公开(公告)号：CN105244320A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510540719.9

申请日：2015-08-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 刘翔宇 ,  苗渊浩 ,  胡辉勇 ,  张鹤鸣 ,  宋建军 ,  舒斌 ,  宣荣喜

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42356

摘要： 本发明涉及一种基于SOI的应变Ge CMOS集成器件及制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层，生长应变Ge层和Si帽层以形成NMOS和PMOS有源区；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；在NMOS有源区表面光刻形成NMOS栅极区图形，利用粒子束刻蚀工艺形成第一双梯形凹槽；在PMOS有源区表面光刻形成PMOS栅极区图形，利用粒子束刻蚀工艺形成第二双梯形凹槽；在NMOS和PMOS有源区表面分别形成栅介质材料；刻蚀PMOS有源区表面指定位置处的栅介质材料，并注入P型离子形成PMOS源漏区，刻蚀NMOS有源区表面指定位置处的栅介质材料，并注入N型离子形成NMOS源漏区；形成NMOS和PMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极、源极和栅极引线，最终形成基于SOI的应变Ge沟道倒梯形栅CMOS集成器件。