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公开(公告)号：CN117423739A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311397316.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/07
Abstract: 本发明涉及一种具有载流子存储层结构快速关断的分裂栅LIGBT器件，属于半导体功率器件领域。该LIGBT器件通过增加载流子存储结构使得大量空穴在阴极侧区域积累，从而降低器件的正向导通压降并降低器件的关断损耗，同时通过在器件中增加P型埋层以优化器件的体内电场分布，有效提升了器件的耐压特性。此外，器件中的dummy‑gate与阴极侧凸形P+、P型埋层形成PMOS结构，在关断时快速抽取体内空穴，进一步减少了器件在关断过程的关断时间与关断损耗。
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