公开(公告)号：CN112746324A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010530643.2

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法。晶片是具有基于(0001)面呈从0度到15度中选择的角度的偏角的晶片，测量点是将所述晶片的表面以10mm以下的一定间隔划分的多个地点，目标区域是共享所述晶片的中心并且半径为所述晶片半径的70％圆的内部区域，所述测量点位于所述目标区域，所述测量点的摇摆曲线具有峰和半峰宽，ω角的平均值是目标区域中测量点的峰具有的ω角的平均值，所述半峰宽是基于所述ω角的平均值的值，所述目标区域包括95％以上的测量点，其半峰宽为‑1.5到1.5度。可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有优异特性的单晶碳化硅晶片。

公开(公告)号：CN116648530A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180088211.3

申请日：2021-12-06

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 刘日焕 ,  郑周永 ,  甄明玉 ,  柳智娟 ,  吴丞培

IPC: C25D1/04

Abstract: 根据示例性实施方案的经表面处理的铜箔包括铜箔层和在铜箔层的一个表面上形成的突起层。在突起层中或在铜箔层与突起层之间的边界周围形成孔。通过所述孔可以防止突起的异常生长，从而可以使与绝缘层的结合强度增强。

公开(公告)号：CN116601200A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180079463.X

申请日：2021-11-23

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 裵栽荣 ,  金正武 ,  韩赫熙 ,  明正焕 ,  柳景桓 ,  郑周永 ,  柳智娟 ,  甄明玉

IPC: C08G18/70

Abstract: 根据示例性实施方案的多硫醇组合物包括主多硫醇化合物和分子量高于主多硫醇化合物的分子量的副化合物。对应于副化合物的在230nm波长处获得的高效液相色谱(HPLC)分析谱图中保留时间在34至40分钟的范围内的峰面积(％)为2.5％以下。通过精细控制副化合物，可以制造具有优异的透射率和光学性质的光学产品。

公开(公告)号：CN112746314A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010530647.0

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  沈钟珉 ,  梁殷寿 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。

公开(公告)号：CN108673332A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810493335.X

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26

CPC classification number: B24B37/24 ,  C08G18/10 ,  C08G18/2027 ,  C08G18/3243 ,  C08G2101/0066 ,  C08J9/32 ,  C08J2203/22 ,  C08J2205/044 ,  C08J2205/05 ,  C08J2207/00 ,  C08J2375/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L23/53257 ,  B24B37/26

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为101‑250MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。

公开(公告)号：CN107108227A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004414.9

申请日：2016-03-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴岐伦 ,  甄明玉 ,  金政圭 ,  徐正斗 ,  白种甲 ,  朴钟辉 ,  吴浚禄

IPC: C01B32/20 ,  C01B32/205

Abstract: 本申请提供一种石墨片，该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外，本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性，并且制造成本低，因此具有经济优势。

公开(公告)号：CN116194535A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180063797.8

申请日：2021-09-16

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 裵栽荣 ,  金正武 ,  韩赫熙 ,  明正焕 ,  柳景桓 ,  郑周永 ,  甄明玉 ,  柳智娟

IPC: C08L75/04

Abstract: 根据示例性实施方案的多硫醇组合物包括第一多硫醇化合物和分子量高于第一多硫醇化合物的分子量且官能团数量大于或等于第一多硫醇化合物的官能团数量的第二多硫醇化合物。第二多硫醇化合物的含量基于第一多硫醇化合物的重量为500ppm至20,000ppm。可以通过第二多硫醇化合物控制异氰酸酯系化合物的反应速率，从而防止光学产品的条纹现象并且光学产品的机械性质可以得到改善。

公开(公告)号：CN112695384A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010531605.9

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B29/66 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括：本体部，包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于本体部另一截面上，并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面；本体部另一截面包括一端点和另一端点，一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点，另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点，一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上，作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。

公开(公告)号：CN107108227B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201680004414.9

申请日：2016-03-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴岐伦 ,  甄明玉 ,  金政圭 ,  徐正斗 ,  白种甲 ,  朴钟辉 ,  吴浚禄

IPC: C01B32/20 ,  C01B32/205

Abstract: 本申请提供一种石墨片，该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外，本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性，并且制造成本低，因此具有经济优势。

公开(公告)号：CN108581822A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5-2.5mm，具有平均直径为10-60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7-0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45-65Shore D，抗拉强度为15-25N/mm2，延伸率为80-250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30-100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1-10μm的深度。