公开(公告)号：CN104099089B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410289402.8

申请日：2014-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 詹勇华 ,  韩青林 ,  李英超 ,  李智敏 ,  梁继民 ,  田捷

IPC: C09K11/59 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种荧光增强型IR-780近红外介孔硅纳米探针的制备方法；分别取一定量的普朗尼克F127和IR-780碘化物于一玻璃瓶内，缓慢向其中加入二氯甲烷将混合固体粉末溶解，得到均一的绿色透明溶液；将此透明溶液于旋转蒸发仪上真空蒸发干燥得固体，向其中加入盐酸，室温避光以一定转速搅拌一段时间，离心，取上清液，得到均一透明胶束；向此制备好的胶束中加入TEOS，回流，以相同速率向其中加入DDS，将上述混合溶液恒温回流一段时间后，振荡、过滤、离心并洗涤得到荧光增强型IR-780近红外介孔硅纳米探针。本发明的制备方法具有粒径小，单分散性与稳定性良好，荧光性能增强，安全性高，生物兼容性好，过程简单易于操作等优点。

公开(公告)号：CN104927856A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510381597.3

申请日：2015-07-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李桂芳 ,  龙万旭 ,  李智敏

IPC: C09K11/78

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 本发明公开的基于溶胶-凝胶燃烧法制备钨酸盐红色荧光粉的方法，具体方法为：1)先分别称取硝酸钠、硝酸镁、硝酸钆、硝酸铕及钨酸铵，然后将称取的五种盐分别溶于去离子水中配成五种盐溶液，最后将五种盐溶液混合在一起形成混合溶液；液混合在一起形成混合溶液；2)称取柠檬酸加入1)得到的混合溶液中，经搅拌形成溶胶；将溶胶置于恒温水浴锅中加热形成湿凝胶；经烘干得到干凝胶；3)将经2)得到的干凝胶放入马弗炉中煅烧，制备得到钨酸盐NaGd1-xEuxMgWO6红色荧光粉。本发明基于溶胶-凝胶燃烧法制备钨酸盐红色荧光粉的方法，能制备得出稳定性好、色纯度高及发光效率高的钨酸盐红色荧光粉，非常适合应用于白光LED。

公开(公告)号：CN120004619A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510219158.6

申请日：2025-02-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  姜登辉 ,  吴黄涛 ,  杨鸿宇 ,  邢林庄

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷浆料及其制备方法，压电陶瓷浆料包括以下原料：流延溶剂、增塑剂、陶瓷粉体、分散剂和聚乙烯醇缩丁醛，其中，流延溶剂包括质量比为1～3:1的酯类溶剂和醇类溶剂；酯类溶剂包括：乙酸乙酯和乙酸丁酯中的一种或多种；醇类溶剂包括：乙醇、正丁醇和异丁醇中的一种或多种。本发明通过酯类溶剂和醇类溶剂混合形成流延浆料溶剂，在降低压电陶瓷浆料毒性的同时，使PVB分子链充分伸展并形成均匀的长程联结网络，并避免PVB溶胀过度引起的粘度增加，为浆料提供良好的机械连续性和均一性。通过该压电陶瓷浆料流延得到的生膜带厚度均匀、外观平整，可应用于多层压电陶瓷驱动器领域。

公开(公告)号：CN118048644B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410156914.0

申请日：2024-02-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 哈媛 ,  李振殿 ,  马颖妍 ,  李智敏 ,  邢林庄

IPC: C25B11/047 ,  C25B1/04 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种用于高效析氢反应的钨酸钡陶瓷自催化电极的制备方法，包括：基于固相法，利用碳酸钡药品和三氧化钨药品制备钨酸钡纯相；对所述钨酸钡纯相依次进行造粒、压片处理，得到钨酸钡样品片；在不同温度下对所述钨酸钡样品片进行煅烧处理，得到用于高效析氢反应的钨酸钡陶瓷自催化电极。利用这种制备方法得到的钨酸钡陶瓷自催化电极不紧成本低廉、制备方便，而且所形成的晶粒之间有很大的孔隙，暴露了更多的活性位点，有利于离子的传输；并且陶瓷本身具有很强的稳定性，耐腐蚀性、克服了传统电极稳定性差的问题，提高了长循环稳定性。

公开(公告)号：CN119521804A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411703887.0

申请日：2024-11-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张东岩 ,  闫养希 ,  张茂林 ,  李智敏

IPC: H10F30/24 ,  H10F77/124

Abstract: 本发明涉及红外光电探测器研究领域，具体涉及一种基于InGaAs三角势垒结构的室温非制冷红外光电探测器；自下而上依次包括衬底、n型掺杂的III‑V化合物半导体层、i型半导体层、δ‑p型掺杂的III‑V化合物半导体层、i型半导体层和n型掺杂的III‑V化合物半导体层，所述n型掺杂的III‑V化合物半导体层均设置有电极；能够改善传统半导体型光电探测器受到室温影响造成的背景噪声较大，灵敏度较低的问题，实现室温的红外探测。

