公开(公告)号：CN112442681A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202011077872.X

申请日：2020-10-10

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  张时星 ,  李会 ,  吕春杰 ,  赵艳玲 ,  周琪 ,  甘娜 ,  张慧 ,  阴文玉

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  C23C16/18 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法，包括以下步骤：将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入Ni源进行沉积，所述Ni源为气相Ni源，得到沉积有Ni源的衬底；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫；在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Ni源进行单原子反应，得到纳米NiSix薄膜；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四1～3000次，通过重复不同次数制备得到不同厚度的NiSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含NiSix沉积层。