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公开(公告)号：CN1106637C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN96190491.7
申请日：1996-05-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G11B7/2538 , B29D17/005 , B29K2023/38 , G11B7/24 , G11B7/2542 , G11B7/26 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31598
Abstract: 提供一种具有高密度且优质、同时与现有的光盘之间有互换性的光盘。该光盘有以环状烯系列聚合物为主要成分形成的盘状基板和在该盘状基板上形成的光硬化性树脂层、在该光硬化性树脂层上有以给定的信息为依据的凹凸。即使用热硬化性树脂代替上述光硬化性树脂，也能获得同样的效果。能大批量生产具有这种优异特性的光盘。
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公开(公告)号：CN1339240A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00803264.5
申请日：2000-09-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3293 , G09F9/313 , H01L27/3244
Abstract: 通过将TFT层22的电路部22C退到相邻的EL显示体14的背面侧,能够使相邻的EL显示体14的周端的象素之间的间隔为10μm,使4个EL显示体14从外观上看为一体,能够形成大型的EL显示屏。在将多个EL显示体排列成矩阵形状时,能够维持TFT的象素部的象素间距。
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公开(公告)号：CN1242733A
公开(公告)日：2000-01-26
申请号：CN98801573.0
申请日：1998-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B29C39/10 , B29C39/26 , B29C39/36 , B29C43/021 , B29C2035/0833 , B29C2043/3455 , B29D17/005 , G11B7/263 , Y10S425/81
Abstract: 一种缩短铸模搬运所需的时间,并且制造小型的光记录介质的装置,用于使硬化性树脂(102b)在基板(101)和铸模(103)之间硬化。从而制造光记录介质,具备保持铸模(103)的铸模保持结构(2)。将涂敷了硬化性树脂(102b)的基板(101)搬运到铸模(103)上、使硬化性树脂(102b)的涂敷面与铸模(103)相对置地将该基板(101)载放在铸模(103)上的搬运机构(1),使由搬运机构(1)夹持在铸模(103)和基板(101)之间的硬化性树脂(102b)硬化的树脂硬化机构(3),将由树脂硬化机构(2)硬化的硬化性树脂(102b)和基板(101)一起从铸模(103)中剥离的剥离机构(4)。
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公开(公告)号：CN1154174A
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：CN96190491.7
申请日：1996-05-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G11B7/2538 , B29D17/005 , B29K2023/38 , G11B7/24 , G11B7/2542 , G11B7/26 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31598
Abstract: 提供一种具有高密度且优质、同时与现有的光盘之间有互换性的光盘。该光盘有以环状烯系列聚合物为主要成分形成的盘状基板和在该盘状基板上形成的光硬化性树脂层、在该光硬化性树脂层上有以给定的信息为依据的凹凸。即使用热硬化性树脂代替上述光硬化性树脂，也能获得同样的效果。能大批量生产具有这种优异特性的光盘。
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公开(公告)号：CN100352039C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510052587.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在纯缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1102885C
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN98801572.2
申请日：1998-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G11B7/263 , B29C35/08 , B29C43/021 , B29C43/34 , B29C2043/025 , B29C2043/3433 , B29C2043/3438 , B29C2043/3488 , B29L2017/005 , Y10S425/81
Abstract: 为了提供在光学特性方面优良的、而且难以发生制造时的不良情况的光记录媒体的制造技术，在树脂板(11)与铸模之间使光硬化性树脂硬化并对光记录媒体进行成形用的光记录媒体的制造方法由下述工序来制造树脂板(11)：将热可塑性树脂(10)加热到预定的温度使之熔解的加热工序(104)；将已熔解的热可塑性树脂(10)运送到金属模(1)内的运送工序(103、105)；以及压缩被运送到金属模(1)内的热可塑性树脂(10)将其成形为树脂板(11)形状的成形工序(101、102)。由于是因金属模产生的低压力低温度的环境，故可防止因氧化引起的性能变坏、成形变形的情况。
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公开(公告)号：CN1393037A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802788.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。
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公开(公告)号：CN1242734A
公开(公告)日：2000-01-26
申请号：CN98801572.2
申请日：1998-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G11B7/263 , B29C35/08 , B29C43/021 , B29C43/34 , B29C2043/025 , B29C2043/3433 , B29C2043/3438 , B29C2043/3488 , B29L2017/005 , Y10S425/81
Abstract: 为了提供在光学特性方面优良的、而且难以发生制造时的不良情况的光记录媒体的制造技术,在树脂板(11)与铸模之间使光硬化性树脂硬化并对光记录媒体进行成形用的光记录媒体的制造方法由下述工序来制造树脂板(11):将热可塑性树脂(10)加热到预定的温度使之熔解的加热工序(104);将已熔解的热可塑性树脂(10)运送到金属模(1)内的运送工序(103、105 );以及压缩被运送到金属模(1)内的热可塑性树脂(10)将其成形为树脂板(11)形状的成形工序(101、102)。由于是因金属模产生的低压力低温度的环境,故可防止因氧化引起的性能变坏、成形变形的情况。
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公开(公告)号：CN1206471A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN97191531.8
申请日：1997-10-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/223 , B41J2202/09 , G02B5/201
Abstract: 本发明目的是提供一种顺利制造滤色片的方法。包括:大气压下于含有氧的气体气氛中产生放电,利用活性粒子处理基板(10)的工序;以及向母盘(13)上形成的规定排列的油墨充填用凹部(29)中充填预先设定颜色的油墨,形成着色图案层(14),进而利用树脂层(15)将基板(10)粘接在形成有着色图案层(14)的母盘(13)上之后,使着色图案层(14)、树脂层(15)和基板(10)整体从母盘(10)剥离的工序。
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公开(公告)号：CN100431137C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410039795.3
申请日：2000-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/0337 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。
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