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公开(公告)号:CN102897874A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201110216987.7
申请日:2011-07-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C02F1/4674 , C02F1/4691 , C02F2001/46133 , C02F2201/4613
Abstract: 本发明涉及一种制备杀菌剂的方法,其包括:将第一电容电极和第一非电容电极置于包含氯化钠、溴化钠、氯化钾和溴化钾中至少一种的第一水溶液;在第一电容电极作为阴极、第一非电容电极作为阳极时向第一电容电极和第一非电容电极施加第一电流以电解第一水溶液产生氯和溴中的至少一种;在第一电容电极作为阳极、第一非电容电极作为阴极时向第一电容电极和第一非电容电极施加第二电流以电解第一水溶液产生氢气;且在第一电容电极饱和前进行第一电容电极和第一非电容电极的极性的转换。
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公开(公告)号:CN102953081B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201110255648.X
申请日:2011-08-31
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: Y02P10/234 , Y02W30/827
Abstract: 本发明涉及一种用来从一个或多个包括碲化镉的模组中分别回收碲和镉的方法。该方法包括以下步骤:(a)将模组置于电解液中;(b)将电解液中的碲和镉中的第一种元素沉积到第一个工作电极上;以及(c)将电解液中的碲和镉中的第二种元素沉积到第二个工作电极上。
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公开(公告)号:CN102234811B
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN201010162679.6
申请日:2010-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: C25B1/00
CPC classification number: C22B7/008 , C22B3/045 , C22B3/12 , C22B3/20 , C22B17/04 , C22B61/00 , H01L31/0296 , Y02P10/234 , Y02W30/827
Abstract: 从含碲化镉组件中回收碲的方法包括:用pH值约为9以上的电解质溶液接触所述含碲化镉组件,用所述电解质溶液接触相对的电极,在所述含碲化镉组件和所属相对的电极之间施加电压差,以导致碲从所述含碲化镉组件中移出并沉积在所述相对的电极上。
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公开(公告)号:CN104348199B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201310331899.0
申请日:2013-08-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H02J7/00
CPC classification number: H02J7/0014 , H02J7/0016 , H02J7/0019 , Y02T10/7055
Abstract: 一种电池系统,其有一个包括M个串联电池的电池模组,还有N个电荷均衡器,其中1
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公开(公告)号:CN103880121B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201210559996.0
申请日:2012-12-20
Applicant: 通用电气公司
IPC: C02F1/461
CPC classification number: C02F1/46109 , C02F1/4674 , C02F2201/46105 , C02F2303/04 , C25B11/0447
Abstract: 本发明涉及一种水处理系统,其包括:电解池,其包括:第一电极;第二电极,其包括包含式I结构单元的聚合物的涂层;及电源,其为第一与第二电极供电;其中,每个R1独立地为C1-C6烷基或者–SO3H;每个R2独立地为C1-C6烷基;每个a独立地为0至4之间的整数;每个b独立地为0至3之间的整数。本发明也涉及相应的水处理方法。
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公开(公告)号:CN103880121A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201210559996.0
申请日:2012-12-20
Applicant: 通用电气公司
IPC: C02F1/461
CPC classification number: C02F1/46109 , C02F1/4674 , C02F2201/46105 , C02F2303/04 , C25B11/0447
Abstract: 本发明涉及一种水处理系统,其包括:电解池,其包括:第一电极;第二电极,其包括包含式I结构单元的聚合物的涂层;及电源,其为第一与第二电极供电;其中,每个R1独立地为C1-C6烷基或者–SO3H;每个R2独立地为C1-C6烷基;每个a独立地为0至4之间的整数;每个b独立地为0至3之间的整数。本发明也涉及相应的水处理方法。
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公开(公告)号:CN103794675A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201210418424.0
申请日:2012-10-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L31/03925 , H01L31/073 , H01L31/1828 , H02S50/00 , H02S50/10 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法,该方法包括以下步骤:将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触;在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差,其中,所述材料源的温度处于第一温度范围,其平均温度为第一平均温度,所述基体的温度处于第二温度范围,其平均温度为第二平均温度,所述第一平均温度高于所述第二平均温度,且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度,使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体上;以及将所述材料源从所述基体上分开,获得一个表面形成有一层所述半导体多晶或无定形材料的基体。
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