一种电吸收调制激光器和光模块

    公开(公告)号:CN218549071U

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202222484594.0

    申请日:2022-09-19

    Inventor: 王火雷 章力明

    Abstract: 本申请实施例公开了一种电吸收调制激光器和光模块,电吸收调制激光器,包括:衬底和并排设置于衬底上方的DFB量子阱、EAM量子阱。N面电极,设置于衬底的下方。光栅层,设置于DFB量子阱上方。导电覆盖层,设置于光栅层与EAM量子阱上方。高反射镀膜层、增透镀膜层,与N面电极、导电覆盖层形成闭合空间;增透镀膜层与导电覆盖层之间设置窗口区域;窗口区域包括:InP填充区和InGaAs吸光区;InP填充区位于衬底与InGaAs吸光区之间。信号光在InP窗口区域出射光由波导光变为空间光传输,从而减小了出光面的端面反射,同时InGaAs吸光区可避免信号光经InP窗口区域射出从而形成侧光斑,提高光的耦合效率。

    一种激光芯片及光模块
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217182628U

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202221333511.1

    申请日:2022-05-30

    Inventor: 章力明

    Abstract: 本申请提供的一种激光芯片及光模块中,激光芯片包括衬底层,衬底层上表面由内而外依次设有台面结构、掩埋层和阻挡层,掩埋层包括第一连接面和第二连接面,本申请通过掩埋层可包裹台面结构的外表面,这样在得到台面结构后,通过掩埋层可以将台面结构的刻蚀面保护起来,同时在掩埋层的空白区域内填充有阻挡层,阻挡层可进一步将台面结构的刻蚀面保护起来;以避免台面结构外表面被空气氧化,降低在得到台面结构后续过程中再生长和刻面涂层的难度,同时由于台面结构外表面被空气强化程度降低,可改善表面形貌,进而保证AlInGaAs量子阱激光芯片的性能。

    一种激光芯片及光模块

    公开(公告)号:CN216251625U

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202122905995.4

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本申请实施例提供的激光芯片及光模块中,激光芯片表面设置有至少两个激光器,其中一个所述激光器包括增益区和光栅区,光栅区设有电极,通过电极向光栅区输入不同电流以输出不同波长光束,进而向相对短波长方向增加光栅自身的波长调制范围;另一个所述激光器包括增益区和光栅区,且光栅区的光波导延伸方向相对于出光方向倾斜,通过改变倾斜角大小以输出不同波长的第二光束,通过采用斜波导设计,实现向相对长波长方向增加波长调制范围。本申请可以实现在激光芯片层次集成激光器,实现单颗芯片多路激光器同时工作,提高芯片的集成密度,且可以通过载流子注入变化和斜波导共同实现波长的精确调制。

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