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公开(公告)号：CN1178100C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN02142000.9
申请日：2002-09-02
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 奥村展
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/136227 , Y10S438/94
Abstract: 通过涂覆和烘干在设有薄膜晶体管(16)的基片(14)上形成平坦的有机绝缘层(18)。接着，在有机绝缘层(18)上照射脉冲型激光束，通过烧蚀在有机绝缘层(18)上形成接触孔(18a)和波纹(18b)。形成的波纹(18b)具有至少四个高度等级。
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公开(公告)号：CN1484070A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN02142698.8
申请日：2002-09-18
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02B5/30 , G02B3/00
Abstract: 提供了一种LCD器件。在入射面上准直光产生器由入射光产生准直光，并且第一偏振光控制器的第一偏振片由准直光产生第一偏振光。第一偏振光控制器的第一四分之一波片由第一偏振光产生第二偏振光。由此产生的第二偏振光通过液晶层到达出射面。在出射面上，第二偏振光通过第二偏振光控制器的第二四分之一波片和第二四分之一波片。因此，第二偏振光的偏振态返回到其初始态。
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公开(公告)号：CN1472579A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02127312.X
申请日：2002-07-31
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
Abstract: 一种有源矩阵基片，包括由树脂构成的基片(1)和在基片(1)上形成的多晶硅薄膜二极管(11)。多晶硅薄膜二极管(11)可以是在中心具有掺杂区的横向二极管。作为选择，多晶硅薄膜二极管(11)可以由并行电连接的并在对置方向设置的两个横向二极管构成。
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公开(公告)号：CN101521156A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910118260.8
申请日：2006-02-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 奥村展
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , G01N21/25 , G01N21/55
CPC classification number: H01L21/02691 , H01L21/02678 , H01L22/12 , H01L27/1285
Abstract: 一种用于将无定形硅膜变为多晶硅膜的方法包括下述步骤：将细长的脉冲激光束辐射到硅膜上，同时在垂直于细长的脉冲激光束的长轴的方向上扫描，从而形成多个辐射区域；在平行于长轴的方向上将平面光辐射到辐射区域上；以及分析来自辐射区域的反射光的分布，从而确定微结晶阈值。使用该阈值进一步确定用于状态改变工序的细长的脉冲激光束的能量密度。
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公开(公告)号：CN1461048A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03137819.6
申请日：2003-05-21
Applicant: NEC液晶技术株式会社 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。在透明绝缘基片(1)上形成由多晶硅构成的半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)后，使半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)成为岛状图案，形成岛状部分，第1栅极氧化膜(6)和半导体膜(5)侧端面不齐，第1栅极氧化膜(6)的端部从半导体膜(5)的侧端面的位置稍微突出形成屋檐状的伸出部分(8)。一面从形成这个半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)的透明绝缘基片(1)上方例如在30[sec]的时间内滴下浓度为1[％]的氢氟酸水溶液，一面以200[rpm]的旋转速数旋转透明绝缘基片(1)，进行旋转清洗。因此，能够在清洗同时除去伸出部分(8)。通过确实地除去伸出部分提高成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100481332C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610009346.3
申请日：2006-02-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 奥村展
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/00 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , H01L21/02678 , H01L22/12 , H01L27/1285
Abstract: 一种用于将无定形硅膜变为多晶硅膜的方法包括下述步骤：将细长的脉冲激光束辐射到硅膜上，同时在垂直于细长的脉冲激光束的长轴的方向上扫描，从而形成多个辐射区域；在平行于长轴的方向上将平面光辐射到辐射区域上；以及分析来自辐射区域的反射光的分布，从而确定微结晶阈值。使用该阈值进一步确定用于状态改变工序的细长的脉冲激光束的能量密度。
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公开(公告)号：CN1309030C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03178470.4
申请日：2003-07-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 奥村展
IPC: H01L21/324 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026
Abstract: 一种形成具有至少一个对准标记的半导体薄膜的方法，包括：照射第一激光束到初始半导体薄膜上，以形成用于半导体器件或元件的第一照射区域；以及以不和第一照射区域重叠的方式照射第二激光束到初始半导体薄膜上，从而在初始半导体薄膜上形成用于对准标记的第二照射区域；其中第二激光束以和第一激光束同轴的方式照射到初始半导体薄膜上；以及，由于初始半导体薄膜的第二照射区域和未照射区域之间的光学常数差，对准标记在初始半导体薄膜的第二照射区域和未照射区域之间有边界，未照射区域围绕或毗邻第二照射区域。所述的薄膜最好由非晶硅或者多晶硅制成。
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公开(公告)号：CN1909249A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610110138.2
申请日：2006-08-07
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1233 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 一种具有TFT的半导体器件，包括基板，在基板上或在基板上方用作TFT的有源层的岛状半导体薄膜，在半导体薄膜中形成的一对源/漏区，以及在半导体薄膜中的源/漏区对之间形成的沟道区。源/漏区对比除该源/漏区之外的半导体薄膜的剩余部分薄。源/漏区对和半导体薄膜的剩余部分之间的厚度差值处于10埃()至100埃的范围内。这减小了总的工序步骤并提高了器件的工作性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN1244162C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN03103798.4
申请日：2003-02-24
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 奥村展
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，沟道蚀刻薄膜晶体管具有：源极，其包括源极主部和源极引线部；以及漏极，其包括漏极主部和漏极引线部。源极引线部和漏极引线部中的至少一个具有侧接触部，该侧接触部直接与有源层的侧壁接触。侧接触部的平均宽度比源极主部和漏极主部中的对应一方的平均宽度窄。
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公开(公告)号：CN1221844C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02127312.X
申请日：2002-07-31
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/3205
Abstract: 一种有源矩阵基片，包括由树脂构成的基片(1)和在基片(1)上形成的多晶硅薄膜二极管(11)。多晶硅薄膜二极管(11)可以是在中心具有掺杂区的横向二极管。作为选择，多晶硅薄膜二极管(11)可以由并行电连接的并在对置方向设置的两个横向二极管构成。
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