-
公开(公告)号：CN109216571B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201810736190.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极层、至少一个电子传输层、至少一个电子注入层、阴极层和发光层，其中发光层被布置在阳极层与阴极层之间，其中至少第一电子传输层和注入层被布置在发光层与阴极层之间，其中电子注入层被布置成与第一电子传输层直接接触，其中第一电子传输层被布置得更靠近阳极层并且电子注入层被布置得更靠近阴极层，其中至少第一电子传输层包含有机膦基质化合物和第一零价碱金属；并且电子注入层包含碱土金属和/或稀土金属的第二零价金属，和碱金属卤化物。
-
公开(公告)号：CN108701773B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201780011746.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 杰罗姆·加尼尔 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管(100)，所述有机发光二极管(100)包含：‑至少一个阳极电极(120)；‑至少一个发光层(150)，其中所述发光层包含至少一种发光体掺杂剂，所述发光体掺杂剂在OLED(100)运行时发出可见光；‑至少两个电子传输层(161/162)的电子传输层叠层(160)；其中所述电子传输层叠层(160)布置在所述发光层(150)与所述阴极电极层(190)之间，所述第一电子传输层(161)与所述第二电子传输层(162)直接接触，并且其中所述第一电子传输层(161)布置得更靠近所述发光层(150)且所述第二电子传输层(162)布置得更靠近所述阴极电极层(190)。
-
公开(公告)号：CN111566836A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880082463.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含所述半导体材料的电子器件以及制备所述半导体材料的方法，所述半导体材料包含：(i)至少一种包含二价金属的金属络合物或金属盐；和(ii)至少一种包含二烷基氧化膦基团的基质化合物。
-
公开(公告)号：CN109216571A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810736190.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5056 , H01L51/0045 , H01L51/0054 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L51/0034 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及一种包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极层、至少一个电子传输层、至少一个电子注入层、阴极层和发光层，其中发光层被布置在阳极层与阴极层之间，其中至少第一电子传输层和注入层被布置在发光层与阴极层之间，其中电子注入层被布置成与第一电子传输层直接接触，其中第一电子传输层被布置得更靠近阳极层并且电子注入层被布置得更靠近阴极层，其中至少第一电子传输层包含有机膦基质化合物和第一零价碱金属；并且电子注入层包含碱土金属和/或稀土金属的第二零价金属，和碱金属卤化物。
-
公开(公告)号：CN107851733A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044669.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5004 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5221 , H01L51/5268 , H01L2251/5315 , H01L2251/5353 , H01L2251/554
Abstract: 本发明涉及在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118344290A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410321378.5
申请日：2019-01-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D215/04 , C07C255/50 , C07D235/08 , C07D213/16 , C07D217/02 , C07D277/66 , C07D263/57 , H10K85/60 , H10K50/18 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及用于电子光电器件的有机材料和包含所述有机材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机材料，并且涉及包含所述有机材料的电子器件，具体涉及电致发光器件，具体涉及有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含多取代的苯基部分、具有至少两个稠环的芳基部分、极性部分和这些部分之间的任选连接体。
-
公开(公告)号：CN113563379B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110659744.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的锂络合物(II)，其中A1是C6‑C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30亚杂芳基，并且每个A2和A3独立地选自C6‑C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1‑4任一项的半导体材料。还公开了选自A1至A7和B1至B8的化合物。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN111900255B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010630175.6
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K50/165 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件。具体地，本发明涉及一种在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
-
公开(公告)号：CN108431289B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10‑2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
-
公开(公告)号：CN111602259A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880082306.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.052 seconds)
