公开(公告)号：CN102874813A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210241251.X

申请日：2012-07-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴银秀 ,  金奉焕 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C01B33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

公开(公告)号：CN102585516A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。