公开(公告)号：CN100364044C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510069239.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/76804 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：在基板上形成多个导电层的工序；分别形成多个层间绝缘层的工序；对于多个层间绝缘层之中的下部层间绝缘层和上部层间绝缘层，形成贯通上部层间绝缘层到达下部层间绝缘层内的第1孔并且至少将位于第1孔内的上部层间绝缘层和下部层间绝缘层的界面的侧壁的一部分利用干蚀刻法形成的工序；形成至少将上述界面覆盖的保护膜的工序；通过形成了保护膜的第1孔使用蚀刻法形成贯通下部层间绝缘层的第2孔而形成接触孔的工序；以及通过接触孔将下部导电层和上部导电层相互电连接的工序。

公开(公告)号：CN115145067B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202210315919.4

申请日：2022-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 门谷典和 ,  福山孝典 ,  田中克典 ,  森胁稔 ,  内山杰

IPC: G02F1/1333 ,  G03B21/16 ,  H04N9/31

Abstract: 提供光调制装置和投影仪，能够提高冷却效率。具有配置有多个像素的像素配置区域的光调制装置具有：第1基板；第2基板，其隔着液晶层与第1基板对置配置；以及冷却部件，其相对于第2基板配置在与第1基板相反侧，与第2基板热连接，冷却部件具有封入有工作流体的中空空间，且通过使液相的工作流体变化为气相的工作流体，经由第2基板对液晶层进行冷却。

公开(公告)号：CN115145067A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210315919.4

申请日：2022-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 门谷典和 ,  福山孝典 ,  田中克典 ,  森胁稔 ,  内山杰

IPC: G02F1/1333 ,  G03B21/16 ,  H04N9/31

Abstract: 提供光调制装置和投影仪，能够提高冷却效率。具有配置有多个像素的像素配置区域的光调制装置具有：第1基板；第2基板，其隔着液晶层与第1基板对置配置；以及冷却部件，其相对于第2基板配置在与第1基板相反侧，与第2基板热连接，冷却部件具有封入有工作流体的中空空间，且通过使液相的工作流体变化为气相的工作流体，经由第2基板对液晶层进行冷却。

公开(公告)号：CN102213880A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110083977.0

申请日：2011-04-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明涉及电光装置，其具备：在基板上对每个像素设置的像素电极；在基板和像素电极之间与像素电极对应设置的晶体管；以及在像素电极和晶体管之间设置的保持电容，其包括第1电极、在第1电极的下层一侧经由下侧电容绝缘膜相对配置的第2电极以及在第1电极的上层一侧经由上侧电容绝缘膜相对配置的第3电极。下侧电容绝缘膜和上侧电容绝缘膜分别具有多个层，下侧电容绝缘膜和第2电极与上侧电容绝缘膜和第3电极被形成为从第1电极看具有对称性。

公开(公告)号：CN1996604B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710001553.9

申请日：2007-01-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136209

Abstract: 本发明的电光装置能使存储电容的电容大并提高遮光性能，进行高质量显示。液晶装置在TFT阵列基板(10)上具备：互相交叉地延伸的数据线(6a)及扫描线(3a)；按在TFT阵列基板(10)上平面地看对应于数据线(6a)及扫描线(11a)规定的每个像素配置的像素电极(9a)；和电连接于像素电极(9a)的TFT(30)。具备存储电容(70)，其配置于在TFT阵列基板(10)上平面地看包括对向于TFT(30)的沟道区域(1a’)的区域的区域并与TFT(30)相比配置于上层侧，从下层侧按顺序叠层由多晶硅膜构成的下侧电极(71)、电介质膜(75)及由金属膜构成的上侧电极(300a)并电连接于像素电极(9a)。

公开(公告)号：CN100433336C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510083183.9

申请日：2005-07-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明涉及一种能够抑制堆叠接触中的接触电阻的半导体器件用基板，具有：基板；设置在该基板上的薄膜晶体管；设置在该薄膜晶体管的上层侧的布线；将该布线与薄膜晶体管的至少半导体层层间绝缘起来的层间绝缘层；以及接触孔，该接触孔具有开掘在该层间绝缘层中的且在基板面上平面看沿长度方向延伸的第1孔，以及分别从第1孔的底部贯通层间绝缘层，到达半导体层的表面，且沿着第1孔的长度方向排列的多个第2孔，将布线与半导体层经层间绝缘层相连接。

公开(公告)号：CN1722449A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510083183.9

申请日：2005-07-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明涉及一种能够抑制堆叠接触中的接触电阻的半导体器件用基板，具有：基板；设置在该基板上的薄膜晶体管；设置在该薄膜晶体管的上层侧的布线；将该布线与薄膜晶体管的至少半导体层层间绝缘起来的层间绝缘层；以及接触孔，该接触孔具有开掘在该层间绝缘层中的且在基板面上平面看沿长度方向延伸的第1孔，以及分别从第1孔的底部贯通层间绝缘层，到达半导体层的表面，且沿着第1孔的长度方向排列的多个第2孔，将布线与半导体层经层间绝缘层相连接。

公开(公告)号：CN116699896A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310870928.4

申请日：2022-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 门谷典和 ,  福山孝典 ,  田中克典 ,  森胁稔 ,  内山杰

IPC: G02F1/1333 ,  G03B21/16 ,  H04N9/31

Abstract: 光调制装置和投影仪，能够提高冷却效率。光调制装置具有：面板主体，其具有配置有多个像素的像素配置区域；以及蒸汽腔室，其具有封入工作流体的中空空间，所述蒸汽腔室利用受到的热使液相的所述工作流体蒸发而变化成气相的所述工作流体，对所述工作流体的热进行散热使所述气相的所述工作流体冷凝而变化成所述液相的工作流体，所述蒸汽腔室具有封入部，所述封入部在延伸到所述面板主体的外侧的延伸部的端部注入所述工作流体。

公开(公告)号：CN102213880B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110083977.0

申请日：2011-04-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明涉及电光装置，其具备：在基板上对每个像素设置的像素电极；在基板和像素电极之间与像素电极对应设置的晶体管；以及在像素电极和晶体管之间设置的保持电容，其包括第1电极、在第1电极的下层一侧经由下侧电容绝缘膜相对配置的第2电极以及在第1电极的上层一侧经由上侧电容绝缘膜相对配置的第3电极。下侧电容绝缘膜和上侧电容绝缘膜分别具有多个层，下侧电容绝缘膜和第2电极与上侧电容绝缘膜和第3电极被形成为从第1电极看具有对称性。

公开(公告)号：CN102213881A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110090666.7

申请日：2011-04-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  望月宏明

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286

Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。电光装置具备：像素电极；晶体管，其对应于像素电极而设置；数据线，其与晶体管电连接；存储电容，其设置于像素电极与晶体管之间，且通过将第1电极与第2电极隔着电容绝缘膜相对配置而形成；以及附加电容，其通过将第1附加电容电极与第2附加电容电极隔着附加电容绝缘膜相对配置而形成，且其与数据线电连接，所述第1附加电容电极与第1电极设置于同一层，所述第2附加电容电极与第1电极及第2电极设置于不同层。