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公开(公告)号：CN119080846A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411181399.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F15/02 , C23C16/455 , C23C16/44 , G11C11/02
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机信息存储材料用前驱体β‑酮亚胺基乙二醇二甲醚Fe(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的β‑酮亚胺基乙二醇二甲醚Fe(II)化合物，有良好的耐空气水分稳定性，较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出良好的Fe基薄膜。同时本发明合成方法简便，条件温和，降低了前驱体材料的合成成本。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116443920A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310443542.5
申请日：2023-04-23
Applicant: 许昌学院
IPC: C01G19/02 , C01B32/05 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一类锡基复合材料及其制备方法和应用。所述锡基复合材料的制备方法，包括如下步骤：(1)配置可溶性锡盐溶液和EDTA溶液，然后将EDTA溶液加入到可溶性锡盐溶液中，并持续搅拌进行反应，反应结束后过滤得到产物，产物经洗涤、干燥后得到Sn‑EDTA前驱体；(2)在保护气体气氛下，将步骤(1)所述Sn‑EDTA前驱体煅烧，煅烧后进行研磨，即制备得到所述锡基复合材料。本发明制得的锡基复合材料用于制备锂离子电池负极，组装成锂离子电池，具有优异的倍率可逆性和较稳定的库伦效率。
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公开(公告)号：CN112379262A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011001789.4
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种变桨系统超级电容运行数据检验方法，步骤为：投针法检验：根据要检测的数据的最大值，判断并计算数据分段因子，并以检测数据作为被除数，分段因子作为除数，计算商及余数，判断是否与分段因子线相交，最后对最大分段因子和最小分段因子对应的数值进行统计，就可以得出数据的主要分布区间，再根据投针法公式，计算概率值；并统计分布区间内的数据个数；根据投针法的分析结果，统计数据的分布区间及每个区间内的数据个数，计算方差值与参考方差值，并进行比较。本发明可以有效检测数据的波动情况，并检测出短时间的跳变；且所检测的数据分布区间范围更准确、更细化，且不需要对检测阈值进行修改或调整。
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公开(公告)号：CN114560886B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210187151.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117568786A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311491216.8
申请日：2023-11-09
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/18 , C25B1/13 , C25B11/093
Abstract: 本发明提供了通过原子层沉积技术制备Pt掺杂SnO2钛阳极的方法，包括以下步骤：1)将钛衬底置于反应腔中，通入气相锡源进行沉积；2)惰性气体吹扫；3)通入氧源，与钛基底上的Sn源反应，得到纳米SnO2薄膜；4)惰性气体吹扫；5)通入铂源，与衬底上的SnO2进行沉积，得到沉积有Pt源的SnO2；6)通入氧源，与Pt源进行单原子反应，得到Pt掺杂SnO2薄膜；7)以脉冲形式向反应腔通入氧源，与吸附在SnO2上的Pt源进行单原子反应，得到Pt掺杂SnO2薄膜；8)惰性气体吹扫，完成一个ALD生长循环；重复操作即可得到生长有不同厚度的Pt掺杂SnO2沉积层的钛阳极，本发明可以制备出连续均匀、表面无裂纹的Pt掺杂SnO2钛阳极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114573642A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210187207.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F15/04 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，有良好的耐空气水分稳定性，较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出良好的Ni基薄膜。同时本发明合成方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本。
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公开(公告)号：CN113717233A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111171426.X
申请日：2021-10-08
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性，有良好的挥发性和热稳定性，具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Co基薄膜如Co金属薄膜等，大大降低了前驱体材料的成本；该前驱体材料所具有的良好耐空气水分稳定性使得前驱体材料操作性、运输、输送以及加工过程变得简单易操作。
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公开(公告)号：CN112300400A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011003684.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种镉基金属有机骨架Cd‑MOF材料的制备方法及其应用，其特征在于，所述Cd‑MOF材料的制备方法为：步骤一：将硝酸镉溶解在水中，将配体5‑(双(4‑羧基苄基)氨基)‑间苯二甲酸溶解到N,N‑二乙基甲酰胺中，并将两者与乙醇混合；步骤二：将混合后的溶液倒入聚四氟乙烯反应釜内衬中进行超声处理；步骤三：将反应釜放入鼓风干燥箱中进行加热；步骤四：将反应釜冷却至室温后，将反应液过滤，得到黄色花瓣状的Cd‑MOF晶体。本发明合成的述Cd‑MOF荧光材料的合成方法简单，且产量和纯度较高，通过单晶衍射可解析出MOF的准确结构，且本发明合成的Cd‑MOF荧光材料在区分检测α，β－不饱和醛和饱和醛时，具有操作简单、耗时少、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN115360337A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211119545.5
申请日：2022-09-14
Applicant: 许昌学院
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有高倍率储锂性能的黑磷复合材料及其制备方法和应用。所述具有高倍率储锂性能的黑磷复合材料的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体气氛下，将红磷与含氮化合物混合，然后进行球磨反应，将球磨产物洗涤去除多余有机物，真空干燥后制备得到氮掺杂黑磷；所述含氮化合物为尿素、硫脲、三聚氰胺、氨基酸、氯化铵和硫酸铵的至少一种；在惰性气体气氛下，将步骤(1)所述氮掺杂黑磷与碳材料混合，然后进行球磨，即制备得到所述黑磷复合材料。本发明制备的黑磷复合材料作为锂离子电池负极材料使用，实现了锂离子快速进入黑磷层间，在带来优异倍率性能的同时工艺简单、环保，易规模化。
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公开(公告)号：CN114560886A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210187151.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。
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