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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116362173A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310332208.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开了一种微处理器总剂量效应和瞬时剂量率效应的建模仿真方法，主要解决现有技术微处理器物理模型复杂度高，仿真效率低的问题。其实现方案是：根据IBIS模型测量原理和微处理器的内部电路结构，设计微处理器的IBIS模型测量板；利用测量电路板测得微处理器IBIS模型数据，并建立微处理器总剂量效应FuncIBS模型；对该微处理器总剂量效应模型FuncIBS进行仿真；通过剂量率实验获取微处理器光电流数据，建立微处理器瞬时剂量率效应模型；对该微处理器瞬时剂量率效应模型进行仿真。本发明建立的模型既能反映微处理器数字器件的逻辑功能，又能为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持，可用于数字器件辐照效应仿真模型系统。
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公开(公告)号：CN116306441A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310229376.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法，主要解决现有数字集成电路辐射效应建模时间开销大，资源耗费高的问题。其实现方案为：选择数字化测量设备，在其上搭建测量系统；选择辐照后的数字器件作为原始器件，确定其缓冲器接口类型；用可控电压源分别测量输入缓冲区电源钳位二极管和地钳位二极管的电压‑电流特性曲线；用可控电压源分别测量输出缓冲区上拉管和下拉管的电压‑电流特性曲线；用示波器分别测量输出端的上升沿电压‑时间波形和下降沿电压‑时间波形；获取IBIS模型其他数据，用测量所得特性曲线、波形和数据构成数字集成电路辐射效应模型。本发明时间开销小，资源耗费低，可用于对数字集成电路辐射效应仿真。
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公开(公告)号：CN113341761A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110554445.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明属于数字器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统，所述CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始器件的IBIS模型数据；提取输入端口的钳位管特性曲线和输出端口的晶体管特性曲线；根据钳位管特性曲线提取二极管模型参数，根据晶体管特性曲线提取MOS管模型参数；根据模型参数建立CMOS数字IC行为‑物理混合模型，并建立CMOS数字IC时序退化模型；根据总剂量效应造成的器件电特性退化，建立CMOS数字IC输出端口总剂量效应模型。本发明建立的模型既能反映CMOS数字器件的逻辑功能，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。
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公开(公告)号：CN115455717A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211163746.5
申请日：2022-09-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明属于微电子器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统，建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始三极管器件的模型数据；提取基极端口的输入V‑I特性曲线和集电极、发射极端口的输出V‑I特性曲线；根据基极特性曲线提取基极输入阻抗模型参数，根据输出特性曲线提取三极管输出模型参数；结合输入输出特性曲线得到三极管电流放大系数等基本器件参数；根据模型参数建立三极管器件物理模型；根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管器件基极、集电极、发射极端口中子辐射效应模型；本发明建立的模型能反映三极管器件的基本器件特性，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。
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