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公开(公告)号：CN1472579A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02127312.X
申请日：2002-07-31
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
Abstract: 一种有源矩阵基片，包括由树脂构成的基片(1)和在基片(1)上形成的多晶硅薄膜二极管(11)。多晶硅薄膜二极管(11)可以是在中心具有掺杂区的横向二极管。作为选择，多晶硅薄膜二极管(11)可以由并行电连接的并在对置方向设置的两个横向二极管构成。
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