公开(公告)号：CN1312515C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02142698.8

申请日：2002-09-18

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展 ,  铃木成嘉

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02B5/30 ,  G02B3/00

Abstract: 提供了一种LCD器件。在入射面上准直光产生器由入射光产生准直光，并且第一偏振光控制器的第一偏振片由准直光产生第一偏振光。第一偏振光控制器的第一四分之一波片由第一偏振光产生第二偏振光。由此产生的第二偏振光通过液晶层到达出射面。在出射面上，第二偏振光通过第二偏振光控制器的第二四分之一波片和第二四分之一波片。因此，第二偏振光的偏振态返回到其初始态。

公开(公告)号：CN1828838A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610009346.3

申请日：2006-02-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02678 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种用于将无定形硅膜变为多晶硅膜的方法包括下述步骤：将细长的脉冲激光束辐射到硅膜上，同时在垂直于细长的脉冲激光束的长轴的方向上扫描，从而形成多个辐射区域；在平行于长轴的方向上将平面光辐射到辐射区域上；以及分析来自辐射区域的反射光的分布，从而确定微结晶阈值。使用该阈值进一步确定用于状态改变工序的细长的脉冲激光束的能量密度。

公开(公告)号：CN1476062A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03178470.4

申请日：2003-07-16

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0613 ,  B23K2101/007 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种形成半导体薄膜的方法，用于在激光退火工艺中建立对准标记。第一激光束照射到半导体薄膜上，形成第一照射区域。与第一激光束同轴的第二激光束以不和第一照射区域重叠的方式照射到薄膜上，从而形成第二照射区域和未照射区域。通过使用第二照射区域和未照射区域之间的光学常数差异来形成对准标记。第二激光束可以按照与第一照射区域重叠的方式照射到薄膜上，其中通过使用第一和第二照射区域之间、或者第二照射区域和未照射区域之间的光学常数差异来形成对准标记。所述的薄膜最好由非晶硅或者多晶硅制成。

公开(公告)号：CN100544030C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200510092749.4

申请日：2003-02-24

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，该沟道蚀刻薄膜晶体管具有：栅极，其位于基板的上方；栅极绝缘膜，其在所述栅极和所述基板的上方延伸；有源层，其包括沟道区，该沟道区位于所述栅极绝缘膜的上方；源区和漏区，其位于所述有源层上；源极，其与所述源区连接，且所述源极包括：源极主部，其与所述源区接触，以及源极引线部，其从所述源极主部延伸；以及漏极，其与所述漏区连接，且所述漏极包括：漏极主部，其与所述漏区接触，以及漏极引线部，其从所述漏极主部延伸；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个通过层间绝缘体与所述有源层的侧壁分离。

公开(公告)号：CN1734791A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510092749.4

申请日：2003-02-24

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，该沟道蚀刻薄膜晶体管具有：栅极，其位于基板的上方；栅极绝缘膜，其在所述栅极和所述基板的上方延伸；有源层，其包括沟道区，该沟道区位于所述栅极绝缘膜的上方；源区和漏区，其位于所述有源层上；源极，其与所述源区连接，且所述源极包括：源极主部，其与所述源区接触，以及源极引线部，其从所述源极主部延伸；以及漏极，其与所述漏区连接，且所述漏极包括：漏极主部，其与所述漏区接触，以及漏极引线部，其从所述漏极主部延伸；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个通过层间绝缘体与所述有源层的侧壁分离。

公开(公告)号：CN1457103A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03130906.2

申请日：2003-05-08

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种由具有薄膜部分和厚膜部分的多晶硅膜形成的薄膜晶体管，薄膜部分最少被用作沟道部分。由具有完全熔化薄膜部分而不完全熔化厚膜部分的能量密度的激光退火形成多晶硅膜。因为从薄膜部分和厚膜部分之间的边界生长的大粗晶粒形成沟道部分，可能的是使用传统的激光退火设备来容易地获得高载流子迁移率和低泄漏电流等。

公开(公告)号：CN101750647A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258355.X

申请日：2009-12-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: G02B3/06 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/134336 ,  B29D11/00365 ,  B29D11/00451 ,  G02B3/0018 ,  G02B3/005 ,  G02F1/133526

Abstract: 本发明涉及透镜片和显示面板。本发明的目的在于抑制通过使用紫外固化树脂形成的柱镜光栅式透镜片的错误成形，这种错误成形是由于柱面透镜的纵横比增加和固化收缩的各向异性导致的。在柱面透镜中设置凹口部分，该凹口部分用于沿着柱面透镜的主轴方向(延伸方向)以伪方式划分柱面透镜，从而抑制树脂固化收缩的各向异性。

公开(公告)号：CN101556398A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910132579.6

申请日：2009-04-07

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展 ,  金子节夫

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  C03C15/00

CPC classification number: G02F1/133526 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/005 ,  G02B27/2214

Abstract: 本发明涉及液晶显示面板及其制造方法。本发明提供一种能够在低成本和良好产量下制造具有以合成一体的方式形成的柱镜光栅式透镜和基板的液晶显示面板的结构和制造方法。当通过使用湿法蚀刻方法而将柱镜光栅式透镜形成到母CF基板上时，基板被浸入蚀刻溶液中，同时以如此方式被立起，即，使得掩模的狭缝开口部的长度方向与竖直方向对准，并且不具有任何掩模图案的区域到达底侧上。由此，能够沿着柱镜光栅式透镜形状朝向下侧排出由于玻璃杂质而产生的残余以将其排放到平坦区域，这使得能够抑制经蚀刻处理的形状的劣化。

公开(公告)号：CN1319178C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03130906.2

申请日：2003-05-08

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种由具有薄膜部分和厚膜部分的多晶硅膜形成的薄膜晶体管，薄膜部分最少被用作沟道部分。由具有完全熔化薄膜部分而不完全熔化厚膜部分的能量密度的激光退火形成多晶硅膜。因为从薄膜部分和厚膜部分之间的边界生长的大粗晶粒形成沟道部分，可能的是使用传统的激光退火设备来容易地获得高载流子迁移率和低泄漏电流等。

公开(公告)号：CN1212654C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03137819.6

申请日：2003-05-21

Applicant: NEC液晶技术株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 奥村展 ,  盐田国弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。在透明绝缘基片(1)上形成由多晶硅构成的半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)后，使半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)成为岛状图案，形成岛状部分，第1栅极氧化膜(6)和半导体膜(5)侧端面不齐，第1栅极氧化膜(6)的端部从半导体膜(5)的侧端面的位置稍微突出形成屋檐状的伸出部分(8)。一面从形成这个半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)的透明绝缘基片(1)上方例如在30[sec]的时间内滴下浓度为1[%]的氢氟酸水溶液，一面以200[rpm]的旋转速数旋转透明绝缘基片(1)，进行旋转清洗。因此，能够在清洗同时除去伸出部分(8)。通过确实地除去伸出部分提高成品率。