公开(公告)号：CN118315418A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311653611.1

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  吴傲 ,  曾祥伟 ,  魏子凯 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种集成双自偏置MOS的低功耗SJ‑LIGBT器件，属于半导体领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑drift区、P‑pillar区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑pillar区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑drift区作为衬底。该器件集成的自偏置NMOS由N+区、P‑body区、N‑drift区以及NMOS栅氧化层组成，其中N+区作为源极，N‑drift区作为漏极，P‑body区作为衬底。本发明的导通压降相比传统SJ‑LIGBT器件降低了32％，在相同导通压降下本发明的关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了74％。

公开(公告)号：CN117747649A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311653605.6

申请日：2023-12-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  曾祥伟 ,  吴傲 ,  魏子凯 ,  张红升

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种可独立设计FWD的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该RC‑LIGBT器件包括LIGBT区域和反向续流区域，反向续流区域包括可独立安装于该区域的反向续流部分，所述反向续流部分被配置为pin二极管续流部分、MPS续流部分或MOS Channel Diode续流部分。本发明的LIGBT器件正向导通时由于没有传统RC‑LIGBT的集电区N+部分，从根本上抑制了负阻效应的产生，并且无闩锁效应；并且反向导通时，当VEC>Vth时，可独立设计的续流二极管部分开启，为期间提供反向电流；并且此IGBT反向导通部分可以独立设计来得到不同的反向性能和特征而不影响器件的正向性能。

公开(公告)号：CN115458593A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211318477.5

申请日：2022-10-26

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  魏子凯 ,  林徐葳

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P型埋层、普通MOS区、自偏置PMOS区以及阳极区。衬底、埋氧层、漂移区自下而上依次设置，P型埋层设置在漂移区内，被漂移区完全包裹。普通MOS区与自偏置PMOS区相邻，阳极区位于器件的右上侧。本发明通过集成自偏置PMOS区域能够在阳极电压增加时，降低器件的饱和电流；在器件关断时降低器件的关断损耗；在短路工作时提高器件的短路工作特性。