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公开(公告)号：CN101054726B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200710084170.2
申请日：2007-02-17
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 大井户敦
CPC classification number: H01F1/346 , C04B35/2675 , C04B35/653 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/764 , C30B19/04 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09
Abstract: 磁性石榴石单晶及使用其的光学元件本发明涉及磁性石榴石单晶及使用其的光学元件，其目的在于提供削减了Pb的含有量的磁性石榴石单晶及使用其的光学元件。一种磁性石榴石单晶，其特征在于，用化学式BiαM13-αFe5-β-γM2βM3γO12(M1是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少1种元素，M2是Si，M3是选自Zn、Ni、Cu、Mg中的至少1种元素，0.5＜α≤2.0、0＜β、0＜γ)表示。
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公开(公告)号：CN101061263B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200580039676.0
申请日：2005-11-17
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 大井户敦
Abstract: 本发明涉及通过液相外延(LPE)法生长的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法，其目的在于提供降低了铅含量的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法。本发明涉及一种通过液相外延生长法生长得到的用化学式BixNayPbzM13-x-y-zFe5-wM2wO12表示的磁性石榴石单晶(式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素，M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素，0.5＜x≤2.0、0＜y≤0.8、0≤z＜0.01、0.19≤3-x-y-z＜2.5、0≤w≤1.6)。
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公开(公告)号：CN101061263A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200580039676.0
申请日：2005-11-17
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 大井户敦
Abstract: 本发明涉及通过液相外延(LPE)法生长的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法，其目的在于提供降低了铅含量的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法。本发明涉及一种通过液相外延生长法生长得到的用化学式BixNayPbzM13－x－y－zFe5－wM2wO12表示的磁性石榴石单晶(式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素，M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素，0.5＜x≤2.0、0＜y≤0.8、0≤z＜0.01、0.19≤3－x－y－z＜2.5、0≤w≤1.6)。
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公开(公告)号：CN1818743A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610019815.X
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1768167A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008878.4
申请日：2004-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B23/025 , C30B29/28
Abstract: 一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。
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公开(公告)号：CN1203349C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01104751.8
申请日：2001-02-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及利用使用磁性石榴石材料的光磁效应的光磁器件，提供在单晶膜生长时或研磨加工时不产生裂纹的磁性石榴石材料。还提供光磁器件，它是在波长λ(1570nm≤λ≤1620nm)的光入射时法拉第旋转角θ为44deg≤θ≤46deg的光磁器件。用通式BiaMl3-aFe5-bM2bO12表示的磁性石榴石材料。(M1是选自Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、中的至少一种元素，M2是选自Ga、Al、Ti、Ge、Si、Pt中的至少一种元素，a满足1.0≤a≤1.5，b满足0≤b≤0.5)。
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公开(公告)号：CN1165922C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00122520.0
申请日：2000-08-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/245
Abstract: 本发明涉及磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子，提供抑制了晶体缺陷发生的磁性石榴石单晶和提高消光比的法拉第转子。本发明的目的是通过使用用液相外延生长法生长，并用一般式BiaPbbM3-a-bFe5-c-dM4cPtdO12(式中的M3是从Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出来的至少一种元素，M4是从Ga、Al、Sc、Ge、Si中选出来的至少一种元素，a、b、c、d分别为：0＜a＜3.0，0＜b≤2.0，0≤c≤2.0，0＜d≤2.0)表示的磁性石榴石单晶实现的。
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公开(公告)号：CN1310349A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN01104751.8
申请日：2001-02-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明涉及利用使用磁性石榴石材料的光磁效应的光磁器件,提供在单晶膜生长时或研磨加工时不产生裂纹的磁性石榴石材料。还提供光磁器件,它是在波长λ(1570nm≤λ≤1620nm)的光入射时法拉第旋转角θ为44deg≤θ≤46deg的光磁器件。用通式BiaM13－aFe5－bM2bO12表示的磁性石榴石材料。(M1是选自Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、中的至少一种元素,M2是选自Ga、Al、Ti、Ge、Si、Pt中的至少一种元素,a满足1.0≤a≤1.5,b满足0≤b≤0.5)。
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公开(公告)号：CN106661762A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042856.8
申请日：2015-08-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B1/02 , C30B1/10 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B29/20 , C30B29/38 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L21/02658
Abstract: 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化钠基板上时能够制作出更高质量的结晶那样AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。通过在氧化铝基板表面形成包含碳含有相的AlN层从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。
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