公开(公告)号：CN117664199A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311103860.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·伊利安 ,  C·斯坦纳 ,  H·托伊斯

IPC: G01D5/48 ,  G01L1/25 ,  G01L5/00 ,  G06F3/043

Abstract: 本公开的实施例涉及具有声耦合介质的传感器装置和相应的制造方法。一种传感器装置包含至少一个传感器芯片，其带有至少一个布置在该至少一个传感器芯片的主表面处的MEMS结构，其中至少一个传感器芯片被设置为发送超声信号和/或接收超声信号。该传感器装置还包含选择性地布置在至少一个MEMS结构上的声耦合介质，其中声耦合介质被设置为对要发出的超声信号从至少一个MEMS结构解耦和/或将接收到的超声信号耦合到至少一个MEMS结构中。声耦合介质仅部分地覆盖至少一个传感器芯片的主表面。

公开(公告)号：CN117583225A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311017398.5

申请日：2023-08-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·托伊斯 ,  K·伊利安

IPC: B06B1/06 ,  B06B3/00

Abstract: 本公开的实施例涉及具有超声换能器的装置及其制造方法。提供了一种具有超声换能器(11)的装置(10)，超声换能器具有膜(12)和覆盖元件(13)。耦合介质(15)完全填充膜(12)与覆盖元件(13)之间的间隙，并从该间隙延伸到与该间隙连接的储存空间(16)中。

公开(公告)号：CN116952783A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310414133.2

申请日：2023-04-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·伊利安 ,  L·海策尔 ,  F·梅宝勒 ,  M·埃贝尔 ,  T·穆勒 ,  A·亚尔迈尔 ,  D·德比 ,  C·格赫雷玛尼 ,  J·波尔 ,  C·伊尔冈

IPC: G01N15/00 ,  G01N15/06 ,  G01N15/02

Abstract: 本申请涉及一种用于颗粒测量的半导体装置(10)，具有空腔壳体(G)和布置在空腔壳体(G)内的MEMS芯片(20)。壳体(G)具有第一开口(O1)，经由第一开口使空腔与周围环境连接并且在第一开口中布置有第一栅格(12)，第一栅格通过置于第一电势而适于从周围环境吸引颗粒(P)和/或使颗粒带电。MEMS芯片(20)具有朝向第一开口(O1)的膜片(M1)，所述膜片通过置于第二电势而适于吸引颗粒(P)。本申请还涉及一种用于运行半导体装置的方法，该半导体装置具有空腔壳体(G)和布置在空腔壳体(G)内的MEMS芯片(20)。

公开(公告)号：CN116337756A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211657722.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·德比 ,  D·图姆波德 ,  A·亚尔迈尔 ,  L·海策尔 ,  K·伊利安 ,  T·迈尔 ,  C·格赫雷玛尼 ,  J·波尔 ,  C·盖斯勒

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/17 ,  G01N21/31 ,  G01N21/3504

Abstract: 本公开的实施例涉及一种辐射源装置，其包括至少一个膜层、被配置为发射电磁或红外辐射的辐射源结构、基板和间隔结构，其中基板和至少一个膜形成腔室，其中腔室中的压力为低于或等于腔室外部的压力，其中辐射源结构设置在至少一个膜层和基板之间。