公开(公告)号：CN110875726B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201910801039.6

申请日：2019-08-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: H03H9/19 ,  H03H9/10 ,  H03H3/02

Abstract: 提供振动器件以及电子设备，该振动器件具有：半导体基板；振动元件，其具有振动片和激励电极，所述激励电极的一部分配置在所述振动片的所述半导体基板侧，所述振动元件搭载在所述半导体基板的一个主面侧；盖体，其与所述半导体基板的所述一个主面侧的围绕所述振动元件的部分接合；以及绝缘膜，其配置在所述半导体基板的所述一个主面侧，所述绝缘膜在俯视观察时与所述激励电极的所述一部分重叠地配置，且未配置在所述半导体基板与所述盖体的接合部分。

公开(公告)号：CN101471249A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810190204.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7846

Abstract: 本发明提供一种可以实现使电子的迁移率提高的SBSI器件的半导体装置的制造方法。其包括：在Si基板(1)上形成SiGe层的工序、在SiGe层上形成Si层(5)的工序、对Si层(5)以及SiGe层进行蚀刻而形成贯通Si层(5)以及SiGe层的支承体孔(h)的工序、在支承体孔(h)上形成支承体(11)的工序、对Si层(5)进行蚀刻而形成使SiGe层露出的沟槽(纸面的前侧和后侧)的工序、通过借助所述沟槽对SiGe层进行蚀刻而在Si层(5)和Si基板(1)之间形成空洞部(21)的工序、在空洞部(21)形成a－Si膜(25)的工序、和对a－Si膜(25)进行热氧化形成SiO2膜(27)的工序。

公开(公告)号：CN119727638A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411349954.3

申请日：2024-09-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: H03H3/007

Abstract: 振动器件的制造方法，能够提高可靠性。具有如下工序：准备基座(10A)，其中，该基座(10A)包含：半导体基板(11)，其具有第一面(11a)和第二面(11b)，在第一面(11a)形成有电路元件(11a1)；和第一绝缘层(12)，其配置于半导体基板(11)的第一面(11a)，并覆盖电路元件(11a1)；在第一绝缘层(12)的与基座(10A)相反侧的第五面(10Aa)堆积绝缘物而形成第二绝缘层(13)；对第二绝缘层(13)的与基座(10A)相反侧的第三面(10a)的至少一部分进行研磨而使其平坦化；在第二绝缘层(13)的被研磨后的第三面(10a)上形成安装电极(16)；以及将振动元件(40)与安装电极(16)接合。

公开(公告)号：CN114792751A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210078079.4

申请日：2022-01-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16 ,  H03H3/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/17 ,  H03H9/19

Abstract: 振动器件以及振动器件的制造方法，能够抑制布线的构图不良。振动器件具有：基座；以及配置在所述基座上的振动元件。所述基座具有：半导体基板，其具有彼此处于正反关系的第1面和第2面；集成电路，其包含布线层和绝缘层，所述布线层配置在所述第2面侧并具有连接盘，所述绝缘层配置在所述第2面与所述布线层之间；贯通电极，其贯通所述半导体基板和所述绝缘层，与所述连接盘连接；环状的金属层，其贯通所述绝缘层而配置在所述第2面与所述布线层之间，在俯视所述半导体基板时包围所述贯通电极。

公开(公告)号：CN104817053A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510028795.1

申请日：2015-01-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: B81B7/02 ,  G01L1/10 ,  G01C5/06

CPC classification number: B81B3/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明提供MEMS器件、压力传感器、高度计、电子设备和移动体，能够减少覆盖层与功能元件接触的情况。本发明的MEMS器件具有：基板(6)；传感器元件(7)(功能元件)，其配置于基板(6)上；包围壁，其配置于基板(6)的一面侧，并在俯视时包围传感器元件(7)；覆盖层(87)，其在俯视时与基板(6)重叠，并与包围壁连接；以及加强层(821)，其配置于覆盖层(87)和传感器元件(7)之间，包围壁具有：基板侧包围壁(88)；和覆盖层侧包围壁(89)，其比基板侧包围壁(88)靠近覆盖层(87)侧，且该覆盖层侧包围壁(89)的至少一部分在俯视时被配置于比基板侧包围壁(88)靠内侧的位置。

公开(公告)号：CN104729545A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410775573.1

申请日：2014-12-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: G01D5/16 ,  G01L9/06 ,  G01C5/00

CPC classification number: G01L7/082 ,  G01C5/00 ,  G01C5/06 ,  G01C21/28 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/085 ,  H01L27/07 ,  H01L41/042

Abstract: 本发明提供物理量传感器、压力传感器、高度计、电子设备和移动体，物理量传感器能够实现低高度化和低成本化，压力传感器、高度计、电子设备和移动体具有该物理量传感器。本发明的物理量传感器具有：半导体基板(61)；隔膜部(64)，其配置在半导体基板(61)上，由于受压而发生挠曲变形；传感器元件(7)，其配置在隔膜部(64)上；元件周围构造体(8)，其配置于半导体基板(61)的一个面侧，与隔膜部(64)一起形成了空腔部(5)；以及半导体电路(9)，其设置于半导体基板(61)的与元件周围构造体(8)同一面侧。