公开(公告)号：CN101377594A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810213337.5

申请日：2008-08-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，减少像素内的TFT中的光泄漏电流的产生。电光装置，具备：基板(10)，在基板上互相交叉而进行延伸并分别包括遮光性的导电膜的数据线(6a)及扫描线(11a)，对应于数据线与扫描线的交叉处所设置的像素电极(9a)，半导体层(1a)，和在基板上俯视时具有包围半导体层中的第2结区域(1c)的环形状并通过栅绝缘膜(2)对向于半导体层中的沟道区域(1a’)地配置的栅电极(3a)。第2结区域，在基板上俯视，至少部分地配置于数据线与扫描线相交叉的交叉区域(99cr)内。

公开(公告)号：CN101131519A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146670.4

申请日：2007-08-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明提供电光装置用基板、电光装置及电子设备。其中，在TFT阵列基板(10)具备对应多条数据线(6a)及多条扫描线(11)的交叉处设置的像素电极(9a)和TFT(30)，TFT包括半导体层和栅电极，半导体层具有：具有沿Y方向的沟道长度的沟道区域(1a’)、数据线侧源漏区域(1d)、像素电极侧源漏区域(1e)、数据线侧LDD区域(1b)及像素电极侧LDD区域(1c)，栅电极与半导体层相比通过绝缘膜(2)配置于上层侧并重叠于沟道区域。在绝缘膜(2)形成沿像素电极侧LDD区域的纵长状槽(810)；栅电极(31a)具有从重叠于沟道区域的部分延伸于槽内的至少一部分的槽内部分(33)。

公开(公告)号：CN101377594B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810213337.5

申请日：2008-08-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，减少像素内的TFT中的光泄漏电流的产生。电光装置，具备：基板(10)，在基板上互相交叉而进行延伸并分别包括遮光性的导电膜的数据线(6a)及扫描线(11a)，对应于数据线与扫描线的交叉处所设置的像素电极(9a)，半导体层(1a)，和在基板上俯视时具有包围半导体层中的第2结区域(1c)的环形状并通过栅绝缘膜(2)对向于半导体层中的沟道区域(1a’)地配置的栅电极(3a)。第2结区域，在基板上俯视，至少部分地配置于数据线与扫描线相交叉的交叉区域(99cr)内。

公开(公告)号：CN101246290B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810005554.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也 ,  森肋稔

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率，并有效降低TFT中光泄漏电流的发生，且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极(3a)的TFT(30)，栅电极(3a)具有：主体部(31a)，在配置为覆盖半导体层(1a)的绝缘膜(202)的开口部(202h)内相对沟道区域(1a′)通过栅绝缘膜(2)来配置；和延伸设置部(32a)，覆盖像素电极侧LDD区域(1c)地从该主体部(31a)延伸设置到绝缘膜(202)上；像素电极侧LDD区域(1c)位于非开口区域(99b)中的第1区域(99ba)及第2区域(99bb)相互交叉的交叉区域(99cr)。

公开(公告)号：CN101388400A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215918.2

申请日：2008-09-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  石井达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及一种电光装置及其制造方法以及电子设备。在液晶等的电光装置中，减少光泄漏电流的发生，能够显示高品质的图像。该电光装置具备：基板(10)；数据线(6a)及扫描线(11a)，在基板上相互交叉进行延伸；像素电极(9a)，设置于与数据线及扫描线的交叉处相对应而规定的每个像素中；半导体层(1a)，具有沟道区域(1a′)、数据线侧源漏区域(1d)、像素电极侧源漏区域(1e)、第1结区域(1b)及第2结区域(1c)；第1绝缘膜(31a)，覆盖第1结区域被设置为岛状；第2绝缘膜(31b)，覆盖第2结区域被设置为岛状；栅电极(3a)，隔着栅绝缘膜(2)与沟道区域相对，并且延伸到第1及第2绝缘膜上。

