公开(公告)号：CN118076211A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410413558.6

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  小村英嗣 ,  须田庆太

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。

公开(公告)号：CN109786544A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811283848.4

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  小村英嗣 ,  须田庆太

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。

公开(公告)号：CN119053974A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202280093909.9

申请日：2022-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须田庆太

IPC: G06N3/06

Abstract: 本实施方式的信息处理装置具备多个磁路、与所述多个磁路中的至少一个连接的至少一个输入端子、与所述多个磁路中的至少一个连接的至少一个输出端子、以及将所述多个磁路中的至少两个磁路之间电耦合或磁耦合的至少一个连接部。

公开(公告)号：CN111052398B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880052140.X

申请日：2018-08-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须田庆太 ,  佐佐木智生

IPC: H01L29/82 ,  H10B61/00 ,  H01L27/105 ,  H10N50/10

Abstract: 本实施方式涉及的自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向发生变化；自旋轨道转矩配线，其沿与上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并与上述铁磁性金属层接合；和两个通孔配线，其从上述自旋轨道转矩配线的与上述铁磁性金属层相反侧的表面沿交叉的方向延伸，并与半导体电路连接，上述两个通孔配线的上述第一方向的通孔间距离比上述铁磁性金属层的上述第一方向的宽度短。

公开(公告)号：CN118076210A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410413492.0

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  小村英嗣 ,  须田庆太

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。

公开(公告)号：CN109786544B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201811283848.4

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  小村英嗣 ,  须田庆太

IPC: H10N50/10 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。

公开(公告)号：CN111052398A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880052140.X

申请日：2018-08-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须田庆太 ,  佐佐木智生

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 本实施方式涉及的自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向发生变化；自旋轨道转矩配线，其沿与上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并与上述铁磁性金属层接合；和两个通孔配线，其从上述自旋轨道转矩配线的与上述铁磁性金属层相反侧的表面沿交叉的方向延伸，并与半导体电路连接，上述两个通孔配线的上述第一方向的通孔间距离比上述铁磁性金属层的上述第一方向的宽度短。