公开(公告)号：CN115828590A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211536446.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘锦辉 ,  张晓鹏 ,  梁博 ,  谭雯丹 ,  张馨丹 ,  张嘉伟 ,  柳逸扬

IPC: G06F30/20

Abstract: 一种处理器辐照效应模型建模与仿真系统构建方法，先选择或设计处理器，获取处理器指令集数据与架构数据；再根据处理器指令集数据与架构数据提取处理器内核数据，根据处理器内核数据建立处理器内核模型；然后根据处理器指令集数据与架构数据提取处理器外设数据，根据处理器外设数据建立处理器外设模型；再实现处理器内核模型与外设模型时间同步与数据传输功能，完成处理器常态模型建模与仿真系统构建；然后根据辐照效应引发的故障处理器类型，修改处理器内核模型与处理器外设模型；最后根据辐照效应故障发生位置与概率函数，建立处理器辐照效应模型；本发明反应处理器的行为特性，简化模型复杂度，实现模拟辐照效应带来的处理器器件退化的功能。

公开(公告)号：CN115455717A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211163746.5

申请日：2022-09-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘锦辉 ,  梁博 ,  张晓鹏 ,  谭雯丹 ,  张馨丹

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明属于微电子器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统，建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始三极管器件的模型数据；提取基极端口的输入V‑I特性曲线和集电极、发射极端口的输出V‑I特性曲线；根据基极特性曲线提取基极输入阻抗模型参数，根据输出特性曲线提取三极管输出模型参数；结合输入输出特性曲线得到三极管电流放大系数等基本器件参数；根据模型参数建立三极管器件物理模型；根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管器件基极、集电极、发射极端口中子辐射效应模型；本发明建立的模型能反映三极管器件的基本器件特性，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。