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公开(公告)号：CN104796139B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510193881.8
申请日：2015-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明涉及一种快速频率稳定压控振荡器，包括并联连接的VCO电路模块和可变电容阵列，VCO电路模块和可变电容阵列的并联连接接点分别连接压控振荡器的正、负极输出端VOUT+、VOUT‑，VCO电路模块分别与前级电荷泵的信号输出端以及电源电压VDD相连接，可变电容阵列还与调控其运行状态的数字DWA调制模块以及滤波电容相连接。上述技术方案中，通过对压控振荡器中的可变电容阵列使用数据权重平均技术，降低由于工艺、温度和电压变化导致的阵列器件失配噪声，提高频带选择准确度，降低频率微调所需的时钟周期，较之传统无数字校正算法的VCO，具有更短的频率稳定时间。
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公开(公告)号：CN107390760A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710609978.1
申请日：2017-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了用于具有温度补偿的集成电路，包括补偿电路、整流电路和运放电路，所述补偿电路利用电压分压的原理和三极管逐级导通原理实现温度补偿，为电压输入端口提供补偿电压，补偿后的电压经整流电路运用晶闸管和三端可控硅整流，最后经运放电路利用运放器放大处理后输出；所述补偿电路包括铂热电阻D1，铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，改变补偿电路的回路电阻，从而改变补偿电路的补偿电压，该补偿电压通过电阻R2补偿给电压输入端口的电压。
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公开(公告)号：CN107171555A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710609958.4
申请日：2017-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/156
Abstract: 本发明公开了一种高压恒流启动的内部电源电路，包括分压电路和反馈电路，所述反馈电路利用运放器AR1和AR2在电压输出端口处采集电压信号，利用其电压信号经运放器AR1和AR2比较输出后作为反馈信号控制三极管Q1～Q2的导通和截止，利用电阻分压原理调节电压电流，从而达到稳压的效果，避免了芯片引入所带来的成本高且资源浪费严重的问题，又保证了输出电压的稳定，所述分压电路包括电阻R2，电阻R2并联的有三极管Q1～Q2，三极管Q1串联电阻R1，三极管Q1的导通会导致电阻R2短路，电阻R1为回路电阻，三极管Q2导通会使电阻R1和R2短路，达到自动调节电压的效果，既可以满足启动高电压需求，又能保证输出过程中电压稳定，有很大的实用价值和推广价值。
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公开(公告)号：CN105955386A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610316383.2
申请日：2016-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种超低压CMOS阈值带隙基准电路，包括PTAT产生电路、阈值电压产生电路和启动电路；所述PTAT产生电路包括MP2、MP3、MP4三个PMOS晶体管，Q1、Q2两个PNP型双极型晶体管，OP1一个运算放大器和R1、R2两个电阻；所述阈值电压产生电路包括MP5、MP6、MP7和MP8四个PMOS晶体管，MN1、MN2、MN3和MN4四个NMOS晶体管，OP2一个运算放大器和R3一个电阻；所述启动电路包括MP1、MP9两个PMOS晶体管。本发明中输出基准源相比于传统的带隙基准源，可工作在超低压条件下，从而满足低功耗设计要求，同时电路具有可控的输出电压，且相比于传统的高阶补偿带隙基准源，本发明实现的基准源具有较低的温漂系数，无需特殊的工艺要求，结构简单。
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公开(公告)号：CN105743343A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610172483.2
申请日：2016-03-24
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院
Abstract: 本发明涉及一种高效率DC?DC型升压转换器，其特征在于：包括ARC模块、控制电路模块、带隙基准模块、误差放大器EA、PWM比较器和振荡器OSC；采用固定频率、峰值电流模式的控制方式，设计了短路保护电路，对内部关键模块进行设计，如带隙基准模块、PWM比较器、振荡器等，并在误差放大器的输出端对电路进行了内部补偿。上述技术方案中提供的一种高效率DC?DC型升压转换器，其效率高、频率固定、体积小，并且具备自动轻载模式，可提高轻载时效率，延长电池寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101977046A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010291312.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供自举采样开关电路和自举电路，自举电路包括：二极管D1、充电电容C1、反相器、第三PMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7及第八NMOS管M8；反相器的输入端连接CLK，输出端连接M3栅极和M4栅极；M3源极连接VDD，M4源极连接Vin，M3漏极和M4的漏极相连；M5源极接Vin，M5栅极接Vboot，M5漏极接M6漏极和电容的一板；M6栅极连接CLK，M6源极连接GND；D1正端连接VDD，D1负端连接C1第二板和M7源极；M7栅极与M3漏极相连，M7漏极和M8源极连接Vboot；M8栅极连接VDD，M8漏极与反相器输出端相连。
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公开(公告)号：CN110768645B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201910828917.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明涉及一种反双曲正切预失真电路、跨导器及GM‑C低通滤波器。该反双曲正切预失真电路包括：第一偏置电流单元(1)、第二偏置电流单元(2)、第一电阻(Rx1)、第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第一电流‑电压转换单元(3)、第二电流‑电压转换单元(4)。该反双曲正切预失真电路通过将电压转换为电流，电流再转换为电压的调整方式使得输入端电压差和输出端电压差满足反双曲正切关系，可以连接在输入差分对工作在亚阈值区的跨导器之前用来扩展跨导器的输入线性范围，降低跨导单元的功耗，从而有利于GM‑C低通滤波器低压低功耗的设计。
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公开(公告)号：CN109238315A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810721835.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G01D5/249 , G01K7/00 , G01K2219/00 , H03M1/1205
Abstract: 本发明涉及一种温度计码编码器及电路，包括依次连接的2N个检测电路、N个次级编码单元电路；第m检测电路的第二输入端(B)连接第m+1检测电路的第一输入端(A)，且第一检测电路的第一输入端(A)连接电压源，第2N检测电路的第二输出端(B)接地，其中，m≥1，N≥2，且m≤2N-1；每个所述检测电路的输出端根据预设规则连接对应的次级编码单元电路。所述温度计码编码器可用于设计N比特温度计码编码电路，该电路结构简单，并具有优越的可读性和可移植性。
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公开(公告)号：CN108599594A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810286296.6
申请日：2018-04-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M7/217
Abstract: 本发明涉及一种AC-DC恒压控制转换器。该AC-DC恒压控制转换器包括一种AC-DC恒压控制装置及一种AC-DC转换器，其中，一种AC-DC恒压控制装置包括采样检测器(3)、快速响应调节电路(4)、恒压导通控制器(5)、恒压关断控制器(6)及恒流开关驱动器(7)。本发明实施例，由快速响应调节电路(4)接收由采样检测器(3)输出的原边电压采样放大信号(N310)和波谷检测信号(N311)，并根据原边电压采样放大信号(N310)和波谷检测信号(N311)判断输出负载变化情况，从而调节采样信号位置及时间，使得反馈电路能够快速响应输出变化情况，以达到更优异的稳压性能。
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公开(公告)号：CN107888177A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711174735.6
申请日：2017-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了集成电路内部偏置校正电路，包括开关电路、运放电路和放大补偿电路，所述开关电路接收集成电路信号传输通道的输入信号，利用三极管Q1-Q3组成复合电路调幅，然后由运放电路利用运放器AR1放大信号经电阻R8分压后输出，也即是输入集成电路信号传输通道内，同时放大补偿电路采集运放器AR1输出端电位信号，经运放器AR2放大后输出信号控制三极管Q5的导通和截止，也即是控制放大补偿电路为运放器AR1的输出信号补偿电位，达到集成电路的电磁干扰补偿的效果。
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