公开(公告)号：CN101241284A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810005528.2

申请日：2008-02-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136209

Abstract: 本发明涉及电光装置用基板、电光装置以及电子设备，目的在于在例如液晶装置等电光装置中，使构成设置于各像素的存储电容的电介质膜的膜质提高。电光装置用基板，具备：设置于基板(10)上的每个像素中的晶体管(30)；存储电容(70)，其在基板上配置于晶体管的上层侧，从下层侧开始按顺序叠层固定电位侧电极(300a)、电介质膜(75)及像素电位侧电极(71)；和像素电极(9a)，夹着层间绝缘膜(43)配置于存储电容的上层侧，设置于每个像素、并通过开孔于层间绝缘膜的第1接触孔(89)而电连接于像素电位侧电极，并且还作为对像素电位侧电极与晶体管进行电中继连接的中继电极而起作用。

公开(公告)号：CN1971387A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610146737.X

申请日：2006-11-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明的电光装置减少具有LDD结构的晶体管的光漏电流。第2栅电极(3a2)使用金属硅化物等的导电材料，平面看上去覆盖低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)地设置到第1栅电极(3a1)之上。因而，TFT(30)的栅电极具有包括第1栅电极(3a1)及第2栅电极(3a2)的多层结构。第2栅电极(3a2)进行遮光，以便从背光源等光源所照射的入射光不照射到低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)。据此，来减少在低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)流通的光漏电流。

公开(公告)号：CN101388400B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810215918.2

申请日：2008-09-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  石井达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及一种电光装置及其制造方法以及电子设备。在液晶等的电光装置中，减少光泄漏电流的发生，能够显示高品质的图像。该电光装置具备：基板(10)；数据线(6a)及扫描线(11a)，在基板上相互交叉进行延伸；像素电极(9a)，设置于与数据线及扫描线的交叉处相对应而规定的每个像素中；半导体层(1a)，具有沟道区域(1a′)、数据线侧源漏区域(1d)、像素电极侧源漏区域(1e)、第1结区域(1b)及第2结区域(1c)；第1绝缘膜(31a)，覆盖第1结区域被设置为岛状；第2绝缘膜(31b)，覆盖第2结区域被设置为岛状；栅电极(3a)，隔着栅绝缘膜(2)与沟道区域相对，并且延伸到第1及第2绝缘膜上。

公开(公告)号：CN101236341B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810009415.X

申请日：2008-02-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1335 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685

Abstract: 本发明的电光装置用基板，在液晶装置等电光装置中，可减少像素内TFT中光漏电流的发生。电光装置用基板具有TFT(30)，后者包含栅极电极(3a)，该栅极电极具有：主体部(31a)；第1延伸部(32a)，从该主体部(31a)在半导体层(1a)附近沿着Y方向向像素电极侧LDD区域(1c)侧延伸，使之至少与像素电极侧LDD区域(1c)邻接；和第2延伸部(32b)，在比该第1延伸部(32a)中的主体部(31a)更靠近像素电极侧源漏区(1e)侧的部分中的至少一部分沿着X方向延伸。

公开(公告)号：CN101115333B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200710139022.6

申请日：2007-07-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/13357 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明的电光装置，使液晶装置等的电光装置的显示性能提高，具备TFT(30)，其在TFT阵列基板(10)上，设置于互相隔开多个像素的各自的开口区域的非开口区域，包括具有以下区域的半导体层(1a)：具有沿Y方向的沟道长的沟道区域(1a’)，数据线侧源漏区域(1d)，像素电极侧源漏区域(1e)，数据线侧LDD区域(1b)及像素电极侧LDD区域(1c)。进而，还具备存储电容(70a)，其形成于比半导体层(1a)上层侧，具有覆盖数据线侧LDD区域(1b)的第1部分(301)，和覆盖像素电极侧LDD区域(1c)并且X方向的宽度比第1部分(301)宽的第2部分(302)。