公开(公告)号：CN111304745A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910643497.1

申请日：2019-07-17

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  金政圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈

IPC: C30B29/36 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明涉及一种晶锭的制备装置以及使用该装置的碳化硅单晶锭的制备方法，所述晶锭的制备装置包括：坩锅主体，具有开放部且容纳原料；盖子组装体，位于所述开放部且至少一部分固定于所述坩锅主体，所述晶锭的制备装置的特征在于，所述盖子组装体包括：布置孔，上下贯通；外缘构件，以包围所述布置孔的圆周的方式沿着所述开放部的圆周布置；及芯构件，位于所述布置孔且以所述外缘构件为基准上下移动。通过适用所述晶锭的制备装置，可以提供进一步大口径的高质量单晶锭。

公开(公告)号：CN113322521A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202011098008.8

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  梁殷寿 ,  李演湜

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。

公开(公告)号：CN112746317A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010531592.5

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  沈钟珉 ,  梁殷寿 ,  李演湜 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  B28D5/00 ,  B24B29/02 ,  B24B9/06

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm2)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。

公开(公告)号：CN112639174A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056925.9

申请日：2019-07-26

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 崔正宇 ,  金政圭 ,  具甲烈 ,  高上基 ,  张炳圭

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B35/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/36 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20

Abstract: 实施方案涉及一种生长半绝缘SiC单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将涂覆有碳化硅(SiC)和碳基材料的掺杂剂放入包含固定有籽晶的反应容器中；以及(2)在所述籽晶上生长SiC单晶，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将包含含碳聚合物树脂、溶剂、掺杂剂和碳化硅(SiC)的组合物置于反应容器中；(b)固化所述组合物；(c)在固定于所述反应容器中的所述籽晶上生长SiC单晶锭，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种用于生长SiC单晶锭的装置，其中所述装置能够生产高质量的SiC单晶锭，所述高质量的SiC单晶锭包括通过SiC组合物的碳化或石墨化产生的多孔体，因此当SiC单晶锭的直径较大时，仍然具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN112391674A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010806156.4

申请日：2020-08-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 高上基 ,  金政圭 ,  张炳圭 ,  具甲烈 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的实施例涉及晶种附着方法，包括：步骤(1)，在锭生长的晶种的一面附着保护膜；步骤(2)，在上述晶种的另一面涂敷粘结组合物；步骤(3)，进行第一固化，即对上述晶种进行热处理；步骤(4)，去除上述保护膜；步骤(5)，进行第二固化，即对上述晶种进行热处理；以及步骤(6)，使上述晶种附着于晶种支架，从而可在碳化硅单晶锭生长时提高生长稳定性及质量。

公开(公告)号：CN113512759A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202011099175.4

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，在碳化硅晶锭的制造过程中，在使反应容器的内部空间减压以升温的步骤中，在特定内部空间的上部和下部之间形成温度差。通过根据本发明的碳化硅晶锭的制造方法，可以使作为碳化硅晶锭的后表面的籽晶面的损失最小化，并且可以制造具有较少缺陷和良好晶体质量的碳化硅晶锭。

公开(公告)号：CN113512758A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202011099174.X

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，其中，在碳化硅晶锭的制造过程中，在正式生长晶锭的步骤下，通过将加热单元以规定速度移动，以根据晶锭的生长改变反应容器内部的温度分布。

公开(公告)号：CN113122930A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010294353.2

申请日：2020-04-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明实例的坩埚可扩大内部直径，从而，当进行碳化硅粉末的热处理时，不会发生因膨胀及收缩导致的坩埚的损伤。因此，利用上述坩埚来获取碳化硅粉末的烧结体，基于此，可使单晶碳化硅锭生长，由此可提高工序的有效性。

公开(公告)号：CN112210824A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010531612.9

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。