公开(公告)号：CN111819425B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880090904.4

申请日：2018-03-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  海津明政

IPC: G01J1/02

Abstract: 本发明提供一种热利用装置，其抑制配线层的电阻的增加，并且配线层(10)的热阻增加。热利用装置(1)具有电阻根据温度而变化的热敏电阻(7)；以及连接于热敏电阻(7)的配线层(10)。配线层(10)中的声子的平均自由行程比由配线层(10)的材料构成的无限介质中的声子的平均自由行程小。

公开(公告)号：CN111819425A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880090904.4

申请日：2018-03-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  海津明政

IPC: G01J1/02

Abstract: 本发明提供一种热利用装置，其抑制配线层的电阻的增加，并且配线层(10)的热阻增加。热利用装置(1)具有电阻根据温度而变化的热敏电阻(7)；以及连接于热敏电阻(7)的配线层(10)。配线层(10)中的声子的平均自由行程比由配线层(10)的材料构成的无限介质中的声子的平均自由行程小。

公开(公告)号：CN103325389B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310064317.7

申请日：2013-02-28

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 小村英嗣 ,  长勤 ,  岛泽幸司 ,  原晋治 ,  细井亮 ,  森信幸 ,  藤田恭敏 ,  丹泽秀树

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/48

CPC classification number: G11B5/3116 ,  G02B6/4208 ,  G11B5/105 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/314 ,  G11B5/6088 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头、磁头万向节组件、磁头臂组件、磁盘单元和光传输单元。本发明的热辅助磁记录头包括：激光光源，具有发射面，激光从发射面发射；波导，具有芯和包层，从激光光源发射的激光在芯中传播，包层包围芯；磁极；以及等离子体激元发生器。芯和包层分别具有面向发射面的端面，包层的端面抑制激光向激光光源返回。

公开(公告)号：CN103325389A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310064317.7

申请日：2013-02-28

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 小村英嗣 ,  长勤 ,  岛泽幸司 ,  原晋治 ,  细井亮 ,  森信幸 ,  藤田恭敏 ,  丹泽秀树

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/48

CPC classification number: G11B5/3116 ,  G02B6/4208 ,  G11B5/105 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/314 ,  G11B5/6088 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头、磁头万向节组件、磁头臂组件、磁盘单元和光传输单元。本发明的热辅助磁记录头包括：激光光源，具有发射面，激光从发射面发射；波导，具有芯和包层，从激光光源发射的激光在芯中传播，包层包围芯；磁极；以及等离子体激元发生器。芯和包层分别具有面向发射面的端面，包层的端面抑制激光向激光光源返回。

公开(公告)号：CN101471075B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810188837.8

申请日：2008-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小村英嗣 ,  岛泽幸司 ,  田中浩介 ,  高山清市 ,  羽立等

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头，其特征在于，如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光，加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内，因此，两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近，可以进行高密度的记录。

公开(公告)号：CN101373598A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810146838.6

申请日：2008-08-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岛泽幸司 ,  平林启 ,  田中浩介 ,  小村英嗣

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/127

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头。一边使来自光波导路的出射光的出射位置和磁极端部靠近，一边实现对磁记录介质的高密度的写入。热辅助磁头包括：主磁极层，具有露出于与磁记录介质相对的介质相对面的磁极端部；以及光波导路，使入射的激光向层叠方向偏转。主磁极层位于光因光波导路而发生偏转的一侧。磁极端部向光因光波导路而发生偏转的一侧突出。光波导路在介质相对面侧比磁极端部更突出。

公开(公告)号：CN118076210A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410413492.0

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  小村英嗣 ,  须田庆太

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。

公开(公告)号：CN109786544B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201811283848.4

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  小村英嗣 ,  须田庆太

IPC: H10N50/10 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。

公开(公告)号：CN110914974B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201980003599.5

申请日：2019-01-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小村英嗣 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/20 ,  H01L29/82 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明的自旋轨道转矩型磁化旋转元件(10)具备：沿第一方向(X)延伸的自旋轨道转矩配线(2)；在与所述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向(Z)上层叠的第一铁磁性层(1)；以及在从所述第二方向的俯视中，在所述第一方向上夹持所述第一铁磁性层的位置处连接于所述自旋轨道转矩配线的第一非磁性金属层(3)和第二非磁性金属层(4)，所述第一铁磁性层的重心(G)，在所述第一方向上，位于从作为所述第一非磁性金属层和所述第二非磁性金属层之间的中心的基准点(S)偏向所述第一非磁性金属层或所述第二非磁性金属层的任意一侧。

公开(公告)号：CN111886483B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880090884.0

申请日：2018-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  原晋治 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  海津明政

IPC: G01J1/02

Abstract: 本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。