公开(公告)号：CN116200776A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310231984.3

申请日：2023-03-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 哈媛 ,  马颖妍 ,  李智敏 ,  陈亮强 ,  安子骐

IPC: C25B11/093 ,  C25B1/04 ,  C25B11/061 ,  C25D11/34 ,  C25D5/00

Abstract: 本发明涉及一种自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂及制备方法和应用，制备方法包括：步骤1、采用热合成法制备自支撑型超薄钴基纳米片前驱体；步骤2、将自支撑型超薄钴基纳米片前驱体作为工作电极，采用阳极氧化法制备自支撑型超薄羟基氧化钴纳米片；步骤3、将自支撑型超薄羟基氧化钴纳米片作为工作电极制备自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂，其中，电解质是含有水合三氯化钌的水溶液。本发明提供的自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂及制备方法，克服了低效、高成本、催化活性低、稳定性差、难以工业化生产的问题。

公开(公告)号：CN113121215A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110323683.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  罗丰 ,  闫养希 ,  张东岩 ,  张茂林

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  B05B17/06

Abstract: 本发明提供的一种无铅压电陶瓷、雾化片及制备方法，通过痕量Mn离子取代Fe离子，能够显著提高材料的三方畸变，降低材料的对称性，通过提高压电性能的本征贡献，进而显著提高材料的宏观压电性能。因此制备出的用于雾化片的无铅压电陶瓷可以有效避免PZT压电陶瓷材料在生产、服役和废弃过程中带来的铅污染问题，避免了对人类和环境造成的危害；由于BF‑BT高的居里温度，制成的雾化片具有较好的抗干烧能力，同时具有很好的抗老化特性，并且不存在水解问题，可以很好的在水基溶液中工作，具有相界宽、性能稳定的特点，有利于保证大规模生产的产品一致性，提高良品率降低成本。相较于KNN陶瓷制备的雾化片具有明显的优势。

公开(公告)号：CN113120856A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110315304.7

申请日：2021-03-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 岳文凯 ,  李培咸 ,  李智敏 ,  周小伟 ,  吴金星 ,  王燕丽

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在蓝宝石衬底的表面进行氮离子注入；S2、对经过氮离子注入的蓝宝石衬底进行退火处理，形成AlON矩形纳米阵列框架；S3、在AlON矩形纳米阵列框架上生长AlN；S4、对AlN进行原位高温退火，形成AlN高温保护层和AlON矩形纳米阵列，其中，AlON矩形纳米阵列嵌入蓝宝石衬底，AlN高温保护层位于AlON矩形纳米阵列上和蓝宝石衬底上；S5、在AlN高温保护层上制备HVPE‑AlN保护层。该制备方法制备得到了一种既保证蓝宝石衬底表面原子级光滑平整又可以稳定提升AlN材料质量和衬底出光效率的微/纳米结构蓝宝石图形化衬底。

公开(公告)号：CN110203967B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910603808.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任庆利 ,  杨如森 ,  王健 ,  陈俊文 ,  王珍妮 ,  党甲林 ,  王媛 ,  李智敏

IPC: C01G23/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种片状钛酸锶纳米单晶体的制备方法，主要解决传统的钛酸锶制备方法复杂，钛酸锶粉体的纯度和粒径都很难达到要求的问题。其实现方案是：向配制好的锶钛混合溶液中加入阴离子表面活性剂聚丙烯酰胺水溶液或阳离子表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵水溶液，获得表面活性剂改性的锶钛混合溶液；然后向其加入制备好的氢氧化钠溶液，获得两性表面活性剂改性的碱性锶钛纳米沉淀物；再对该纳米沉淀物依次进行洗涤、过滤、干燥，研磨、烘干、烧结，得到片状钛酸锶纳米单晶体。本发明制备操作要求简单，适于工业化生产，样品颗粒小、分散性好，不团聚，有利于做成钛酸锶晶界层电容器，能广泛应用在收音机、电视机和计算机电路中。

公开(公告)号：CN107910545B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201711078593.3

申请日：2017-11-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  李高锋 ,  宁涛 ,  张茂林 ,  张东岩 ,  闫养希 ,  郝跃

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种高比容量富锂锰正极材料的制备方法，具体为：步骤1、将硝酸锂、乙酸镍和乙酸锰依次溶于乙醇中，磁力搅拌至形成绿色透明溶液；再向绿色透明溶液中添加聚乙二醇，于水浴中加热并搅拌，直至形成均匀粘稠状绿色液体；步骤2、将经步骤1得到的绿色粘稠液体倒入坩埚中发生燃烧反应，然后冷却至室温，之后经研磨、过筛得到黑色粉料；步骤3、将经步骤2得到的黑色粉料先经低温预烧后高温煅烧，冷却后得到粉料，再将粉料依次进行研磨、过筛，得到高比容量的富锂锰正极材料。利用本发明的制备方法能获得放电比容量大于280mAh/g的Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，其库伦效率高达95％。