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公开(公告)号：CN104393372B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410632331.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质表面为周期性介质表面，磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于介质表面。本发明的方法通过采用周期性介质表面，并在周期性介质表面施加磁场的手段，使得在不同电场条件下，本发明的方法都能够对介质表面二次电子的倍增起到一定的抑制效果，并且随着电场场强的提高，抑制效果更好。
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公开(公告)号：CN104617357A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510002934.3
申请日：2015-01-05
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开一种周期性刻槽表面镀有类金刚石薄膜的高功率微波输出窗及其制作方法，能够解决现有技术不能有效地提高真空侧介质窗表面高功率微波击穿阈值的问题。所述方法包括：将有机聚合物介质窗表面加工成波浪状的周期性表面结构；对所述波浪状的周期性表面结构进行预处理；在真空炉内，抽真空至1-2Pa，充入气压在预设范围内的气体纯度大于预设阈值的含碳气相分子作为源气体，将经过所述预处理的所述介质窗固定于阳极表面，采用阳极层离子束技术，通过加直流电压或馈入微波，在所述介质窗的波浪状的周期性表面生长薄膜；对表面生长薄膜的介质窗进行高压去离子水枪清洗和预设时长的去离子水超声清洗，去除所述薄膜的无定性态碳元素成分。
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公开(公告)号：CN103367852A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310234471.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 紧凑型两路高功率容量的微波功率合成器，由两个通过H面连接的过模矩形波导、一个在E面耦合的圆波导以及设置在矩形波导腔内曲面形匹配结构构成。在频率范围4.2GHz～4.3GHz时，两个矩形波导端口之间高度隔离（隔离度大于30dB），并且矩形波导端口的反射系数小于-30dB。高隔离度、低反射以及高功率容量是通过优化中央曲面形匹配结构来实现的。当两个矩形波导同时注入微波时，圆波导会输出功率合成后的微波。通过采用矩形波导腔中央的曲面形匹配结构以及过模矩形波导，使合成器具有高的功率容量。该功率合成器结构紧凑，适合于各种高功率微波合成的应用场合。
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公开(公告)号：CN119965064A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411319302.5
申请日：2024-09-22
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种超辐射微波脉冲序列发生器，属于高功率微波技术领域。阴极爆炸发射产生强流相对论电子束；前端反射器用于反射超辐射微波脉冲，实现从收集极侧提取微波能量；慢波结构采用多周期非均匀结构，优化设计渐变的波纹深度，确保高效的束‑波互作用，产生高转换因子的超辐射微波脉冲；末端反射器用于给下一个超辐射微波脉冲提供种子信号；收集极用于吸收经过束波互作用的强流相对论电子束；引导磁体用于引导强流相对论电子束从阴极向收集极传输。前端反射器的反射系数|R1|接近于1，同时末端反射器的反射系数|R2|远远小于1。本发明具有高峰值功率和高转换效率的特点，能够提升高功率微波系统的性能，是一种有发展前景的高功率微波产生器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118431302A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410538840.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L23/60
Abstract: 本发明涉及一种阳极静电屏蔽凹槽结构抑制回流二极管，属于真空电子技术领域，延缓零场区产生的离子或者带电粉尘运动至阴极引杆的技术问题，其包括阴极、阳极、凹槽结构。凹槽结构设置在阳极回流轰击区域，包括A部分和B部分，均为金属材料，除半径最大处外，其它角部位置均倒角处理。A部分和B部分与阴极指向阳极的磁力线不相交，包围阴极发射的电子轰击点，阴极回流不能直接轰击A部分或B部分。A部分和B部分相邻侧直线距离为1mm～3mm，A部分的最小半径小于B部分的最小半径，阴极包括阴极引杆。该抑制回流二极管用于降低回流轰击点表面静电场强。
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公开(公告)号：CN113930744B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111156039.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及涂层制备技术领域，具体涉及一种具有高发射阈值的梯度涂层及其制备方法。解决了包裹单一碳化钛涂层的石墨易导致涂层被烧蚀、碳化钛涂层与石墨材料之间的热膨胀不匹配导致涂层在高温下极易脱落的技术问题。本发明一种具有高发射阈值的梯度涂层包括沉积在石墨基底表面的碳涂层以及叠层在碳涂层表面的多层第一复合涂层和沉积在最外层第一复合涂层表面的第二复合涂层，第一复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼以及碳；第二复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼。同时，本发明(56)对比文件唐运生.“石墨表面碳化钛涂层的制备及其耐强流电子束轰击性能研究”《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》.2021,(第2期),第10页1.2.1节，表1.2，第15页1.4节，第17-18页2.1.1节，图2.1，第21-22页2.2.3节，表2.3，图2.5，第42页第1段，第44页第1段，第47-48页4.4.3节，第53页第2段，第56页第3段.
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公开(公告)号：CN113936982B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110968704.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/16
Abstract: 本发明涉及一种束流调控的高效率低磁场相对论返波管，包括环形阴极、返波管管体、输出波导及磁场线圈；返波管管体的内壁从前至后依次设有预调制段、束流调控结构、慢波结构和提取腔；束流调控结构为沿返波管管体内壁周向设置的环形突起，位于预调制段后侧，慢波结构第一个腔体的前侧，用于吸收原本将处于加速相位的电子，调控返波管管体内的轴向电流。本发明增加的束流调控结构在固定间隔时间通过吸收部分电子调控轴向电流，使得较大比例预计在慢波结构中处于加速相位的电子被束流调控结构所吸收，大幅促进束流在射频场中的调制和群聚，使得能量提取效率显著提高。
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公开(公告)号：CN113930744A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111156039.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及涂层制备技术领域，具体涉及一种具有高发射阈值的梯度涂层及其制备方法。解决了包裹单一碳化钛涂层的石墨易导致涂层被烧蚀、碳化钛涂层与石墨材料之间的热膨胀不匹配导致涂层在高温下极易脱落的技术问题。本发明一种具有高发射阈值的梯度涂层包括沉积在石墨基底表面的碳涂层以及叠层在碳涂层表面的多层第一复合涂层和沉积在最外层第一复合涂层表面的第二复合涂层，第一复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼以及碳；第二复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼。同时，本发明还提供了具有高发射阈值的梯度涂层的制备方法，采用化学气相沉积法制备得到性能优异的覆盖在石墨基底表面的梯度涂层。
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公开(公告)号：CN113120915A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
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