公开(公告)号：CN115036307A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210506312.4

申请日：2022-05-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  魏子凯 ,  林徐葳 ,  秦海峰

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。

公开(公告)号：CN114937666A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210517761.9

申请日：2022-05-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  林徐葳 ,  秦海峰 ,  魏子凯 ,  张红升

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明的LIGBT器件，具有以下结构及性能特征：(1)反向导通MOS与低关断损耗MOS均包含N‑base﹑P‑base和N+集电极，金属栅极通过多晶硅层分别与N‑base和N+集电极短接，无需额外栅信号控制。(2)正向导通时，无负阻效应；反向导通时，当VGS,RC>VTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FC>VTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，减小了关断时间，降低了关断损耗。