公开(公告)号：CN1219419C

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN99801678.0

申请日：1999-09-24

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  寺岛和夫

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  井崎武士 ,  寺岛和夫

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C14/185 ,  H05H1/48

Abstract: 基底电极等离子体发生装置由小间隙薄膜电极对1，2，3，4陈列构成，通过在具有氧化表面的硅基底5上溅射和干腐蚀钨形成这些电极对。

公开(公告)号：CN1529344A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN200310119973.9

申请日：1997-05-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  神户贞男 ,  宫沢和加雄

IPC: H01L21/00 ,  B05C5/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  Y10T428/1064 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了一种薄膜器件制造方法，其特征在于：准备具有多个排出口的涂敷液排出喷嘴；相对地改变基板与所述多个涂敷液排出喷嘴的位置，同时使所述涂敷液只排出到基板上的涂敷区上，在基板上形成构图了的涂敷膜。根据本发明方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。

公开(公告)号：CN1523938A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200310110299.8

申请日：1997-11-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫下悟 ,  木口浩史 ,  下田达也 ,  神户贞男

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

CPC classification number: H05B33/10 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/24868 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明的有机EL元件的制造方法的特征是，它包含：在透明基板(804)上形成象素电极(801)、(802)、(803)的工序；在象素电极上按喷墨方式形成由有机化合物构成的发光层(806)、(807)、(808)的工序。借此可以简便而且短时间地进行高精度的图案成形，也可以简单地进行膜设计和发光性能的最优化，而且可以容易地调整发光效率。

公开(公告)号：CN1519942A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410005319.X

申请日：2004-02-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  名取荣治 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器(1000)包括片状器件(100)，而片状器件(100)具有包含强介电电容器(20)的存储单元阵列(102)，和包含在存储单元阵列(102)上方形成的薄膜晶体管的电路部分(104)。

公开(公告)号：CN1103106C

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN95119975.7

申请日：1995-10-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小林道夫 ,  根桥聪 ,  下田达也 ,  大泽寿 ,  冈本好弘

IPC: G11B20/12 ,  G11B20/18

CPC classification number: G11B20/10148 ,  G11B7/004 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B11/10502 ,  G11B20/10009 ,  G11B20/10083 ,  G11B20/10101 ,  G11B20/10111 ,  G11B20/1426

Abstract: 本发明的光磁录放装置设置有对数字信息序列{Ai}进行(1，7)RLL编码·NRZI编码的编码调制器11；把编码序列{ai}记录在光磁记录载体上，用光学传感头从记录载体上把模拟信号重放为单元波形序列e(t)的录放系统3；由横向滤波器构成的波形均衡器14，低通滤波器15；对均衡波形序列x(t)进行取样量化的A/D变换器16；以及把其输出{ai}与规定的期待值对比，把最大似然路径作为译码序列{Ai}的维特比译码器18。

公开(公告)号：CN1393037A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。

公开(公告)号：CN1286782A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN99801673.X

申请日：1999-07-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横山修 ,  下田达也 ,  宫下悟

IPC: G09F9/00

CPC classification number: H04N9/30 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133621 ,  G02F2001/133622 ,  G02F2201/34 ,  G02F2203/15

Abstract: 把周期性地配置了在一块玻璃基板(103)上内装了光学谐振器结构的,以红、绿及蓝色进行发光的EL元件(100R、100G、100B)的面状光源设置到不具备滤色片的光调制面板(101)的背面上。利用光调制面板(101),对点亮EL元件(100R、100G、100B)所产生的各色光进行调制,得到彩色图像。

公开(公告)号：CN1212114A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN97192546.1

申请日：1997-11-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫下悟 ,  木口浩史 ,  下田达也 ,  神户贞男

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30

CPC classification number: H05B33/10 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/24868 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明的有机EL元件的制造方法的特征是,它包含:在透明基板(804)上形成象素电极(801)、(802)、(803)的工序;在象素电极上按喷墨方式形成由有机化合物构成的发光层(806)、(807)、(808)的工序。借此可以简便而且短时间地进行高精度的图案成形,也可以简单地进行膜设计和发光性能的最优化,而且可以容易地调整发光效率。

公开(公告)号：CN1130792A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN95119975.7

申请日：1995-10-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小林道夫 ,  根桥聪 ,  下田达也 ,  大泽寿 ,  冈本好弘

IPC: G11B20/12 ,  G11B20/18

CPC classification number: G11B20/10148 ,  G11B7/004 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B11/10502 ,  G11B20/10009 ,  G11B20/10083 ,  G11B20/10101 ,  G11B20/10111 ,  G11B20/1426

Abstract: 本发明的光磁录放装置设置有对数字信息序列{Ai}进行(1，7)RLL编码·NRZI编码的编码调制器11；把编码序列{ai}记录在光磁记录载体上，用光学传感头从记录载体上把模拟信号重放为单元波形序列e(t)的录放系统3；由横向滤波器构成的波形均衡器14，低通滤波器15；对均衡波形序列x(t)进行取样量化的A/D变换器16；以及把其输出{ai}与规定的期待值对比，把最大似然路径作为译码序列{Ai}的维特比译码器18。

公开(公告)号：CN1056370A

公开(公告)日：1991-11-20

申请号：CN90102637.9

申请日：1990-05-07

Applicant: 帝国化学工业公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 井熊勇 ,  阪田昌明 ,  秋冈博晴 ,  下田达也

IPC: H01F41/02

CPC classification number: H01F41/0273 ,  B29C47/0016 ,  B29C47/0019 ,  B29C47/0023 ,  B29C47/20 ,  Y10S264/58 ,  Y10S425/033

Abstract: 一种用于树脂粘结型磁体挤压成型的压模，它通过使磁粉和树脂的融化混合物中的磁粉定向和冷却固化而使磁体成型，其中定向区由至少一种或多种不同材料的层状结构组成；一种挤压成型压模，该压模的结构按照从挤压机连接区到定向区出口的顺序为：汇合区、绝热区、加热区、和定向区，该压模适于生产圆筒形树脂粘结型磁体。