公开(公告)号：CN117783802A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311715497.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  成亮 ,  敖华阳 ,  顾璐 ,  张航 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  简洋 ,  郭磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号，并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET，并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭，并接收参数信号，并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

公开(公告)号：CN117423668A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311391331.8

申请日：2023-10-24

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 成亮 ,  陈云乔 ,  敖华阳 ,  张航 ,  顾璐

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请提供一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；驱动芯片，设置于所述金属框架上；两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。本申请可提高器件的散热性能，保证器件运行的稳定性。