公开(公告)号：CN101950734B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201010261067.2

申请日：2006-03-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前田强 ,  松本友孝

IPC: H01L21/77 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5271 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明提供一种发光装置以及具备该发光装置的电子设备。在有机EL装置(1)中，虽然多个像素(100)分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应，但构成有机EL元件(10)的空穴输送层(13)以及发光层(14)等有机功能层的材质不管所对应的颜色如何，都是一样的。在各像素(100)中构成光谐振器(40)，根据阳极层(12)的厚度，将光谐振器(40)的光学长度设定成与红色光、绿色光、蓝色光的任一种对应的长度。在光谐振器(40)的下层侧的反射层(19)与阳极层(12)之间，形成由硅氮化膜等构成的绝缘保护层(18)。这样，即使在形成因像素不同而厚度不同的阳极时，位于阳极下层侧的光谐振器用的下层侧反射层也不会产生劣化。

公开(公告)号：CN101714589A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910176223.2

申请日：2009-09-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本友孝 ,  江口司

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L31/03685 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及光电转换元件、光电转换装置及图像传感器，提高光学传感器对红外光进行检测的检测性能、并降低由该光学传感器产生的泄漏电流。取代非晶硅等非晶质半导体层而由微晶硅(以下称为“μ-CSi”)等微结晶半导体构成受光层(151c)。根据这样的受光层，与使用非晶硅等非晶质半导体层的情况相比，对于包含红外光的入射光可提高受光灵敏度。第1中间层(151b)夹设在第1半导体层(151a)及受光层之间，构成了将第1半导体层及受光层相互接合的接合层。第1中间层由非晶硅等非晶质半导体构成。因此，根据光学传感器(151)，基于第1中间层的存在，可抑制因在受光层中使用μC-Si等微结晶半导体而产生的泄漏电流的增大。

公开(公告)号：CN100454553C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510086066.8

申请日：2005-07-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  松本友孝 ,  藤田伸

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L23/62

Abstract: 在具备基体及形成于该基体上的半导体膜的薄膜半导体装置中，在所述基体上设有内部电路(主电路部)(17)，保护电路部(18)、端子部(19)。在所述保护电路部(18)上，设有保护电路元件(181，182)，其具有所述半导体膜的PIN二极管，以及介于该PIN二极管的I层和绝缘膜对向配置的浮置电极。能够提供一种可构成可对内部电路良好保护免受浪涌电压影响的保护电路，对于因过大电压而被破坏时电路结构不产生故障，且具有优良的可靠性的电路元件的薄膜半导体装置。