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公开(公告)号：CN110427699A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910707339.8
申请日：2019-08-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种活动引线搭焊互联点缺陷性能评判方法，包括：确定存在缺陷的活动引线搭焊互联结构、物性参数及缺陷参数，建立其参数化表征模型，设计包含缺陷参数及调控参数的正交试验，计算各参数和误差的平均偏差平方和，计算各参数与误差平均偏差平方和比值，通过概率密度分布表来评判缺陷参数对互联信号传输性能的影响度，进而判别带有缺陷的互联点是否可以继续使用。本方法实现了对存在缺陷的活动引线搭焊互联形式缺陷参数值对信号传输性能影响度的快速评判，为模块互联设计与电性能调控提供理论保障。
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公开(公告)号：CN107038299B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710230215.6
申请日：2017-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑互耦效应的变形阵列天线远场方向图补偿方法，包括根据初始辐射单元激励信息以及理想阵元位置信息，计算理想阵列天线辐射方向图；根据阵列天线结构有限元模型确定变形后阵列天线辐射单元所在节点位移信息；根据阵元位置信息计算变形阵列天线的互耦矩阵；结合初始辐射单元激励以及理想阵元位置信息，根据阵列天线机电耦合分析模型计算变形阵列天线辐射方向图；根据获得补偿矩阵求得包括激励幅度与激励相位的变形阵列天线补偿激励值。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。
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公开(公告)号：CN110083919A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910324583.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于物性结构电磁参数的引线搭焊互联点性能预测方法，包括：确定引线搭焊互联点的物性参数、结构参数；将引线搭焊互联点的互联结构拆分进行阻抗分析；计算同轴线阻抗，确定电阻、电感、电容值得到微带线阻抗计算公式；将互联点部分依据结构拆分为两部分，并将其等效为微带线进行阻抗计算；推导引线搭焊互联点整体反射系数计算公式；快速给出引线搭焊互联点整体传输性能预测性能。本发明方法可以实现引线搭焊互联点基本参数和传输性能的耦合分析，可用于直接预测互联点基本参数下的信号传输性能，指导引线搭焊互联点的结构设计与优化。
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公开(公告)号：CN106354910B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610703168.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种面向有源相控阵天线的结构主模态确定方法，包括：1)确定有源相控阵天线的参数，建立天线的有限元模型；2)通过模态分析得到天线固有频率、模态振型；3)天线载荷变形分析；4)计算天线结构模态对应的输出能量；5)根据能量精度要求对天线结构模态进行截断；6)求出截断后模态对应能量所占比重；7)建立截断后模态对应的状态空间方程；8)根据截断后模态的状态空间方程参数计算截断后模态所对应的传递函数的2范数；9)计算截断后模态的综合范数；10)将截断后模态的综合范数从大到小排列进行主模态选取，得到有源相控阵天线的结构主模态。本发明能够指导有源相控阵天线的动力学建模与指向控制，以保障天线服役性能。
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公开(公告)号：CN108460215A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810196204.5
申请日：2018-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阵面电源纹波对有源相控阵天线电性能影响的快速预测方法，包括确定有源相控阵天线阵面电源\阵面电源中电路器件参数,计算阵面电源纹波系数；确定T/R模块中微波放大器件的调相灵敏度参数及理想激励电流相位；计算阵面电源纹波影响下的激励电流相位；确定理想激励电流幅度；计算阵面电源纹波影响下的激励电流幅度；确定天线的理想方向图函数；基于激励电流的相位、幅度及天线的理想方向图函数，确定阵面电源纹波影响下天线的方向图函数。本发明通过确定电源纹波系数，分析纹波影响下阵元激励电流的幅度和相位，建立阵面电源电路器件参数与有源相控阵天线电性能的数学模型，实现不同阵面电源纹波对天线电性能影响的快速预测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107577860A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710758798.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
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公开(公告)号：CN107103111A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710121235.X
申请日：2017-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种基于应变传感器的电子装备功能形面特征点位移场重构方法，包括：确定电子装备功能形面的结构参数、材料属性及应变传感器分布的位置及数量，采集服役载荷作用下功能形面应变传感器测量的应变值，建立功能形面的结构有限元模型，功能形面模态分析，得到功能形面的模态振型、应变模态振型，提取应变传感器位置节点对应的应变模态振型矩阵，计算广义模态坐标，提取功能形面特征点对应的模态振型矩阵，重构出功能形面特征点的位移。本发明基于模态分析理论，在结构载荷信息未知的情况下，利用少量应变传感器测量的应变值重构出电子装备功能形面特征点的位移场，进而指导电子装备功能形面的结构变形补偿和电性能补偿。
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公开(公告)号：CN107038299A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710230215.6
申请日：2017-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑互耦效应的变形阵列天线远场方向图补偿方法，包括阵列天线结构几何模型建立；阵列天线结构有限元模型的建立；辐射单元位置坐标的提取；根据辐射单元位置坐标计算辐射单元的空间相位参数以及考虑互耦效应的等效激励参数，最后根据阵列天线远场方向图计算表达式得到变形阵列天线辐射远场方向图，据此可求解相关电磁性能参数，分析结构变形对阵列天线电性能的影响关系。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。
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公开(公告)号：CN106021764A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610369219.8
申请日：2016-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种面向机电耦合的有源相控阵天线性能仿真置信度的计算方法，包括确定有源相控阵天线性能的影响因素；建立天线有限元模型；进行温度场分析，计算热参数的置信度；基于阵面温度均方根误差计算网格大小的置信度；计算天线结构热变形，提取天线单元几何中心节点的位置偏移量；计算结构位移提取的置信度；使用机电耦合模型计算天线的电性能；将计算结果与电磁仿真软件计算结果进行对比，计算机电耦合模型的置信度；基于层次分析法，确定加权系数；建立置信度计算公式，计算并最终确定有源相控阵天线性能仿真的置信度。本发明建立了天线性能仿真置信度计算方法，给出了有源相控阵天线结构热变形对电性能影响仿真计算结果的评判标准。
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公开(公告)号：CN105449327A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510980100.X
申请日：2015-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定移相器等效电路参数；3)确定移相器的位数k；4)确定移相器的标准电容桥高度；5)给出初始电容桥的偏移量；6)利用单个电容桥的机电耦合模型，计算单个电容桥产生的相移量；7)计算移相器的相移量；8)计算移相器的偏差量；9)判断该电容桥高度情况下的移相器偏差量是否满足公差要求。本发明利用移相器电容桥结构参数和相移量之间的机电耦合模型，直接得到电容桥结构参数对移相器相移量的影响，快速给出合理的电容桥结构公差精度，降低加工成本和难度，缩短研制周期。
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