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公开(公告)号：CN101847480A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010198467.3
申请日：2010-06-11
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种磁性材料及其制备方法，其分子式为SmCo1-xNixAsO，0＜x＜0.3，具有ZrCuSiAs型晶体结构。该磁性材料有丰富的磁性质，0＜x＜0.2时，随着温度的降低，先后发生了铁磁和反铁磁转变，随掺Ni量的增加，铁磁转变温度和反铁磁转变温度均下降；x＝0.2时，铁磁性被完全抑制，只发生反铁磁转变；0＜x≤0.2时，在反铁磁转变温度以下，在磁化强度随磁场的变化曲线中，发生了变磁性转变；0.2＜x＜0.3时，为一种反铁磁性材料。该磁性材料可用于制作储存器、交换偏置器件；或者制成成分呈梯度分布的多组分梯度功能材料，用于磁性隧道结等；或者利用其在低温下发生变磁性转变的特点，作为低温磁性致冷材料。
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公开(公告)号：CN101462881A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910058021.8
申请日：2009-01-05
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法，其作法是：按摩尔比1∶0.7－2.5分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01－1称量掺杂物，掺杂物为山梨酸或山梨酸盐中的一种；将镁粉、硼粉和掺杂物的粉末均匀混合成混合粉末；然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为600℃－1200℃、保温时间0.5－12个小时，即得。该方法制备时间短，反应温度低，效率高，成本低，尤其适合于工业化生产；利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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公开(公告)号：CN101414497A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810046560.5
申请日：2008-11-14
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种连续制备双面织构高温超导二代带材过渡层的方法，其步骤是：将硝酸亚铈或稀土硝酸盐溶解在N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，形成前驱溶液；将聚丙烯酸(PAA)或聚甲基丙烯酸加入前驱溶液中，制得胶体；再将Ni合金基带卷绕通过制得的胶体中，出带后使胶体均匀浸涂在基带表面，再进行干燥；最后放入烧结炉中烧结成相。该方法可以实现高温超导过渡层的连续制备、制备效率高，适用于大规模工业化生产；同时制备出的双面带材的过渡层薄膜一致性、均匀性好、取向度高、表面平整度高；过渡层的临界厚度厚。
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公开(公告)号：CN104129985B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410322592.9
申请日：2014-07-08
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Eu0.6Sr0.4BiO3缓冲层及其制备方法。采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备。目标物高温超导涂层导体缓冲层材料其名义组分为Eu0.6Sr0.4BiO3，其表面具有均匀弥撒分布的纳米析出相SrO2,析出相尺寸在100nm左右。本发明通过过饱和掺杂在缓冲层表面直接获得析出相颗粒，纳米析出相SrO2赋予了为其上超导层提供钉扎中心的可能。方法具有成本低廉，适合大规模沉积等优点，为其上超导层提供钉扎中心的性能得到验证。
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公开(公告)号：CN102723141B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210181622.X
申请日：2012-06-05
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层，其特征在于，为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体，其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd1-xCaxBiO3缓冲层，它是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整，并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明所述的Gd1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，操作控制容易，适合大规模沉积等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847482B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010200268.1
申请日：2010-06-13
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有丰富磁性质的磁性材料，其分子式为SmCo1-xFexAsO，0＜x＜0.3，具有ZrCuSiAs型晶体结构。该磁性材料具有丰富的磁性质，0＜x＜0.2时，随着温度的降低，先后发生了铁磁和反铁磁转变，随掺Fe量的增加，铁磁转变温度增加，而反铁磁转变温度下降，而且在反铁磁转变温度以下，在磁化强度随磁场的变化曲线中，发生了变磁性转变；0.2≤x＜0.3时，反铁磁性被完全抑制，成为一种铁磁性材料，而且铁磁转变温度接近室温，有利于实际应用。该材料性能稳定，制备简单。
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公开(公告)号：CN102745983A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210150303.2
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后，使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Eu1-xCaxBiO3，其中0.1≤x≤0.4。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明Eu1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。
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公开(公告)号：CN102701728A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210149549.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备的方法，对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3，其中0.1≤x≤0.2。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102557600A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110383359.8
申请日：2011-11-28
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种制备钇钡铁氧陶瓷材料的方法，其做法是：按制备钇钡铁氧YBa2Fe3O8的摩尔比Y∶Ba∶Fe＝1∶2∶3称取原料Y(NO3)3·6H2O，Ba(OH)2·8H2O和Fe(NO3)3·9H2O；将原料研磨，并均匀混合得混合原料；称取摩尔比为1∶1的硝酸钾和硝酸钠的混合物作熔盐；熔盐与原料中的Y(NO3)3·6H2O的摩尔比为10～30∶1；将混合原料和熔盐均匀混合，盛入刚玉坩埚，放入箱式电炉中；先加热至150～300℃，保温3～5小时；再加热至600～850℃，保温15～30小时，混合原料在熔盐中反应生成粉体，冷却至室温；用蒸馏水和酒精冲洗反应器中的粉体，洗净后干燥即得。该方法制备的钇钡铁氧陶瓷材料，其化学组分易于控制、成分稳定、颗粒度均匀可控，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN101462881B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910058021.8
申请日：2009-01-05
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法，其作法是：按摩尔比1∶0.7-2.5分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01-1称量掺杂物，掺杂物为山梨酸或山梨酸盐中的一种；将镁粉、硼粉和掺杂物的粉末均匀混合成混合粉末；然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为600℃-1200℃、保温时间0.5-12个小时，即得。该方法制备时间短，反应温度低，效率高，成本低，尤其适合于工业化生产；利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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