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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1824462A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610057704.8
申请日：2006-02-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 一种化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中，通过改变前述水系分散体(I)和前述水溶液(II)的混合比来改变研磨速度。
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公开(公告)号：CN101410956B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200780011576.6
申请日：2007-03-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，含有(A)磨粒、(B)有机酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化剂及(E)水，并且所述(C)水溶性高分子的重均分子量为50,000～5,000,000。
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公开(公告)号：CN101597477A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910145201.X
申请日：2009-05-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L23/498 , H01L21/48 , H05K3/26
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体、电路基板及其制造方法。该化学机械研磨用水系分散体很好地用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，研磨铜或铜合金的速度非常快，且得到的电路基板的平坦性良好。本发明的化学机械研磨用水系分散体，用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，含有：(A1)有机酸和有机酸盐中的至少1种、(B1)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少1种、(C1)氧化剂和(D1)磨料，相对于所述化学机械研磨用水系分散体，所述(A1)成分的浓度MA1(质量％)和所述(D1)成分的浓度MD1(质量％)具有如下关系：MA1/MD1＝1～30；pH值为8～12。
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公开(公告)号：CN101410956A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011576.6
申请日：2007-03-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，含有(A)磨粒、(B)有机酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化剂及(E)水，并且所述(C)水溶性高分子的重均分子量为50,000～5,000,000。
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公开(公告)号：CN1974636A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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