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公开(公告)号：CN101641797B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200880009328.2
申请日：2008-03-18
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 朴铉定
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/056 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，其包括含有高K电介质的背面反射层。该背面反射层包括含有HfO2或ZrO2的反射膜以及含有HfSixOy、ZrSixOy或SiO2的背面钝化层。反射膜与背面钝化层形成在其上输入太阳光线的基板的后侧。因此，太阳能电池表现出极好的太阳光线的光学捕获以及较低的后侧载流子重新结合率。同时，由于反射膜与背面钝化层具有极好的热稳定性，因此有可能通过应用如热处理等的各种工艺来形成电极。
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公开(公告)号：CN101641797A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009328.2
申请日：2008-03-18
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 朴铉定
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/056 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，其包括含有高K电介质的背面反射层。该背面反射层包括含有HfO 2 或ZrO 2 的反射膜以及含有HfSixOy、ZrSixOy或SiO 2 的背面钝化层。反射膜与背面钝化层形成在其上输入太阳光线的基板的后侧。因此，太阳能电池表现出极好的太阳光线的光学捕获以及较低的后侧载流子重新结合率。同时，由于反射膜与背面钝化层具有极好的热稳定性，因此有可能通过应用如热处理等的各种工艺来形成电极。
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公开(公告)号：CN108847425A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810629656.8
申请日：2016-10-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/0745
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，各个太阳能电池包括半导体基板以及在半导体基板的后表面上延伸的第一电极和第二电极；第一导电线，所述第一导电线通过第一导电粘合层在所述第一电极与所述第一导电线之间的交叉处连接到所述第一电极；第二导电线，所述第二导电线通过第一导电粘合层在所述第二电极与所述第二导电线之间的交叉处连接到所述第二电极；以及电池间连接器，所述电池间连接器在彼此相邻的第一太阳能电池和第二太阳能电池之间延伸。连接到第一太阳能电池的第一导电线以及连接到第二太阳能电池的第二导电线共同连接到电池间连接器。
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公开(公告)号：CN104124302B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410165536.9
申请日：2014-04-23
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的一个表面上；第一导电类型区域，该第一导电类型区域在隧穿层上；第二导电类型区域，该第二导电类型区域在隧穿层上，使得第二导电类型区域与第一导电类型区域分开；以及阻挡区域，该阻挡区域插入在第一导电类型区域与第二导电类型区域之间，使得阻挡区域将第一导电类型区域与第二导电类型区域分开。
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公开(公告)号：CN104702207A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410858131.3
申请日：2014-12-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10 , G01R19/0092 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50 , H02S50/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测量太阳能电池电流的太阳能电池测量设备。该太阳能电池具有光电转换器和彼此电绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均位于光电转换器的一个表面处。太阳能电池测量设备包括：测量单元，该测量单元包括对应于第一电极的第一测量构件和对应于第二电极的第二测量构件，其中，第一测量构件和第二测量构件在光电转换器的表面处与太阳能电池紧密接触，以用于测量太阳能电池的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104103699A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410130976.0
申请日：2014-04-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。
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公开(公告)号：CN101840962A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010178414.5
申请日：2006-10-30
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 朴铉定
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种高效太阳能电池。更具体地，提供了一种包括第一导电型半导体基板、在第一导电型半导体基板上形成且具有与该基板导电型相反导电型的第二导电型半导体层、在其间界面上的p-n结、与第一导电型半导体基板的至少一部分接触的后电极、与第二导电型半导体层的至少一部分接触的前电极及在第一导电型半导体基板的后表面和/或第二导电型半导体层的前表面上顺序形成的氮氧化硅钝化层和氮化硅减反射层的太阳能电池及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101611497A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780046006.0
申请日：2007-07-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02167 , G02B1/113 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳电池包括：p－n结构，其由第一导电型半导体基板、第二导电型半导体层以及p－n结形成，该第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体基板上，导电类型与上述第一导电型半导体基板相反，该p－n结形成于上述第一导电型半导体基板和第二导电型半导体层之间的界面上；钝化层，其形成于上述第二导电型半导体层上，含有氮氧化硅来构成，折射率为1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述钝化层上，含有氮化硅来构成；前电极，其贯穿上述钝化层和防反射膜的一部分，与上述第二导电型半导体层相连，向外部露出；以及背电极，其隔着上述第一导电型半导体基板，在与上述前电极的相反侧，与上述第一导电型半导体基板连接。
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公开(公告)号：CN111416004A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010016712.8
申请日：2020-01-08
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板。讨论了一种太阳能电池，包括：半导体基板，其具有倾斜部；第一导电类型区域和第二导电类型区域，其在半导体基板的一个表面处或半导体基板的一个表面上形成；第一电极，其连接到至半导体基板的一个表面上的第一导电类型区域；以及第二电极，其连接至半导体基板的一个表面上的第二导电类型区域。第一电极和第二电极中的至少一个包括指状部，该指状部包括在第一方向上延伸的多个内指状部和邻近半导体基板的边缘在第一方向上延伸的多个外指状部；以及连接部，其连接在半导体基板的邻近倾斜部的一侧上的多个外指状部中的至少一些。
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公开(公告)号：CN111276551A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911227340.7
申请日：2019-12-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池板。提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体基板、位于所述半导体基板中或所述半导体基板的导电区域以及电连接至所述导电区域的电极。所述电极包括第一电极部以及位于所述第一电极部上方的第二电极部。所述第二电极部包括：颗粒连接层，所述颗粒连接层通过连接包括第一金属的多个颗粒而形成；以及覆盖层，所述覆盖层包括与所述第一金属不同的第二金属并且至少覆盖所述颗粒连接层的外表面。
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