一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN104032270B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201410260698.0

    申请日:2014-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法,钌基合金靶材包括Al,Co,Cr等元素中的一种或几种,其余为Ru,钌基合金靶材为圆饼状,其直径不小于100mm,致密度不低于99.5%,且其中心区域与边缘区域的致密度差不超过0.3%,且Ru与其他合金元素形成的第二相均匀的分布在Ru基体相中。所述的钌基合金溅射靶材的制备方法,包括通过气体雾化法制备熔点偏低的脆性相钌基合金粉末,再通过气流磨处理该脆性相获得了细小均匀的合金粉末,最后经粉末烧结制备出直径尺寸在100mm以上的钌基合金靶材,本发明获得的合金靶材杂质含量低,致密度高且均匀,成份分布均匀,晶粒细小均匀,使用该靶材溅射成膜的厚度均匀性,性能稳定以及减少了溅射过程的异常放电现象等。

    一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN104032274A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410260448.7

    申请日:2014-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法,所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素,B元素的含量为0~20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相,其中富B相均匀的分布在富Co相中,所述富Co相的平均晶粒尺寸在20~50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0~20μm;所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法,包括:(1)真空熔炼;(2)热等静压;(3)热机械加工;(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质,所述磁记录介质包括基底层,粘结层,软磁层,中间层和磁记录层,所述磁记录介质的矫顽力为3000~5000Oe,方形度为0.80~095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小,解决了常规制备工艺中轧制开裂,成品率低,合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。

    一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN104018128A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410231799.5

    申请日:2014-05-29

    Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法,所述镍铂合金溅射靶中,铂的含量为0~5原子%,靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米,靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合,且单个方向上的衍射峰强度不大于50%,靶材的透磁率(PTF)在大于40%且在各个不同方向上测量的数值差别在5%以内。所述的镍铂合金溅射靶材,能减少溅蚀现象发生,具有较长的使用寿命,使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性;本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。

    一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN104032274B

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201410260448.7

    申请日:2014-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法,所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素,B元素的含量为0~20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相,其中富B相均匀的分布在富Co相中,所述富Co相的平均晶粒尺寸在20~50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0~20μm;所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法,包括:(1)真空熔炼;(2)热等静压;(3)热机械加工;(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质,所述磁记录介质包括基底层,粘结层,软磁层,中间层和磁记录层,所述磁记录介质的矫顽力为3000~5000Oe,方形度为0.80~095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小,解决了常规制备工艺中轧制开裂,成品率低,合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。

    一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN104032270A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410260698.0

    申请日:2014-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法,钌基合金靶材包括Al,Co,Cr等元素中的一种或几种,其余为Ru,钌基合金靶材为圆饼状,其直径不小于100mm,致密度不低于99.5%,且其中心区域与边缘区域的致密度差不超过0.3%,且Ru与其他合金元素形成的第二相均匀的分布在Ru基体相中。所述的钌基合金溅射靶材的制备方法,包括通过气体雾化法制备熔点偏低的脆性相钌基合金粉末,再通过气流磨处理该脆性相获得了细小均匀的合金粉末,最后经粉末烧结制备出直径尺寸在100mm以上的钌基合金靶材,本发明获得的合金靶材杂质含量低,致密度高且均匀,成份分布均匀,晶粒细小均匀,使用该靶材溅射成膜的厚度均匀性,性能稳定以及减少了溅射过程的异常放电现象等。

Patent Agency Ranking