衬底在一个平面上;以及一个在所述衬底和所述电极层的复合体表面上形成的绝缘层的复合衬底上,依次形成发光层、另一个绝缘层和另一个电极层生产所述薄膜EL器件。
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