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公开(公告)号：CN111675721A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010606847.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 许昌学院
IPC: C07D493/08
Abstract: 本发明公开了一种利用1,2-二芳炔前体合成多取代芳基化合物的方法，将苯胺类化合物A，碳酸钾以及3-(氯甲基)吡啶盐酸盐固相混合均匀，50摄氏度条件下缓慢搅拌，反应12小时后点板监测反应完全；待反应完全，反应粗品直接经硅胶柱层析纯化，得到纯品N，N-双（吡啶-2-基甲基）苯胺类配体化合物C。本发明利用1,2-二芳炔前体生成的第一个芳炔中间体与N,N-二甲基甲酰胺一锅煮进行反应，高效地制备了3-位含醛基取代基团芳炔前体B。本发明首先实现了3-位含醛基取代基团的多取代芳基化合物的合成，在有机物合成和药物合成领域具有广阔的应用前景；其次，此方法合成方法简便，能大量制备。
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公开(公告)号：CN118307011A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410351417.6
申请日：2024-03-26
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种Sn‑Fe普鲁士蓝类似物及其衍生物、负极极片和锂离子电池。所述Sn‑Fe普鲁士蓝类似物的制备方法包括如下步骤：将柠檬酸加入到水中，再加入可溶性Sn盐，作为A溶液，配置K3[Fe(CN)6]和K4[Fe(CN)6]中的至少一种的水溶液作为B溶液；将B溶液加入到A溶液中，搅拌后进行陈化并分离出固相，固相经洗涤后干燥即可。Sn‑Fe普鲁士蓝类似物于空气中煅烧，得到金属氧化物衍生物。制得的Sn‑Fe普鲁士蓝类似物具有较高的比表面积，能够暴露更多活性位点，其衍生金属氧化物仍保持纳米花状的结构，具有高的比表面积和丰富的储锂活性位点，储锂性能优异。
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公开(公告)号：CN116519760A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310451157.5
申请日：2023-04-24
Applicant: 许昌学院
IPC: G01N27/30 , C01B32/184 , C01B25/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂黑磷纳米片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用。首先，将非晶红磷、含氮化合物和氧化石墨烯加入到溶剂中，然后在150～200℃下进行溶剂热反应，反应结束后得到产物，产物经过滤、洗涤后干燥，即制备得到所述氮掺杂黑磷纳米片/石墨烯复合材料。制备得到的氮掺杂黑磷纳米片/石墨烯复合材料修饰在CGE上，用于环境中微量对苯二酚的检测，表现出了优异的灵敏性，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114875390A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210486755.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C16/515 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Sn源进行沉积，得到沉积有Sn源的衬底，所述Sn源为Sn(acac)2；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将硫醇作为硫源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Sn源进行反应，得到纳米SnSx薄膜；(4)向体系中充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的SnSx薄膜。本发明可以在衬底上沉积形成保型性较好的含SnSx沉积层。
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公开(公告)号：CN114006464A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111310995.8
申请日：2021-11-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了变桨系统超级电容异常工况控制方法，属于风力发电技术领域，步骤301、变桨系统中变桨驱动器检测超级电容电压，并计算方差值，通过方差值初步判断超级电容电压是否发生了波动；步骤302、变桨驱动器检测超级电容电压最小值，进一步确认超级电容的电压是否发生了波动；在变桨系统运行、尤其是收桨过程中，由充电器直接为变桨电机提供电能，减少超级电容的耗电，通过变桨电机电流值来监测超级电容的异常工况，由于叶片在正常变桨过程中，变桨电机的电流值波动较小，超级电容电压波动频繁，对变桨电机的电流值的检测更容易实现，并且控制精度更高，可靠程度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112442681A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011077872.X
申请日：2020-10-10
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C16/455 , C23C16/42 , C23C16/18 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法，包括以下步骤：将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入Ni源进行沉积，所述Ni源为气相Ni源，得到沉积有Ni源的衬底；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫；在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Ni源进行单原子反应，得到纳米NiSix薄膜；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四1～3000次，通过重复不同次数制备得到不同厚度的NiSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含NiSix沉积层。
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公开(公告)号：CN112326752A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010999383.3
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/333 , G01N27/26
Abstract: 本发明提供一种超灵敏的水体中汞离子检测方法，所述水体中汞离子检测方法的步骤为：锥形聚合物纳米通道的制备；汞离子引发的杂交链式反应溶液的配制；汞离子的检测；数据处理。本发明具有简单、快速、低成本、高通量和无需标记的优点，根据Hg2+能与胸腺嘧啶碱基形成稳定的T‑Hg‑T结构的原理,设计了可特异性检测Hg2+的功能核酸序列，可以实现水体中Hg2+的选择性检测，且将杂交链式反应信号放大技术与纳米孔单分子检测技术相结合，有效地提高检测方法的灵敏度，在单分子水平上实现了对金属离子汞的超灵敏检测分析，可应用于水环境中汞离子的实时检测及汞离子毒理作用的研究。
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公开(公告)号：CN112326747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010999381.4
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
IPC: G01N27/26 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明提供一种快速、超灵敏的ATP检测方法及其应用，所述ATP检测方法包括三个基本步骤，分别为：锥形聚合物纳米通道的制备；ATP的检测；数据处理。本发明在检测生物细胞ATP分子时，具有操作简单、耗时较少、成本较低的特点，通过设计捕获探针DNA(H1，H2)和辅助探针DNA(H3，H4)的DNA序列，实现ATP分子的特异性检测，同时具有良好的抗干扰能力，且在检测生物细胞ATP分子时无需分子标记，可实现高通量、超灵敏检测，检出限可低至pM级别，同时还可观测到单分子指纹信息。
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公开(公告)号：CN112281138A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011077350.X
申请日：2020-10-10
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C16/42 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法，包括以下步骤：1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积，得到沉积有Co源的衬底；2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫；3)在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应，得到纳米CoSix薄膜；4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四的操作1～3000次，即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。
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公开(公告)号：CN111620810A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010606848.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 许昌学院
IPC: C07D213/38
Abstract: 本发明公开了一种N，N-双（吡啶-2-基甲基）苯胺类配体的合成方法，以苯胺类化合物A和3-(氯甲基)吡啶盐酸盐B为原料，利用碳酸钾做碱，不加溶剂，利用固相反应合成N，N-双（吡啶-2-基甲基）苯胺类配体。本发明使用的各原料非常简单，均为简单易得，来源广泛，并且性能非常稳定，不需要特殊保存条件；合成N，N-双（吡啶-2-基甲基）苯胺类配体化合物的传统的方法一般是使用强碱高温、溶剂或者催化剂来实现、产率不高。本发明苯胺类类衍生物和碳酸钾、3-(氯甲基)吡啶盐酸盐作为起始原料反应得到N，N-双（吡啶-2-基甲基）苯胺类配体化合物。反应操作比较简单，反应条件温和，不需要溶剂，产率较高，适合大规模工业化生产。
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